SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
ESR10EZPF2322 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2322 0,0239
RFQ
ECAD 9479 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 23.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2370 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2370 0,0239
RFQ
ECAD 7660 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 237 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2371 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2371 0,0239
RFQ
ECAD 6200 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.37 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2402 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2402 0,0239
RFQ
ECAD 9382 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 24 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2403 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2403 0,0239
RFQ
ECAD 4019 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 240 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2431 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2431 0,0239
RFQ
ECAD 8474 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.43 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2433 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2433 0,0239
RFQ
ECAD 4602 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 243 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF24R9 Rohm Semiconductor ESR10EZPF24R9 0,0239
RFQ
ECAD 6822 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 24,9 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2551 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2551 0,0239
RFQ
ECAD 8427 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2,55 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2552 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2552 0,0239
RFQ
ECAD 1805 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 25,5 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2553 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2553 0,0239
RFQ
ECAD 7483 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 255 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2610 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2610 0,0239
RFQ
ECAD 1396 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 261 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2612 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2612 0,0239
RFQ
ECAD 9187 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 26.1 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2670 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2670 0,0239
RFQ
ECAD 3181 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 267 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2671 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2671 0,0239
RFQ
ECAD 8826 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.67 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q8696358 Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2673 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2673 0,0239
RFQ
ECAD 9407 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 267 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF26R7 Rohm Semiconductor ESR10EZPF26R7 0,0239
RFQ
ECAD 9177 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 26,7 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2701 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2701 0,0239
RFQ
ECAD 8365 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.7 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2703 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2703 0,0239
RFQ
ECAD 5438 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 270 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2740 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2740 0,0239
RFQ
ECAD 2651 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 274 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2741 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2741 0,0239
RFQ
ECAD 2260 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.74 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2800 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2800 0,0239
RFQ
ECAD 3772 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 280 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2870 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2870 0,0239
RFQ
ECAD 1273 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 287 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2871 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2871 0,0239
RFQ
ECAD 3948 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.87 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2873 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2873 0,0239
RFQ
ECAD 6286 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 287 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF28R0 Rohm Semiconductor ESR10EZPF28R0 0,0239
RFQ
ECAD 6552 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 28 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2940 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2940 0,0239
RFQ
ECAD 7190 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 294 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2943 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2943 0,0239
RFQ
ECAD 2513 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 294 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF2R70 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2R70 0,0239
RFQ
ECAD 1301 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2,7 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR10EZPF3011 Rohm Semiconductor ESR10EZPF3011 0,0239
RFQ
ECAD 1253 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 3.01 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,4 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе