SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
S41X083204JP CTS Resistor Products S41X083204JP 0,0226
RFQ
ECAD 9819 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083204JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 200k Иолирована 4 - - 8 31 м
S41X083202GP CTS Resistor Products S41x083202GP 0,0269
RFQ
ECAD 6360 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083202GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2K Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C043433JP CTS Resistor Products S42C043433JP 0,0508
RFQ
ECAD 4047 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043433JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 43К Иолирована 2 - - 4 63 м
S40X043512JP CTS Resistor Products S40x043512JP 0,0901
RFQ
ECAD 4127 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043512JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 5,1K Иолирована 2 - - 4 31 м
S40X043272JP CTS Resistor Products S40X043272JP 0,0901
RFQ
ECAD 9601 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043272JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2.7K Иолирована 2 - - 4 31 м
S42C043684FP CTS Resistor Products S42C043684FP 0,0693
RFQ
ECAD 8708 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043684FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 680K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41X043153GP CTS Resistor Products S41X043153GP 0,0240
RFQ
ECAD 6968 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043153GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 15k Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C043470GP CTS Resistor Products S42C043470GP 0,0600
RFQ
ECAD 3032 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043470GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 47 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C043473FP CTS Resistor Products S42C043473FP 0,0693
RFQ
ECAD 3634 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043473FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 47K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C083622JP CTS Resistor Products S42C083622JP 0,0680
RFQ
ECAD 1893 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083622JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 6,2K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043821JP CTS Resistor Products S42C043821JP 0,0508
RFQ
ECAD 3389 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043821JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 820 Иолирована 2 - - 4 63 м
S41X043304JP CTS Resistor Products S41X043304JP 0,0198
RFQ
ECAD 2564 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043304JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 300K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083302FP CTS Resistor Products S41C083302FP 0,0653
RFQ
ECAD 8685 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083302FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 3K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41C083131JP CTS Resistor Products S41C083131JP 0,0481
RFQ
ECAD 4380 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083131JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 130 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42X083510JP CTS Resistor Products S42X083510JP 0,0412
RFQ
ECAD 7064 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083510JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 51 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X083120GP CTS Resistor Products S41x083120GP 0,0269
RFQ
ECAD 1412 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083120GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 12 Иолирована 4 - - 8 31 м
S41X083750GP CTS Resistor Products S41x083750GP 0,0269
RFQ
ECAD 5477 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083750GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 75 Иолирована 4 - - 8 31 м
S41C083134FP CTS Resistor Products S41C083134FP 0,0653
RFQ
ECAD 4746 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083134FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 130K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X083203JP CTS Resistor Products S41X083203JP 0,0226
RFQ
ECAD 4133 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083203JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 20K Иолирована 4 - - 8 31 м
S42X083910GP CTS Resistor Products S42X083910GP 0,0495
RFQ
ECAD 4681 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083910GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 91 Иолирована 4 - - 8 63 м
753101473GP CTS Resistor Products 753101473GP 1.9136
RFQ
ECAD 2086 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 753 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,295 "L x 0,080" W (7,49 мм x 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 10-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-753101473GP Ear99 8533.21.0020 250 47K Авторс 9 - - 10 40 м
S42C163132JP CTS Resistor Products S42C163132JP 0,1518
RFQ
ECAD 5504 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163132JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 1,3К Иолирована 8 - - 16 63 м
S41X043363JP CTS Resistor Products S41X043363JP 0,0198
RFQ
ECAD 2535 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043363JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 36K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083132FP CTS Resistor Products S41C083132FP 0,0653
RFQ
ECAD 6939 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083132FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,3К Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C043203FP CTS Resistor Products S42C043203FP 0,0693
RFQ
ECAD 3187 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043203FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 20K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41X043274GP CTS Resistor Products S41x043274GP 0,0240
RFQ
ECAD 4625 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043274GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 270K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083914GP CTS Resistor Products S41C083914GP 0,0560
RFQ
ECAD 2702 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083914GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 910K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X083151FP CTS Resistor Products S41X083151FP 0,0311
RFQ
ECAD 2103 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083151FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 150 Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C083123FP CTS Resistor Products S42C083123FP 0,0914
RFQ
ECAD 1697 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083123FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 12K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043300FP CTS Resistor Products S41x043300FP 0,0283
RFQ
ECAD 2170 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043300FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 30 Иолирована 2 - - 4 63 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе