SIC
close

SeTIRESTOROROWROW, MMASCIVы (38855)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
CAY16A-104J4LF Bourns Inc. CAY16A-104J4LF 0,1700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Bourns Inc. Cay16a-lf Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 100 л.С. Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043622FP CTS Resistor Products S42C043622FP 0,0693
RFQ
 ECAD 4032 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C04362222FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 6,2K Иолирована 2 - - 4 63 м
RAVF164DFT150R Stackpole Electronics Inc RAVF164DFT150R 0,0150
RFQ
 ECAD 9569 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Р Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 5000 150 Иолирована 4 - - 8 100 м
4609X-101-150LF Bourns Inc. 4609x-101-150LF 0,1030
RFQ
 ECAD 2507 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Актифен ± 1OM -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,898 "L x 0,098" W (22,81 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 9-sip 4609x ± 250ppm/° C. 9-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 1000 15 Авторс 8 - - 9 200 м
EXB-E10C391J Panasonic Electronic Components Exb-e10c391j 0,5200
RFQ
 ECAD 9142 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы Пост Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,157 "L x 0,083" W (4,00 мм x 2,10 мм) 0,026 "(0,65 мм) Пефер 1608 г. Exb-e10 ± 200 мклд/° C. 1608 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 390 Авторс 8 - - 10 62,5 м
RSK33N15KD27KB Vishay Sfernice RSK33N15KD27KB 11.0179
RFQ
 ECAD 1970 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-RSK33N15KD27KB Ear99 8533.21.0020 100
753121103GPTR13 CTS Resistor Products 753121103GPTR13 1.4863
RFQ
 ECAD 2775 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 753 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,345 "L x 0,080" W (8,76 мм х 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 12-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 3000 10K Авторс 11 - - 12 40 м
CAY16A-562J4AS Bourns Inc. CAY16A-562J4AS 0,0255
RFQ
 ECAD 2670 0,00000000 Bourns Inc. Cay16a-As Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. Cay16 ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 118-Cay16A-562J4Astr Ear99 8533.21.0020 5000 5,6K Иолирована 4 - - 8 63 м
RAVF324DJT2K00 Stackpole Electronics Inc RAVF324DJT2K00 0,0573
RFQ
 ECAD 2442 0,00000000 Stackpole Electronics Inc. Р МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,201 "L x 0,122" W (5,10 мм x 3,10 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы ± 200 мклд/° C. 2012 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 738-RAVF324DJT2K00 Ear99 8533.21.0020 4000 2K Иолирована 4 - - 8 125 м
4814P-3-102/102LF Bourns Inc. 4814P-3-102/102LF 0,7057
RFQ
 ECAD 3611 0,00000000 Bourns Inc. 4800p Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. Вернояжяя AEC-Q200 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,094 "(2,40 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) 4814p ± 100 мклд/млн/° С. 14-Som СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 1K Дво 24 - - 14 80 м
766143330GPTR13 CTS Resistor Products 766143330GPTR13 1.1757
RFQ
 ECAD 6276 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,341 "L x 0,154" W (8,65 мм х 390 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 3000 33 Иолирована 7 - - 14 160 м
S41C083272JP CTS Resistor Products S41C083272JP 0,0481
RFQ
 ECAD 5368 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083272JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2.7K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
768201562GP CTS Resistor Products 768201562GP 1.2277
RFQ
 ECAD 3116 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,540 "L x 0,220" W (13,70 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 20 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 35 5,6K Авторс 19 - - 20 100 м
WA04X822_JTL Walsin Technology Corporation WA04X822_JTL -
RFQ
 ECAD 5289 0,00000000 Walsin Technology Corporation ШТат Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. - 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 4639-wa04x822_jtltr Ear99 1 8,2K Иолирована 4 - - 8 63 м
Y1485V0052AT9R VPG Foil Resistors Y1485V0052AT9R 14.5875
RFQ
 ECAD 7916 0,00000000 VPG FOIL -RESHTORы DSM Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,05% -65 ° C ~ 125 ° C. Raзdeneee napryanemane (sovpadoet tcr) 0,160 "L x 0,106" W (4,06 мм x 2,69 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 1610 j-lead (3 tyrminala) ± 2PPM/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0020 1000 100, 10K RaзdeTeLeh hanprahenyavy 2 ± 0,01% ± 0,5 мклд/° C. 3 50 м
768141183GPTR13 CTS Resistor Products 768141183GPTR13 1.1899
RFQ
 ECAD 2105 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 768 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,220" W (9,91 мм x 5,59 мм) 0,071 "(1,80 мм) Пефер 14 SOIC (0,220 ", Иирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 2000 18к Авторс 13 - - 14 100 м
4310M-101-223 Bourns Inc. 4310M-101-223 -
RFQ
 ECAD 9834 0,00000000 Bourns Inc. 4300 м Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,984 "L x 0,085" W (24,99 мм x 2,16 мм) 0,250 "(6,35 мм) Чereз dыru 10-sip 4310M ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0060 250 22K Авторс 9 - 50pm/° C. 10 250 м
770103563P CTS Resistor Products 770103563p 0,6528
RFQ
 ECAD 6452 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 1000 "L x 0,098" W (25,40 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-103-R56KP Ear99 8533.21.0050 1000 56K Иолирована 5 - - 10 100 м
4310M-101-102LF Bourns Inc. 4310M-101-102LF 18500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Bourns Inc. 4300 м Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,984 "L x 0,085" W (24,99 мм x 2,16 мм) 0,250 "(6,35 мм) Чereз dыru 10-sip 4310M ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8533.21.0050 250 1K Авторс 9 - 50pm/° C. 10 250 м
4606X-102-394 Bourns Inc. 4606x-102-394 -
RFQ
 ECAD 4267 0,00000000 Bourns Inc. 4600x МАССА Управо ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,598 "L x 0,098" W (15,19 мм x 2,49 мм) 0,200 "(5,08 мм) Чereз dыru 6-sip 4606x ± 100 мклд/млн/° С. 6-sip СКАХАТА Rohs Neprigodnnый DOSTISH 4606x-2-394 Ear99 8533.21.0050 100 390K Иолирована 3 - - 6 300 м
CAT16-1912F4LF Bourns Inc. CAT16-1912F4LF 0,0213
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Bourns Inc. Cat16 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ Cat16 ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.10.0057 5000 19.1k Иолирована 4 - - 8 62,5 м
TA33-24K3F24K3D Vishay Sfernice TA33-24K3F24K3D 8.5271
RFQ
 ECAD 4756 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-TA33-24K3F24K3D Ear99 8533.21.0020 100
RF062PJ750CS Samsung Electro-Mechanics RF062PJ750CS 0,0646
RFQ
 ECAD 9979 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rf Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,031 "L x 0,024" W (0,80 мм x 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), ДЕЛИННЕГЕ ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 75 Иолирована 2 - - 4 31,25 м
YC324-JK-0791RL YAGEO YC324-JK-0791RL 0,0585
RFQ
 ECAD 9342 0,00000000 Я YC324 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. Вернояяя AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0,200 "L x 0,126" w (5,08 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2012, vыpupklый, ddlinnene bocokowhe tormieNalы YC324-JK ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 91 Иолирована 4 - - 8 125 м
RM064PJ680CS Samsung Electro-Mechanics RM064PJ680CS 0,0840
RFQ
 ECAD 1177 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rm Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,055 "L x 0,024" W (1,40 мм х 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0502 (1406 МЕТРИКА), ДЕЛИНННЕГО БОЛЬКА ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 68 Иолирована 4 - - 8 31,25 м
TA33-680KB Vishay Sfernice TA33-680KB 12.7161
RFQ
 ECAD 8795 0,00000000 Виал * Поднос Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-TA33-680KB Ear99 8533.21.0020 100
TA33-4K7J Vishay Sfernice TA33-4K7J 7.5800
RFQ
 ECAD 8829 0,00000000 Виал * Поднос Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-TA33-4K7J Ear99 8533.21.0020 100
RM062PJ394CS Samsung Electro-Mechanics RM062PJ394CS 0,0700
RFQ
 ECAD 6957 0,00000000 Samsung Electro-Meхanka Rm Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,031 "L x 0,024" W (0,80 мм x 0,60 мм) 0,013 "(0,33 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), ДЕЛИННЕГЕ ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0010 20 000 390K Иолирована 2 - - 4 31,25 м
S41C083364GP CTS Resistor Products S41C083364GP 0,0560
RFQ
 ECAD 1987 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083364GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 360K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
PRA100I4-26K1BWNT Vishay Sfernice PRA100I4-26K1BWNT 10.1476
RFQ
 ECAD 4602 0,00000000 Виал * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 716-PRA100I4-26K1BWNTTR Ear99 8533.21.0020 100
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть