SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee В.С.С. - Синяя (МАКСИМУМА) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
TC164-JR-07560KL YAGEO TC164-JR-07560KL 0,0153
RFQ
 ECAD 6006 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 560K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
TC164-JR-07680KL YAGEO TC164-JR-07680KL 0,1300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-JR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 680K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
CN34J434CT Cal-Chip Electronics, Inc. CN34J434CT 0,0100
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 Cal-Chip Electronics, Inc. CN Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 430K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
RK102PJ510CS Samsung Electro-Mechanics RK102PJ510CS 0,0118
RFQ
 ECAD 8947 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rk Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,018 "(0,46 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 10000 51 Иолирована 2 - - 4 62,5 м
RAVF164DJT100R Stackpole Electronics Inc RAVF164DJT100R 0,1000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Р Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 100 Иолирована 4 - - 8 100 м
RM062PJ101CS Samsung Electro-Mechanics RM062PJ101CS 0,0700
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rm Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,031 "L x 0,024" W (0,80 мм x 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), ДЕЛИННЕГЕ ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 100 Иолирована 2 - - 4 31,25 м
Y0076V0121BA0L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y0076V0121BA0L 52.1440
RFQ
 ECAD 4806 0,00000000 Фолгарэ -Ритер VHD144 МАССА Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,398 "L x 0,185" W (10,11 мм x 4,70 мм) 0,525 "(13,33 мм) Чereз dыru Radialnы - 3 Свина ± 2PPM/° C. - СКАХАТА Rohs Neprigodnnый Ear99 8533.21.0050 25 1K, 2K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,05% ± 0,1 мклд/° C. 3 100 м
YC122-FR-071KL YAGEO YC122-FR-071KL 0,0105
RFQ
 ECAD 9138 0,00000000 Я YC122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый YC122-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 1K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
752091822GPTR13 CTS Resistor Products 752091822GPTR13 1.2166
RFQ
 ECAD 2215 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 752 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,515 "L x 0,080" W (13,08 мм х 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 9-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 3000 8,2K Авторс 8 - - 9 80 м
PRA135I2-500KBLNT Vishay Sfernice PRA135I2-500KBLNT 11.2793
RFQ
 ECAD 6491 0,00000000 Виал * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-PRA135I2-500KBLNTTR Ear99 8533.21.0020 100
AF122-FR-077K5L YAGEO AF122-FR-077K5L 0,0562
RFQ
 ECAD 8024 0,00000000 Я AF122 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 7,5K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
EXB-U24620JX Panasonic Electronic Components Exb-u24620jx 0,0145
RFQ
 ECAD 8627 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Exb-u24 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 62 Иолирована 2 - - 4 63 м
4816P-1-223 Bourns Inc. 4816P-1-223 0,5698
RFQ
 ECAD 5135 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. 16-Som СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 118-4816P-1-223TR Ear99 8533.21.0020 2000 22K Иолирована 8 - 50pm/° C. 16 160 м
S40X043241JP CTS Resistor Products S40X043241JP 0,0901
RFQ
 ECAD 8758 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043241JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 240 Иолирована 2 - - 4 31 м
TAS366BP Vishay Sfernice TAS366BP 35 9309
RFQ
 ECAD 8771 0,00000000 Виал * МАССА Актифен - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 716-TAS366BP Ear99 8533.21.0050 100
Y1714V0220BB0L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1714V0220BB0L 108.3264
RFQ
 ECAD 4513 0,00000000 Фолгарэ -Ритер 300193Z МАССА Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,820 "L x 0,160" W (20,83 мм x 4,06 мм) 0,413 "(10,49 мм) Чereз dыru Radialgne - 5 -йли ± 0,2 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Ear99 8533.21.0060 25 10,5K, 50K, 100K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 3 ± 0,005% ± 0,1 мклд/° C. 5 300 м
TC164-FR-07360KL YAGEO TC164-FR-07360KL 0,0163
RFQ
 ECAD 5494 0,00000000 Я TC164 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ TC164-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 360K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
YC248-FR-07536KL YAGEO YC248-FR-07536KL 0,0663
RFQ
 ECAD 8739 0,00000000 Я YC248 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,157 "L x 0,063" W (4,00 мм x 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1606, В.Пуклый, Дюннано -баронный YC248-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 536K Иолирована 8 - - 16 62,5 м
TAS219BW Vishay Sfernice TAS219BW 39 6478
RFQ
 ECAD 5092 0,00000000 Виал * МАССА Актифен - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 716-TAS219BW Ear99 8533.21.0050 100
4816P-2-683 Bourns Inc. 4816P-2-683 0,5698
RFQ
 ECAD 3756 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. 16-Som СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 118-4816P-2-683TR Ear99 8533.21.0020 2000 68к Авторс 15 - 50pm/° C. 16 80 м
CAY16-4702F4LF Bourns Inc. Cay16-4702F4LF 0,1000
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Bourns Inc. Cay16 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. Cay16 ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 47K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
Y1691V0481VV9L Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group) Y1691V0481VV9L 84 4440
RFQ
 ECAD 8409 0,00000000 Фолгарэ -Ритер 300144Z МАССА Актифен ± 0,005% -55 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,295 "L x 0,100" W (7,49 мм х 2,54 мм) 0,330 "(8,38 мм) Чereз dыru Radialnы - 3 Свина ± 0,2 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Ear99 8533.21.0050 25 8 475K, 10,74K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,005% ± 0,1 мклд/° C. 3 100 м
767161472GPTR13 CTS Resistor Products 767161472GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 5970 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 4,7K Авторс 15 - - 16 100 м
RT1493B7TR13 CTS Resistor Products RT1493B7TR13 -
RFQ
 ECAD 8828 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS - Lenta и катахка (tr) Управо - - - - - - - - - - Rohs 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 4000 - - - - -
EXB-V8V913JV Panasonic Electronic Components Exb-v8v913jv 0,0258
RFQ
 ECAD 3275 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ Exb-v8 ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Exbv8v913jv Ear99 8533.21.0020 5000 91K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
RAVF104DJT2K40 Stackpole Electronics Inc Ravf104djt2k40 0,0066
RFQ
 ECAD 2103 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Р Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,020 "(0,50 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 10000 2.4K Иолирована 4 - - 8 62,5 м
S42C163150JP CTS Resistor Products S42C163150JP 0,1518
RFQ
 ECAD 2469 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163150JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 15 Иолирована 8 - - 16 63 м
YC162-FR-07422KL YAGEO YC162-FR-0742222KL 0,0168
RFQ
 ECAD 7006 0,00000000 Я YC162 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,020 "(0,50 мм) Пефер 0606, В.Пуркл YC162-FR ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 422K Иолирована 2 - - 4 62,5 м
YC122-FR-0760R4L YAGEO YC122-FR-0760R4L 0,0106
RFQ
 ECAD 2892 0,00000000 Я Yc. Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. DDRAM, SDRAM 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 13-IC122-FR-0760R4L Ear99 8533.21.0010 10000 60.4 Иолирована 2 - - 4 63 м
S42C043164FP CTS Resistor Products S42C043164FP 0,0693
RFQ
 ECAD 6727 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043164FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 160K Иолирована 2 - - 4 63 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть