Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодадж | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ESR10EZPF3012 | 0,0239 | ![]() | 6697 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 30,1 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3013 | 0,0239 | ![]() | 7699 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 301 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3091 | 0,0239 | ![]() | 2986 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.09 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF30R1 | 0,0239 | ![]() | 6033 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 30,1 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3163 | 0,0239 | ![]() | 5391 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 316 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF31R6 | 0,0239 | ![]() | 9161 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 31,6 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3242 | 0,0239 | ![]() | 9052 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 32.4 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3321 | 0,0239 | ![]() | 9678 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.32 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3322 | 0,0239 | ![]() | 4696 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 33.2 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF33R0 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 33 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3483 | 0,0239 | ![]() | 3776 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 348 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3570 | 0,0239 | ![]() | 6070 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 357 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3572 | 0,0239 | ![]() | 3782 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 35,7 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3600 | 0,0239 | ![]() | 2729 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 360 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3602 | 0,0239 | ![]() | 1342 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 36 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3741 | 0,0239 | ![]() | 8487 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.74 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3742 | 0,0239 | ![]() | 8145 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 37.4 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3743 | 0,0239 | ![]() | 7491 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 374 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF37R4 | 0,0239 | ![]() | 9434 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 37,4 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3832 | 0,0239 | ![]() | 6052 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 38,3 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3923 | 0,0239 | ![]() | 6291 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 392 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF39R0 | 0,0239 | ![]() | 6100 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF39R2 | 0,0239 | ![]() | 1777 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39,2 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3R00 | 0,0239 | ![]() | 7711 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF3R60 | 0,0239 | ![]() | 8975 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3,6 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF4023 | 0,0239 | ![]() | 6180 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 402 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF4123 | 0,0239 | ![]() | 8646 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 412 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF4223 | 0,0239 | ![]() | 2347 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 422 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF4320 | 0,0239 | ![]() | 5428 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 432 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF43R2 | 0,0239 | ![]() | 7374 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 43,2 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе