SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR03EZPFX3240 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3240 -
RFQ
ECAD 8768 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 324 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3241 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3241 -
RFQ
ECAD 6918 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3.24 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3242 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3242 -
RFQ
ECAD 7223 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 32.4 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3303 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3303 -
RFQ
ECAD 6046 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 330 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3320 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3320 -
RFQ
ECAD 4687 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 332 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3323 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3323 -
RFQ
ECAD 4072 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 332 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3482 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3482 -
RFQ
ECAD 6895 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 34,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3570 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3570 -
RFQ
ECAD 3182 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 357 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3600 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3600 -
RFQ
ECAD 6982 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 360 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3601 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3601 -
RFQ
ECAD 7767 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3.6 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3653 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3653 -
RFQ
ECAD 8679 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 365 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX36R0 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX36R0 -
RFQ
ECAD 9614 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 36 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3740 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3740 -
RFQ
ECAD 2448 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 374 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3830 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3830 -
RFQ
ECAD 4768 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 383 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3901 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3901 -
RFQ
ECAD 9095 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 3.9 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3902 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3902 -
RFQ
ECAD 3378 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 39 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3903 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3903 -
RFQ
ECAD 1805 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 390 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3920 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3920 -
RFQ
ECAD 3235 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 392 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX3923 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX3923 -
RFQ
ECAD 8993 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 392 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX39R2 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX39R2 0,1000
RFQ
ECAD 15 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 39,2 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4020 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4020 -
RFQ
ECAD 3576 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 402 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4023 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4023 -
RFQ
ECAD 9425 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 402 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4122 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4122 -
RFQ
ECAD 6240 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 41.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4300 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4300 -
RFQ
ECAD 3129 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 430 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4303 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4303 -
RFQ
ECAD 3999 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 430 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4321 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4321 -
RFQ
ECAD 4103 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 4.32 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4322 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4322 -
RFQ
ECAD 7606 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 43.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4323 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4323 -
RFQ
ECAD 2938 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 432 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX43R2 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX43R2 -
RFQ
ECAD 4154 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 43,2 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR03EZPFX4533 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4533 -
RFQ
ECAD 1157 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) 0,022 "(0,55 мм) 0603 (1608 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 453 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,1, 1/10 стр. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе