SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
MCR01MZPJ393 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ393 -
RFQ
ECAD 2454 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 39 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ3R0 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ3R0 -
RFQ
ECAD 5507 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3 О -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ3R9 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ3R9 -
RFQ
ECAD 2961 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3,9 ОМ -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ473 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ473 -
RFQ
ECAD 2688 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 47 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ510 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ510 -
RFQ
ECAD 8498 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 51 om ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ564 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ564 -
RFQ
ECAD 2687 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 560 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ5R1 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ5R1 -
RFQ
ECAD 8019 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 5,1 ОМ -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ621 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ621 -
RFQ
ECAD 3570 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 620 ОМ ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ684 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ684 -
RFQ
ECAD 6699 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 680 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ680 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ680 -
RFQ
ECAD 3484 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 68 ОМ ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ822 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ822 -
RFQ
ECAD 5371 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 8.2 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ820 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ820 -
RFQ
ECAD 4357 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 82 О ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ8R2 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ8R2 -
RFQ
ECAD 4011 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 8,2 О -250/ +500ppm/ ° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR01MZPJ911 Rohm Semiconductor MCR01MZPJ911 -
RFQ
ECAD 5248 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 910 ОМ ± 200 мклд/° C. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1001 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1001 -
RFQ
ECAD 5472 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1 kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1003 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1003 -
RFQ
ECAD 5936 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 100 км ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1004 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1004 -
RFQ
ECAD 7847 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1 момс ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1050 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1050 -
RFQ
ECAD 8432 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 105 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1051 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1051 -
RFQ
ECAD 9818 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,05 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1052 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1052 -
RFQ
ECAD 5917 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 10.5 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1071 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1071 -
RFQ
ECAD 7985 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,07 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1072 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1072 -
RFQ
ECAD 5754 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 10.7 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1101 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1101 -
RFQ
ECAD 6302 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1.1 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1102 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1102 -
RFQ
ECAD 6262 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 11 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1130 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1130 -
RFQ
ECAD 1383 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 113 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1151 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1151 -
RFQ
ECAD 4084 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,15 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1153 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1153 -
RFQ
ECAD 7933 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 115 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX11R5 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX11R5 -
RFQ
ECAD 3813 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 11,5 ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX11R8 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX11R8 -
RFQ
ECAD 3504 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 11,8 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX1200 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1200 -
RFQ
ECAD 6033 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 120 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе