SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
MCR03EZPFX2432 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2432 -
RFQ
ECAD 1796 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 24.3 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2490 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2490 -
RFQ
ECAD 3443 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 249 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2491 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2491 -
RFQ
ECAD 3732 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 2.49 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2493 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2493 -
RFQ
ECAD 8275 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 249 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2552 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2552 -
RFQ
ECAD 2369 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 25,5 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2553 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2553 -
RFQ
ECAD 9561 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 255 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX25R5 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX25R5 -
RFQ
ECAD 6163 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 25,5 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2613 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2613 -
RFQ
ECAD 1502 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 261 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2672 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2672 -
RFQ
ECAD 9045 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 26,7 К. ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX26R1 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX26R1 -
RFQ
ECAD 5397 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 26,1 ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2740 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2740 -
RFQ
ECAD 6337 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 274 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX27R0 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX27R0 -
RFQ
ECAD 2210 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 27 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2803 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2803 -
RFQ
ECAD 9762 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 280 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2871 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2871 -
RFQ
ECAD 1929 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 2.87 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX28R0 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX28R0 -
RFQ
ECAD 2929 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 28 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2940 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2940 -
RFQ
ECAD 8446 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 294 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX2942 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX2942 -
RFQ
ECAD 8490 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 29.4 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3000 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3000 -
RFQ
ECAD 2148 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 300 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3011 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3011 -
RFQ
ECAD 7049 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3.01 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3012 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3012 -
RFQ
ECAD 5978 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 30,1 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX30R0 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX30R0 -
RFQ
ECAD 7479 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 30 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3160 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3160 -
RFQ
ECAD 6178 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 316 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3163 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3163 -
RFQ
ECAD 3187 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 316 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3240 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3240 -
RFQ
ECAD 8768 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 324 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3241 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3241 -
RFQ
ECAD 6918 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3.24 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3242 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3242 -
RFQ
ECAD 7223 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 32.4 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3303 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3303 -
RFQ
ECAD 6046 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 330 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3320 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3320 -
RFQ
ECAD 4687 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 332 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3323 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3323 -
RFQ
ECAD 4072 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 332 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3482 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3482 -
RFQ
ECAD 6895 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 34,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе