SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
ESR18EZPF1431 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1431 0,0207
RFQ
ECAD 4298 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,43 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1472 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1472 0,0207
RFQ
ECAD 5206 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 14,7 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF14R7 Rohm Semiconductor ESR18EZPF14R7 0,0207
RFQ
ECAD 3066 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 14,7 ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1504 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1504 0,0207
RFQ
ECAD 8206 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,5 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1541 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1541 0,0207
RFQ
ECAD 3459 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,54 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1580 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1580 0,0207
RFQ
ECAD 7179 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 158 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1603 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1603 0,0207
RFQ
ECAD 8789 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 160 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1604 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1604 0,0207
RFQ
ECAD 7397 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,6 мкм ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1623 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1623 0,0207
RFQ
ECAD 9861 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 162 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1651 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1651 0,0207
RFQ
ECAD 5856 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,65 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF16R5 Rohm Semiconductor ESR18EZPF16R5 0,0207
RFQ
ECAD 1210 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 16,5 ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1741 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1741 0,0207
RFQ
ECAD 2432 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,74 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1782 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1782 0,0207
RFQ
ECAD 8867 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 17,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1800 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1800 0,1700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 180 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1801 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1801 0,1700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,8 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1804 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1804 0,0207
RFQ
ECAD 1882 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,8 мкм ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1910 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1910 0,0207
RFQ
ECAD 3358 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 191 О ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1912 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1912 0,0207
RFQ
ECAD 9293 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 19.1 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1960 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1960 0,0207
RFQ
ECAD 4339 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 196 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1R30 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1R30 0,0207
RFQ
ECAD 8589 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,3 О ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF1R60 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1R60 0,0207
RFQ
ECAD 5684 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 1,6 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2003 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2003 0,1700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 200 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2051 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2051 0,0207
RFQ
ECAD 3974 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.05 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF20R5 Rohm Semiconductor ESR18EZPF20R5 0,0207
RFQ
ECAD 3242 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 20,5 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2153 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2153 0,0207
RFQ
ECAD 2482 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 215 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF21R0 Rohm Semiconductor ESR18EZPF21R0 0,0207
RFQ
ECAD 8294 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 21 ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2203 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2203 0,1700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 220 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2213 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2213 0,0207
RFQ
ECAD 9200 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 221 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2261 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2261 0,0207
RFQ
ECAD 9989 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 2.26 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
ESR18EZPF2262 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2262 0,0207
RFQ
ECAD 6946 0,00000000 ROHM Semiconductor Эsr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Артобилнг aec-q200, Ипюль, 22.6 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,5 м, 1/2 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе