SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
CRA06P04320R0JTA Vishay Dale CRA06P04320R0JTA -
RFQ
 ECAD 6419 0,00000000 Виал CRA06 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 5000 20 Иолирована 2 - - 4 62,5 м
YC124-FR-07100KL YAGEO YC124-FR-07100KL 0,3500
RFQ
 ECAD 2565 0,00000000 Я YC124 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. YC124-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 100 л.С. Иолирована 4 - - 8 62,5 м
CRA12E0839K10JTR Vishay Dale CRA12E0839K10JTR -
RFQ
 ECAD 1439 0,00000000 Виал CRA12 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,200 "L x 0,120" W (5,08 MM х 3,05 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 2000 9,1K Иолирована 4 - - 8 125 м
4610H-101-681LF Bourns Inc. 4610H-101-681LF 0,2426
RFQ
 ECAD 6721 0,00000000 Bourns Inc. 4600 ч МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,998 "L x 0,098" W (25,35 мм x 2,49 мм) 0,350 "(8,89 мм) Чereз dыru 10-sip 4610h ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 500 680 Авторс 9 - 50pm/° C. 10 300 м
MNR12E0ABJ101 Rohm Semiconductor MNR12E0ABJ101 -
RFQ
 ECAD 7079 0,00000000 ROHM Semiconductor Мн Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 0606, В.Пуркл ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 100 Иолирована 2 - - 4 62,5 м
TA33-12KK18KB Vishay Sfernice TA33-12KK18KB 11.5219
RFQ
 ECAD 8721 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-TA33-12KK18KB Ear99 8533.21.0020 100
YC248-JR-0756RL YAGEO YC248-JR-0756RL 0,2800
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Я YC248 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,157 "L x 0,063" W (4,00 мм x 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1606, В.Пуклый, Дюннано -баронный YC248-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 56 Иолирована 8 - - 16 62,5 м
767141510GPTR13 CTS Resistor Products 767141510GPTR13 1.1757
RFQ
 ECAD 4941 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 51 Авторс 13 - - 14 100 м
AF122-FR-07280KL YAGEO AF122-FR-07280KL 0,0562
RFQ
 ECAD 7757 0,00000000 Я AF122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 280K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
MC4-1007KE Ohmite MC4-1007KE 6.8100
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Омит MC4 МАССА Актифен ± 10% -55 ° C ~ 180 ° C. - 0,750 "L x 0,750" W (19,05 мм x 19,05 мм) 0,030 "(0,76 мм) Пефер 8-SMD ± 100 мклд/млн/° С. 8-SMD DIP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 25 1G Иолирована 4 - - 8 750 м
EXB-H8E104J Panasonic Electronic Components Exb-H8E104J -
RFQ
 ECAD 2316 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Веса Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,429 "L x 0,087" W (10,89 мм x 2,20 мм) 0,106 "(2,69 мм) Пефер 8-sip Exb-H8 ± 200 мклд/° C. 8-sip - 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 3000 100 л.С. Авторс 7 - - 8 62,5 м
WA04X000PTL Walsin Technology Corporation WA04X000PTL -
RFQ
 ECAD 8658 0,00000000 Walsin Technology Corporation ШТат Lenta и катахка (tr) Актифен Д -мпр -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. - 0804 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 4639-wa04x000ptltr Ear99 1 0,0 Иолирована 4 - - 8 63 м
766161220GP CTS Resistor Products 766161220GP 1.2910
RFQ
 ECAD 3303 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,154" W (9,90 мм x 3,90 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 766-161-R22P Ear99 8533.21.0010 49 22 Авторс 15 - - 16 80 м
Y1522V0191VV0U VPG Foil Resistors Y1522V0191VV0U 68.4076
RFQ
 ECAD 5822 0,00000000 VPG FOIL -RESHTORы SMNH Трубка Актифен ± 0,005% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,520 "L x 0,295" W (13,21 мм x 7,49 мм) 0,180 "(4,57 мм) Пефер 8-SMD, крхло ± 2PPM/° C. - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0010 25 1K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 4 ± 0,005% ± 0,5 мклд/° C. 8 100 м
4814P-2-391 Bourns Inc. 4814P-2-391 0,5436
RFQ
 ECAD 3730 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) 4814p ± 100 мклд/млн/° С. 14-Som СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 390 Авторс 13 - - 14 80 м
CRA12E083180KJTR Vishay Dale CRA12E083180KJTR -
RFQ
 ECAD 2585 0,00000000 Виал CRA12 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,200 "L x 0,120" W (5,08 MM х 3,05 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 2000 180K Иолирована 4 - - 8 125 м
S42C043273JP CTS Resistor Products S42C043273JP 0,0508
RFQ
 ECAD 5754 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043273JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 27K Иолирована 2 - - 4 63 м
TC124-FR-074K32L YAGEO TC124-FR-074K32L 0,0297
RFQ
 ECAD 9658 0,00000000 Я TC124 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,020 "(0,50 мм) Пефер 0804. TC124-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 4.32K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
EXB-E10C822J Panasonic Electronic Components Exb-e10c822j 0,5200
RFQ
 ECAD 3000 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,157 "L x 0,083" W (4,00 мм x 2,10 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 1608 г. Exb-e10 ± 200 мклд/° C. 1608 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 8,2K Авторс 8 - - 10 62,5 м
YC122-FR-071K33L YAGEO YC122-FR-071K33L 0,0105
RFQ
 ECAD 8269 0,00000000 Я YC122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый YC122-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 1,33K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
S40X043821JP CTS Resistor Products S40X043821JP 0,0901
RFQ
 ECAD 2744 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043821JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 820 Иолирована 2 - - 4 31 м
MNR04M0APJ120 Rohm Semiconductor MNR04M0APJ120 -
RFQ
 ECAD 1163 0,00000000 ROHM Semiconductor Мн Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 12 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
4605X-101-153LF Bourns Inc. 4605x-101-153LF 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,498 "L x 0,098" W (12,65 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 5-sip 4605x ± 100 мклд/млн/° С. 5-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2266-4605x-101-153LF Ear99 8533.21.0050 200 15k Авторс 4 - - 5 200 м
Y1691V0001AT9L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1691V0001AT9L 60.3188
RFQ
 ECAD 9263 0,00000000 Фолгарэ -Ритер 300144Z МАССА Актифен ± 0,05% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,295 "L x 0,100" W (7,49 мм х 2,54 мм) 0,320 "(8,13 мм) Чereз dыru Radialnы - 3 Свина ± 0,2 мклд/° C. - СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8533.21.0050 25 10K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,01% ± 0,1 мклд/° C. 3 100 м
VSSR2401472JUF Vishay Dale Thin Film VSSR2401472JUF 1.1332
RFQ
 ECAD 1108 0,00000000 Врожден VSSR Трубка Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,341 "L x 0,154" W (8,66 мм х 3,91 мм) 0,069 "(1,76 мм) Пефер 24-СССОП (0,154 ", Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. 24-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSSR24-4,7K-JB Ear99 8533.21.0010 55 4,7K Авторс 23 - - 24 100 м
YC122-JR-07270RL YAGEO YC122-JR-07270RL 0,0056
RFQ
 ECAD 8337 0,00000000 Я YC122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый YC122-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 270 Иолирована 2 - - 4 62,5 м
S42C083200JP CTS Resistor Products S42C083200JP 0,0680
RFQ
 ECAD 1779 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083200JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 20 Иолирована 4 - - 8 63 м
PRA100I4-300RBBNT Vishay Sfernice PRA100I4-300RBBNT 10.1476
RFQ
 ECAD 9207 0,00000000 Виал * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-PRA100I4-300RBBNTTR Ear99 8533.21.0020 100
SOMC1603330RGEA Vishay Dale SOMC1603330RGEA 3.1400
RFQ
 ECAD 897 0,00000000 Виал СОМ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,090 "(2,29 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0010 2000 330 Иолирована 8 - - 16 160 м
4814P-2-471LF Bourns Inc. 4814P-2-471LF 0,5436
RFQ
 ECAD 2944 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) 4814p ± 100 мклд/млн/° С. 14-Som СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 470 Авторс 13 - - 14 80 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть