SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
RMK33N20KDB Vishay Sfernice RMK33N20KDB 16.9802
RFQ
 ECAD 2571 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) 716-RMK33N20KDB Ear99 8533.21.0020 100
EXB-V8VR000V Panasonic Electronic Components Exb-v8vr000v 0,2500
RFQ
 ECAD 137 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Lenta и катахка (tr) Актифен Д -мпр -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ Exb-v8 - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 0,0 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
4304M-101-222 Bourns Inc. 4304M-101-222 0,6696
RFQ
 ECAD 3288 0,00000000 Bourns Inc. 4300 м Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,384 "L x 0,085" W (9,75 мм x 2,16 мм) 0,250 "(6,35 мм) Чereз dыru 4-sip 4304 м ± 100 мклд/млн/° С. 4-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 250 2.2K Авторс 3 - 50pm/° C. 4 250 м
MC4-5003JE Ohmite MC4-5003JE 4.8500
RFQ
 ECAD 78 0,00000000 Омит MC4 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 180 ° C. - 0,750 "L x 0,750" W (19,05 мм x 19,05 мм) 0,030 "(0,76 мм) Пефер 8-SMD ± 50 мклд/млн/° С. 8-SMD DIP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 25 500K Иолирована 4 - - 8 750 м
4308R-102-510 Bourns Inc. 4308R-102-510 0,7443
RFQ
 ECAD 2513 0,00000000 Bourns Inc. 4300R Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,784 "L x 0,085" W (19,91 мм x 2,16 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 8-sip 4308r ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 25 51 Иолирована 4 - 50pm/° C. 8 300 м
DFNA4991CT1 Vishay Dale Thin Film DFNA4991CT1 1.6226
RFQ
 ECAD 1788 0,00000000 Врожден DFN Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,25% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,157 "L x 0,157" W (4,00 мм х 4,00 мм) 0,037 "(0,95 мм) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN ± 25plm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 1000 4.99K Иолирована 4 ± 0,025% ± 3PPM/° C. 8 50 м
Y1485V0259AT9L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1485V0259AT9L 30.7496
RFQ
 ECAD 5773 0,00000000 Фолгарэ -Ритер DSM МАССА Актифен ± 0,05% -65 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,160 "L x 0,106" W (4,06 мм x 2,69 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 1610 j-lead (3 tyrminala) ± 2PPM/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 25 4K, 10K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,01% ± 0,5 мклд/° C. 2 50 м
YC164-JR-07120RL YAGEO YC164-JR-07120RL 0,1000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Я YC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. YC164-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 120 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
CRB3A4E473JT KYOCERA AVX CRB3A4E473JT -
RFQ
 ECAD 5618 0,00000000 Kyocera avx CRB, Kyocera Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 250ppm/° C. 1206 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 47K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
RF064PJ131CS Samsung Electro-Mechanics RF064PJ131CS 0,0776
RFQ
 ECAD 4527 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rf Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,055 "L x 0,024" W (1,40 мм х 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0502 (1406 МЕТРИКА), ДЕЛИНННЕГО БОЛЬКА ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 130 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
4608X-101-202 Bourns Inc. 4608x-101-202 -
RFQ
 ECAD 2312 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Управо ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,798 "L x 0,098" W (20,27 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 8-sip 4608x ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH 4608x-1-202 Ear99 8533.21.0050 200 2K Авторс 7 - - 8 200 м
MNR35J5RJ202 Rohm Semiconductor MNR35J5RJ202 -
RFQ
 ECAD 4961 0,00000000 ROHM Semiconductor Мн Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,252 "L x 0,122" W (6,40 мм x 3,10 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 2512 (6432 МЕТРИКА), В.Пуклх, Дюннан. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 2K Авторс 8 - - 10 62,5 м
AF164-FR-0734RL YAGEO AF164-FR-0734RL 0,0676
RFQ
 ECAD 6667 0,00000000 Я AF164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 34 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC158TJR-07390KL YAGEO YC158TJR-07390KL 0,0160
RFQ
 ECAD 2815 0,00000000 Я YC158 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. YC158TJR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 390K Авторс 8 - - 10 62,5 м
742C0433322FP CTS Resistor Products 742C043332222FP 0,0487
RFQ
 ECAD 6885 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 742 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояйн А.Е. 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 0606, vvognuetый 742C043 ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 33,2K Иолирована 2 - - 4 63 м
S41C083391JP CTS Resistor Products S41C083391JP 0,0481
RFQ
 ECAD 9346 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083391JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 390 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
MPMT1001BT1 Vishay Dale Thin Film MPMT1001BT1 1.7556
RFQ
 ECAD 6080 0,00000000 Врожден Мпс Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,113 "L x 0,051" W (2,86 мм x 1,30 мм) 0,044 "(1,12 мм) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ± 25plm/° C. SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 1000 500, 500 RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,1% ± 2PPM/° C. 3 100 м
4310R-102-332LF Bourns Inc. 4310R-102-332LF 0,8602
RFQ
 ECAD 2726 0,00000000 Bourns Inc. 4300R Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,984 "L x 0,085" W (24,99 мм x 2,16 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip 4310R ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 20 3,3К Иолирована 5 - 50pm/° C. 10 300 м
RPS164PJ163CS Samsung Electro-Mechanics RPS164PJ163CS -
RFQ
 ECAD 7663 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rps Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,61 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 5000 16k Иолирована 4 - - 8 62,5 м
AF164-JR-073K3L YAGEO AF164-JR-073K3L 0,0288
RFQ
 ECAD 6529 0,00000000 Я А -ффина Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 5000 3,3К Иолирована 4 - - 8 63 м
AF122-FR-0718KL YAGEO AF122-FR-0718KL 0,0562
RFQ
 ECAD 8164 0,00000000 Я AF122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 18к Иолирована 2 - - 4 62,5 м
768203270GPTR13 CTS Resistor Products 768203270GPTR13 1.2041
RFQ
 ECAD 5116 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,540 "L x 0,220" W (13,70 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 20 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 27 Иолирована 10 - - 20 200 м
4606X-101-470 Bourns Inc. 4606x-101-470 -
RFQ
 ECAD 3337 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Управо ± 1OM -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,598 "L x 0,098" W (15,19 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 6-sip 4606x ± 250ppm/° C. 6-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH 4606x-1-470 Ear99 8533.21.0050 100 47 Авторс 5 - - 6 200 м
4310R-104-391/561L Bourns Inc. 4310R-104-391/561L 0,8499
RFQ
 ECAD 3309 0,00000000 Bourns Inc. 4300R Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,984 "L x 0,085" W (24,99 мм x 2,16 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip 4310R ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 20 390, 560 Дво 16 - 50pm/° C. 10 200 м
AF164-FR-07249RL YAGEO AF164-FR-07249RL 0,0643
RFQ
 ECAD 7453 0,00000000 Я AF164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 249 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC324-JK-0730RL YAGEO YC324-JK-0730RL 0,0585
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 Я YC324 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,200 "L x 0,126" w (5,08 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы YC324-JK ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 30 Иолирована 4 - - 8 125 м
TC164-JR-0775KL YAGEO TC164-JR-0775KL 0,0153
RFQ
 ECAD 8937 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 75K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
768163821GPTR13 CTS Resistor Products 768163821GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 5815 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 820 Иолирована 8 - - 16 200 м
RT2205B CTS Resistor Products RT2205B -
RFQ
 ECAD 2079 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ МАССА Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Компактен PCI® 0,630 "L x 0,157" W (16,00 мм x 4,00 мм) 0,053 "(1,34 мм) Пефер 64-lbga ± 200 мклд/° C. 64-BGA (16x4) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 1 50 Дво 32 - - 64 50 м
S41X043621GP CTS Resistor Products S41x043621GP 0,0240
RFQ
 ECAD 8070 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043621GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 620 Иолирована 2 - - 4 63 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть