SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
AF164-FR-0713RL YAGEO AF164-FR-0713RL 0,0643
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 Я AF164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 13 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
TC124-FR-0729R4L YAGEO TC124-FR-0729R4L 0,0297
RFQ
 ECAD 4919 0,00000000 Я TC124 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,020 "(0,50 мм) Пефер 0804. TC124-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 29,4 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
4604X-101-102LF Bourns Inc. 4604X-101-102LF 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,398 "L x 0,098" W (10,11 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 4-sip 4604x ± 100 мклд/млн/° С. 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4604x101102LF Ear99 8533.21.0010 1000 1K Авторс 3 - - 4 200 м
CRA06S083430RJTA Vishay Dale CRA06S083430RJTA 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Виал CRA06 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,126 "L x 0,059" W (3,20 мм x 1,50 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 5000 430 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
S42C083110FP CTS Resistor Products S42C083110FP 0,0914
RFQ
 ECAD 4671 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083110FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 11 Иолирована 4 - - 8 63 м
YC248-JR-07200RL YAGEO YC248-JR-07200RL 0,0320
RFQ
 ECAD 4894 0,00000000 Я YC248 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,157 "L x 0,063" W (4,00 мм x 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1606, В.Пуклый, Дюннано -баронный YC248-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 200 Иолирована 8 - - 16 62,5 м
ORNTV50011002T0 Vishay Dale Thin Film Orntv50011002t0 2.9400
RFQ
 ECAD 5935 0,00000000 Врожден Ор Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,194 "L x 0,157" W (4,93 мм x 3,99 мм) 0,068 "(1,73 мм) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ± 25plm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 100 5K, 10K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 5 ± 0,05% ± 5 aSteй na -чaS/° C. 8 100 м
RT1415B7TR13 CTS Resistor Products RT1415B7TR13 -
RFQ
 ECAD 5320 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. PCI, PCIX 0,157 "L x 0,118" W (4,00 мм х 3,00 мм) 0,053 "(1,34 мм) Пефер 12-LBGA ± 200 мклд/° C. 12-BGA (4x3) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 4,7K Дво 8 - - 12 50 м
CRA04S043820KJTD Vishay Dale CRA04S043820KJTD -
RFQ
 ECAD 6440 0,00000000 Виал CRA04 Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 10000 820K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
4611X-101-152LF Bourns Inc. 4611x-101-152LF 0,1174
RFQ
 ECAD 8680 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 1 098 "L x 0,098" W (27,89 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 11-sip 4611x ± 100 мклд/млн/° С. 11-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 500 1,5 л.С. Авторс 10 - - 11 200 м
RSK33N10KF10K0016 Vishay Sfernice RSK33N10KF10K0016 9.2645
RFQ
 ECAD 9181 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-RSK33N10KF10K0016 Ear99 8533.21.0020 100
EXB-28N200JX Panasonic Electronic Components EXB-28N200JX 0,0114
RFQ
 ECAD 2728 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 - Ear99 8533.21.0020 10000 20 Иолирована 4 - - 8 63 м
MNR34J5ABJ391 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ391 -
RFQ
 ECAD 8405 0,00000000 ROHM Semiconductor Мн Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,205 "L x 0,122" W (5,20 мм x 3,10 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 390 Иолирована 4 - - 8 125 м
S42C163514GP CTS Resistor Products S42C163514GP 0,1813
RFQ
 ECAD 4328 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163514GPTR Ear99 8533.21.0020 4000 510K Иолирована 8 - - 16 63 м
RT1250B CTS Resistor Products RT1250B -
RFQ
 ECAD 8136 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS Clearone ™ МАССА Управо ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Lvpecl 0,400 "L x 0,150" W (10,16 мм х 3,81 мм) 0,058 "(1,47 мм) Пефер 24-lbga ± 200 мклд/° C. 24-BGA (10,16x3,81) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 82,5, 127 Дво 16 - - 24 96 м
4606X-102-561 Bourns Inc. 4606x-102-561 -
RFQ
 ECAD 5584 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Управо ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,598 "L x 0,098" W (15,19 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 6-sip 4606x ± 100 мклд/млн/° С. 6-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH 4606x-2-561 Ear99 8533.21.0050 100 560 Иолирована 3 - - 6 300 м
YC248-FR-0737R4L YAGEO YC248-FR-0737R4L 0,0663
RFQ
 ECAD 4755 0,00000000 Я YC248 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,157 "L x 0,063" W (4,00 мм x 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1606, В.Пуклый, Дюннано -баронный YC248-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 37.4 Иолирована 8 - - 16 62,5 м
TC164-FR-0746R4L YAGEO TC164-FR-0746R4L 0,0163
RFQ
 ECAD 2802 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 46.4 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
4610M-101-223LF Bourns Inc. 4610M-101-223LF 0,1881
RFQ
 ECAD 2819 0,00000000 Bourns Inc. 4600 м МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,998 "L x 0,098" W (25,35 мм x 2,49 мм) 0,250 "(6,35 мм) Чereз dыru 10-sip 4610M ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 500 22K Авторс 9 - 50pm/° C. 10 250 м
RF064PJ303CS Samsung Electro-Mechanics RF064PJ303CS 0,0776
RFQ
 ECAD 7136 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rf Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,055 "L x 0,024" W (1,40 мм х 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0502 (1406 МЕТРИКА), ДЕЛИНННЕГО БОЛЬКА ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 30 л.С. Иолирована 4 - - 8 31,25 м
CN34J270CT Cal-Chip Electronics, Inc. CN34J270CT 0,0100
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. CN Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 27 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC324-FK-07113KL YAGEO YC324-FK-07113KL 0,0697
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 Я YC324 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,200 "L x 0,126" w (5,08 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы YC324-FK ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 113 Иолирована 4 - - 8 125 м
MSP06A0122K0GEJ Vishay Dale MSP06A0122K0GEJ 2.9997
RFQ
 ECAD 2067 0,00000000 Виал Мкс Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,590 "L x 0,090" W (14,99 мм x 2,29 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 6-sip ± 100 мклд/млн/° С. 6-sip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0050 38 22K Авторс 5 - ± 50 мклд/млн/° С. 6 200 м
768165121APTR13 CTS Resistor Products 768165121APTR13 1.6110
RFQ
 ECAD 5553 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 180, 390 Дво 28 - - 16 100 м
CAY16-101J4LF Bourns Inc. CAY16-101J4LF 0,1000
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Bourns Inc. Cay16 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. Cay16 ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 100 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
767161201GPTR13 CTS Resistor Products 767161201GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 9340 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 200 Авторс 15 - - 16 100 м
MPMT10016001FT1 Vishay Dale Thin Film MPMT10016001FT1 1.9418
RFQ
 ECAD 5486 0,00000000 Врожден Мпс Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,113 "L x 0,051" W (2,86 мм x 1,30 мм) 0,044 "(1,12 мм) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ± 25plm/° C. SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 1000 1K, 6K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,5% ± 2PPM/° C. 3 100 м
MNR04MRAPJ750 Rohm Semiconductor MNR04MRAPJ750 -
RFQ
 ECAD 7288 0,00000000 ROHM Semiconductor Мн Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,020 "(0,50 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 75 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
RACF408MJT47R0 Stackpole Electronics Inc RACF408MJT47R0 -
RFQ
 ECAD 8617 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Racf Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,157 "L x 0,083" W (4,00 мм x 2,10 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1608 г. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 47 Авторс 8 - - 10 62,5 м
RAVF164DFT51R0 Stackpole Electronics Inc RAVF164DFT51R0 0,0150
RFQ
 ECAD 6031 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Р Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 51 Иолирована 4 - - 8 100 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть