SIC
close

Rerзystorы (18799)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
KTR18EZPJ4R3 Rohm Semiconductor Ktr18ezpj4r3 0,0191
RFQ
 ECAD 9107 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 4,3 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ7R5 Rohm Semiconductor Ktr18ezpj7r5 0,0191
RFQ
 ECAD 7310 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 7,5 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ102 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj102 0,0568
RFQ
 ECAD 7574 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1 kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ103 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj103 0,0568
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 10 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ106 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj106 0,0568
RFQ
 ECAD 2074 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 10 МАМОВ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ120 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj120 0,0568
RFQ
 ECAD 9508 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 12 ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ125 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj125 0,0568
RFQ
 ECAD 8212 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,2 мкм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ131 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj131 0,0568
RFQ
 ECAD 9316 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 130 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ133 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj133 0,0568
RFQ
 ECAD 3482 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 13 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ134 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj134 0,0568
RFQ
 ECAD 7461 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 130 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ151 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj151 0,0568
RFQ
 ECAD 2936 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 150 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ155 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj155 0,0568
RFQ
 ECAD 1246 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,5 мм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ165 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj165 0,0568
RFQ
 ECAD 6882 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,6 мкм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ183 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj183 0,0568
RFQ
 ECAD 7460 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 18 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ1R0 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj1r0 0,0568
RFQ
 ECAD 9807 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ1R5 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj1r5 0,0568
RFQ
 ECAD 2326 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,5 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ1R8 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj1r8 0,0568
RFQ
 ECAD 6435 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,8 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ204 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj204 0,0568
RFQ
 ECAD 2493 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 200 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ223 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj223 0,0568
RFQ
 ECAD 8870 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 22 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ243 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj243 0,0568
RFQ
 ECAD 5539 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 24 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ244 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj244 0,0568
RFQ
 ECAD 6737 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 240 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ245 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj245 0,0568
RFQ
 ECAD 9012 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2,4 мм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ274 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj274 0,0568
RFQ
 ECAD 7386 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 270 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ275 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj275 0,0568
RFQ
 ECAD 6391 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2,7 мкм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ2R0 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj2r0 0,0568
RFQ
 ECAD 9355 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ2R7 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj2r7 0,0568
RFQ
 ECAD 6028 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2,7 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ302 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj302 0,0568
RFQ
 ECAD 8875 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 3 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ305 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj305 0,0568
RFQ
 ECAD 5708 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 3 момса ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ331 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj331 0,0568
RFQ
 ECAD 7740 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 330 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ362 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj362 0,0568
RFQ
 ECAD 6241 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 3.6 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть