Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ESR18EZPF2403 | 0,0207 | ![]() | 9883 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 240 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2432 | 0,0207 | ![]() | 6352 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 24.3 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2433 | 0,0207 | ![]() | 2780 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 243 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2491 | 0,1700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2.49 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2551 | 0,0207 | ![]() | 5252 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2,55 КОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF26R1 | 0,0207 | ![]() | 1988 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 26,1 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF26R7 | 0,0207 | ![]() | 5754 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 26,7 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2740 | 0,0207 | ![]() | 9186 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 274 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2870 | 0,1700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 287 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2871 | 0,0207 | ![]() | 5687 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2.87 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF28R0 | 0,0207 | ![]() | 7171 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 28 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF28R7 | 0,0207 | ![]() | 8879 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 28,7 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2942 | 0,0207 | ![]() | 5829 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 29.4 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2R40 | 0,0207 | ![]() | 2572 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2,4о | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF2R70 | 0,1700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2,7 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3010 | 0,0207 | ![]() | 7700 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 301 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3092 | 0,0207 | ![]() | 3173 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 30,9 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3093 | 0,0207 | ![]() | 9373 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 309 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF30R1 | 0,0207 | ![]() | 7181 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 30,1 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3400 | 0,0207 | ![]() | 3701 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 340 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3480 | 0,1700 | ![]() | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 348 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3570 | 0,0207 | ![]() | 8246 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 357 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF35R7 | 0,0207 | ![]() | 7589 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 35,7 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3600 | 0,0207 | ![]() | 1177 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 360 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3603 | 0,0207 | ![]() | 9856 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 360 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3651 | 0,0207 | ![]() | 9249 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3,65 КОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF36R5 | 0,0207 | ![]() | 2851 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 36,5 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3743 | 0,0207 | ![]() | 6983 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 374 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF3902 | 0,1700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR18EZPF39R0 | 0,1700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе