SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR10EZHF2053 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2053 -
RFQ
ECAD 8904 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 205 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2101 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2101 -
RFQ
ECAD 8650 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 2.1 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2103 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2103 -
RFQ
ECAD 9671 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 210 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2151 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2151 -
RFQ
ECAD 7041 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 2.15 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2201 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2201 -
RFQ
ECAD 9566 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 2.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2202 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2202 -
RFQ
ECAD 5410 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 22 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2210 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2210 -
RFQ
ECAD 2147 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 221 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2213 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2213 -
RFQ
ECAD 7835 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 221 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2262 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2262 -
RFQ
ECAD 4662 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 22.6 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2263 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2263 -
RFQ
ECAD 6881 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 226 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2430 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2430 -
RFQ
ECAD 5681 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 243 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2431 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2431 -
RFQ
ECAD 2097 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 2.43 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2432 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2432 -
RFQ
ECAD 8298 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 24.3 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2433 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2433 -
RFQ
ECAD 9099 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 243 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF24R0 Rohm Semiconductor MCR10EZHF24R0 -
RFQ
ECAD 3893 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 24 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2611 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2611 -
RFQ
ECAD 9873 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 2.61 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2612 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2612 -
RFQ
ECAD 4901 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 26.1 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2672 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2672 -
RFQ
ECAD 7128 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 26,7 К. ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2700 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2700 -
RFQ
ECAD 2061 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 270 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2703 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2703 -
RFQ
ECAD 9389 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 270 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2742 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2742 -
RFQ
ECAD 9372 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 27.4 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF27R0 Rohm Semiconductor MCR10EZHF27R0 -
RFQ
ECAD 3872 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 27 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2802 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2802 -
RFQ
ECAD 2271 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 28 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2870 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2870 -
RFQ
ECAD 2047 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 287 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2872 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2872 -
RFQ
ECAD 6429 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 28,7 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF28R7 Rohm Semiconductor MCR10EZHF28R7 -
RFQ
ECAD 7227 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 28,7 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF2943 Rohm Semiconductor MCR10EZHF2943 -
RFQ
ECAD 1045 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 294 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHFL2R20 Rohm Semiconductor MCR10EZHFL2R20 -
RFQ
ECAD 1805 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 2,2 ОМ ± 250ppm/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF3000 Rohm Semiconductor MCR10EZHF3000 -
RFQ
ECAD 8555 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 300 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZHF30R0 Rohm Semiconductor MCR10EZHF30R0 -
RFQ
ECAD 5356 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 30 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе