SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR10ERTJ432 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ432 0,1000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 4.3 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ475 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ475 -
RFQ
ECAD 9698 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 4,7 мкм ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ510 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ510 -
RFQ
ECAD 8897 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 51 om ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ560 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ560 -
RFQ
ECAD 4554 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 56 ОМ ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ565 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ565 -
RFQ
ECAD 3908 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 5,6 мкм ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ5R1 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ5R1 -
RFQ
ECAD 4466 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 5,1 ОМ ± 400 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ622 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ622 0,1000
RFQ
ECAD 28 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 6.2 Ком ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ6R2 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ6R2 -
RFQ
ECAD 4009 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 6,2 О ± 400 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ820 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ820 0,1000
RFQ
ECAD 869 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 82 О ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ823 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ823 0,1000
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 82 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ824 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ824 0,1000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 820 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ911 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ911 -
RFQ
ECAD 6336 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 910 ОМ ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTJ914 Rohm Semiconductor MCR10ERTJ914 -
RFQ
ECAD 1968 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 910 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1053 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1053 0,1000
RFQ
ECAD 265 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 105 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1072 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1072 -
RFQ
ECAD 7781 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 10.7 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1102 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1102 0,1000
RFQ
ECAD 343 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 11 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1133 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1133 0,1000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 113 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1152 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1152 0,1000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 11,5 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1180 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1180 -
RFQ
ECAD 6737 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 118 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1182 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1182 -
RFQ
ECAD 2819 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 11,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1183 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1183 -
RFQ
ECAD 7599 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 118 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF11R5 Rohm Semiconductor MCR18ERTF11R5 -
RFQ
ECAD 4362 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 11,5 ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF11R8 Rohm Semiconductor MCR18ERTF11R8 0,1000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 11,8 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1203 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1203 0,1000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 120 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1241 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1241 0,1000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,24 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1242 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1242 0,1000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 12.4 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1243 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1243 0,1000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 124 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1270 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1270 -
RFQ
ECAD 9591 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 127 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1271 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1271 -
RFQ
ECAD 1705 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,27 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF1272 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1272 -
RFQ
ECAD 3873 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 12,7 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе