SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
YC324-FK-0730RL YAGEO YC324-FK-0730RL 0,0697
RFQ
 ECAD 7954 0,00000000 Я YC324 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,200 "L x 0,126" w (5,08 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы YC324-FK ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 30 Иолирована 4 - - 8 125 м
YC164-FR-07182RL YAGEO YC164-FR-07182RL 0,0166
RFQ
 ECAD 8709 0,00000000 Я YC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. YC164-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 182 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC124-JR-071R5L YAGEO YC124-JR-071R5L 0,0185
RFQ
 ECAD 5429 0,00000000 Я YC124 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. YC124-JR ± 250ppm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 1.5 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
Y1485V0003AT9W Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1485V0003AT9W 32.1680
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Фолгарэ -Ритер DSM Поднос Актифен ± 0,05% -65 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,160 "L x 0,106" W (4,06 мм x 2,69 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 1610 j-lead (3 tyrminala) ± 2PPM/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 25 1K, 9K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,01% ± 0,5 мклд/° C. 3 50 м
4814P-2-183 Bourns Inc. 4814P-2-183 0,5436
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) 4814p ± 100 мклд/млн/° С. 14-Som СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 18к Авторс 13 - - 14 80 м
S42X083560GP CTS Resistor Products S42X083560GP 0,0495
RFQ
 ECAD 3292 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083560GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 56 Иолирована 4 - - 8 63 м
4116T-1-1002DBB Bourns Inc. 4116T-1-1002DBB -
RFQ
 ECAD 9840 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо - Rohs Neprigodnnый 118-4116T-1-1002DBB Управо 1
4816P-T01-104LF Bourns Inc. 4816P-T01-104LF 1.5700
RFQ
 ECAD 208 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) 4816p ± 100 мклд/млн/° С. 16-Som СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 4816pt01104lf Ear99 8533.21.0010 50 100 л.С. Иолирована 8 - - 16 160 м
4116R-1-271LF Bourns Inc. 4116R-1-271LF 2.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Bourns Inc. 4100R Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,865 "L x 0,300" W (21,97 мм x 7,62 мм) 0,185 "(4,69 мм) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4116r ± 100 мклд/млн/° С. 16-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4116R1271LF Ear99 8533.21.0060 25 270 Иолирована 8 - 50pm/° C. 16 250 м
TC164-JR-0782KL YAGEO TC164-JR-0782KL 0,1300
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 82К Иолирована 4 - - 8 62,5 м
4304M-101-472LF Bourns Inc. 4304M-101-472LF 0,6696
RFQ
 ECAD 1625 0,00000000 Bourns Inc. 4300 м Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,384 "L x 0,085" W (9,75 мм x 2,16 мм) 0,250 "(6,35 мм) Чereз dыru 4-sip 4304 м ± 100 мклд/млн/° С. 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 250 4,7K Авторс 3 - 50pm/° C. 4 250 м
4114R-1-681LF Bourns Inc. 4114R-1-681LF 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Bourns Inc. 4100R Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,765 "L x 0,300" W (19,43 мм x 7,62 мм) 0,185 "(4,69 мм) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 4114r ± 100 мклд/млн/° С. 14-Dip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0060 25 680 Иолирована 7 - 50pm/° C. 14 250 м
767143510G CTS Resistor Products 767143510G -
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Трубка Управо ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 48 51 Иолирована 7 - - 14 200 м
WA04X623JTL Walsin Technology Corporation WA04X623JTL -
RFQ
 ECAD 5253 0,00000000 Walsin Technology Corporation Waxxx Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 4639-wa04x623jtltr Ear99 1 62К Иолирована 4 - - 8 63 м
RM2012B-103/103-NWXL10 Susumu RM2012B-103/103-NWXL10 2.1280
RFQ
 ECAD 7565 0,00000000 Grysumy Rm Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,05% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА). ± 10ppm/° C. 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 1000 10K Иолирована 2 - - 4 50 м
742C163271JP CTS Resistor Products 742C163271JP 0,0970
RFQ
 ECAD 8478 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 742 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы 742C163 ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 270 Иолирована 8 - - 16 63 м
VSOR1603103JTF Vishay Dale Thin Film VSOR1603103JTF 2.5400
RFQ
 ECAD 381 0,00000000 Врожден VSOR Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,152" W (9,91 мм x 3,86 мм) 0,069 "(1,76 мм) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 764-VSOR1603103JTFTR Ear99 8533.21.0020 2500 10K Иолирована 8 - - 16 100 м
S41X083274GP CTS Resistor Products S41x083274GP 0,0269
RFQ
 ECAD 1428 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083274GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 270K Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C083274FP CTS Resistor Products S42C083274FP 0,0914
RFQ
 ECAD 5639 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083274FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 270K Иолирована 4 - - 8 63 м
MDP160327K0GE04 Vishay Dale MDP160327K0GE04 5.2722
RFQ
 ECAD 6810 0,00000000 Виал MDP Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,850 "L x 0,250" W (21,59 мм x 6,35 мм) 0,155 "(3,94 мм) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ± 100 мклд/млн/° С. 16-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0060 25 27K Иолирована 8 - - 16 250 м
AF122-FR-0730RL YAGEO AF122-FR-0730RL 0,0562
RFQ
 ECAD 7190 0,00000000 Я AF122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 30 Иолирована 2 - - 4 62,5 м
S41X083132JP CTS Resistor Products S41X083132JP 0,0226
RFQ
 ECAD 6348 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083132JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,3К Иолирована 4 - - 8 31 м
753161151GP CTS Resistor Products 753161151GP 2.0794
RFQ
 ECAD 9379 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 753 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,245 "L x 0,080" W (6,22 мм х 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 16-DRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 250 150 Авторс 14 - - 16 40 м
Y4485V0488QT0W Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y4485V0488QT0W 38.1256
RFQ
 ECAD 1694 0,00000000 Фолгарэ -Ритер DSMZ Поднос Актифен ± 0,02% -65 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,160 "L x 0,106" W (4,06 мм x 2,69 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 1610 j-lead (3 tyrminala) ± 0,2 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 25 4.2857K, 10K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,01% ± 0,1 мклд/° C. 3 50 м
RM064PJ562CS Samsung Electro-Mechanics RM064PJ562CS 0,0840
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rm Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,055 "L x 0,024" W (1,40 мм х 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0502 (1406 МЕТРИКА), ДЕЛИНННЕГО БОЛЬКА ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 5,6K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
766143203GPTR7 CTS Resistor Products 766143203GPTR7 1.2910
RFQ
 ECAD 4620 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,341 "L x 0,154" W (8,65 мм х 390 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 800 20K Иолирована 7 - - 14 160 м
CAY10-201J4LF Bourns Inc. CAY10-201J4LF 0,0089
RFQ
 ECAD 6673 0,00000000 Bourns Inc. Cay10 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. Cay10 ± 250ppm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.10.0057 10000 200 Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC358LJK-07180KL YAGEO YC358LJK-07180KL 0,0638
RFQ
 ECAD 2124 0,00000000 Я YC358 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,252 "L x 0,126" W (6,40 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2512 (6432 МЕТРИКА), В.Пуклх, Дюннан. YC358LJK ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 180K Авторс 8 - - 10 62,5 м
4608X-102-510LF Bourns Inc. 4608x-102-510LF 0,5900
RFQ
 ECAD 757 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,798 "L x 0,098" W (20,27 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 8-sip 4608x ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 4608x102510LF Ear99 8533.21.0050 200 51 Иолирована 4 - - 8 300 м
CSC10A015K60GPA Vishay Dale CSC10A015K60GPA 2.0164
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Виал CSC МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,990 "L x 0,098" W (25,15 мм x 2,49 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0050 1000 5,6K Авторс 9 - ± 50 мклд/млн/° C. 10 200 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть