- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодадж | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESR10EZPJ393 | 0,1300 |  | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ430 | 0,1300 | | 13 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 43 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ470 | 0,1300 | | 60 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 47 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ511 | 0,1300 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 510 om | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ561 | 0,1300 | | 43 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 560 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ681 | 0,1300 | | 331 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 680 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ682 | 0,0162 | | 9793 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 6.8 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ6R2 | 0,1300 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 6,2 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ821 | 0,1300 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 820 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ823 | 0,1300 | | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 82 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ8R2 | 0,1300 | | 8542 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 8,2 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ911 | 0,1300 | | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 910 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR10EZPJ913 | 0,1300 | | 6 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 91 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ100 | 0,2000 | | 87 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 10 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ104 | 0,2000 | | 829 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 100 км | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ121 | 0,2000 | | 69 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 120 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ154 | 0,2000 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 150 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ162 | 0,2000 | | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1.6 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ182 | 0,2000 | | 5310 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1,8 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ200 | 0,0239 | | 6299 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 20 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ203 | 0,0239 | | 9386 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 20 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ222 | 0,2000 | | 51 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2.2 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ272 | 0,2000 | | 44 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2.7 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ302 | 0,2000 | | 19 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ330 | 0,2000 | | 7 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 33 О | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ392 | 0,2000 | | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.9 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ512 | 0,0239 | | 1944 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 5.1 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ5R1 | 0,2000 | | 15 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 5,1 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ6R8 | 0,2000 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 6,8 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPJ750 | 0,2000 | | 9 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 75 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)