SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
S42C163162JP CTS Resistor Products S42C163162JP 0,1518
RFQ
ECAD 5949 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163162JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 1,6K Иолирована 8 - - 16 63 м
S42C083361FP CTS Resistor Products S42C083361FP 0,0914
RFQ
ECAD 6532 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083361FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 360 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41C083274GP CTS Resistor Products S41C083274GP 0,0560
RFQ
ECAD 1542 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083274GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 270K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41X043273FP CTS Resistor Products S41X043273FP 0,0283
RFQ
ECAD 3790 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043273FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 27K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083243GP CTS Resistor Products S42X083243GP 0,0495
RFQ
ECAD 6916 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083243GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 24K Иолирована 4 - - 8 63 м
S42X083104JP CTS Resistor Products S42X083104JP 0,0412
RFQ
ECAD 5300 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083104JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 100 л.С. Иолирована 4 - - 8 63 м
S42X083470JP CTS Resistor Products S42X083470JP 0,0412
RFQ
ECAD 1798 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083470JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 47 Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043750GP CTS Resistor Products S42C043750GP 0,0600
RFQ
ECAD 9815 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043750GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 75 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C083333GP CTS Resistor Products S42C083333GP 0,0813
RFQ
ECAD 6963 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C08333333GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 33К Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043473GP CTS Resistor Products S41X043473GP 0,0240
RFQ
ECAD 9898 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043473GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 47K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083274GP CTS Resistor Products S42X083274GP 0,0495
RFQ
ECAD 8006 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083274GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 270K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043101FP CTS Resistor Products S41x043101FP 0,0283
RFQ
ECAD 2787 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Прохл ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043101FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 100 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083271JP CTS Resistor Products S42X083271JP 0,0412
RFQ
ECAD 8393 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083271JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 270 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41C083112FP CTS Resistor Products S41C083112FP 0,0653
RFQ
ECAD 7517 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083112FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,1 л.С. Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41C083130JP CTS Resistor Products S41C083130JP 0,0481
RFQ
ECAD 9630 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083130JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 13 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42X083822GP CTS Resistor Products S42X083822GP 0,0495
RFQ
ECAD 4706 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083822GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 8,2K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043302JP CTS Resistor Products S41X043302JP 0,0198
RFQ
ECAD 7785 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043302JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 3K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083620JP CTS Resistor Products S41C083620JP 0,0481
RFQ
ECAD 7142 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083620JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 62 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C043183FP CTS Resistor Products S42C043183FP 0,0693
RFQ
ECAD 9487 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043183FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 18к Иолирована 2 - - 4 63 м
S42X083911GP CTS Resistor Products S42X083911GP 0,0495
RFQ
ECAD 1281 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083911GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 910 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043202JP CTS Resistor Products S41X043202JP 0,0198
RFQ
ECAD 9231 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043202JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2K Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C083474FP CTS Resistor Products S42C083474FP 0,0914
RFQ
ECAD 5141 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083474FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 470K Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X043750JP CTS Resistor Products S41X043750JP 0,0198
RFQ
ECAD 8410 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043750JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 75 Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083132FP CTS Resistor Products S41C083132FP 0,0653
RFQ
ECAD 6939 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083132FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,3К Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41C083392FP CTS Resistor Products S41C083392FP 0,0653
RFQ
ECAD 9497 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083392FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 3.9k Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S42C043333FP CTS Resistor Products S42C04333333FP 0,0693
RFQ
ECAD 9886 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C04333333FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 33К Иолирована 2 - - 4 63 м
767161222GPTR13 CTS Resistor Products 76716122222GPTR13 1.1899
RFQ
ECAD 6771 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 2.2K Авторс 15 - - 16 100 м
766141203JP CTS Resistor Products 766141203jp -
RFQ
ECAD 2816 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS - Трубка Управо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 60-766141203JP Ear99 8533.21.0020 56
77081151P CTS Resistor Products 77081151P 0,6179
RFQ
ECAD 7785 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,800 "L x 0,098" W (20,32 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 8-sip ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-81-R150p Ear99 8533.21.0050 1000 150 Авторс 7 - - 8 100 м
766143511GP CTS Resistor Products 766143511GP 1.2910
RFQ
ECAD 2658 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,341 "L x 0,154" W (8,65 мм х 390 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 766-143-R510P Ear99 8533.21.0010 56 510 Иолирована 7 - - 14 160 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе