SIC
close

Rerзystorы (18799)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR18EZHJ122 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ122 -
RFQ
 ECAD 6409 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1.2 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ123 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ123 -
RFQ
 ECAD 8626 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 12 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ124 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ124 -
RFQ
 ECAD 7574 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 120 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ120 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ120 -
RFQ
 ECAD 5245 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 12 ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ132 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ132 -
RFQ
 ECAD 2590 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1.3 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ134 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ134 -
RFQ
 ECAD 5125 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 130 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ130 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ130 -
RFQ
 ECAD 8482 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 13 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ161 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ161 -
RFQ
 ECAD 9516 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 160 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ160 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ160 -
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 16 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ183 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ183 -
RFQ
 ECAD 3610 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 18 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ184 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ184 -
RFQ
 ECAD 2183 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 180 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ1R0 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ1R0 -
RFQ
 ECAD 2528 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1 О 150/ +850ppm/ ° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ1R1 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ1R1 -
RFQ
 ECAD 2693 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,1 150/ +850ppm/ ° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ1R5 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ1R5 -
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,5 ОМ 150/ +850ppm/ ° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ1R6 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ1R6 -
RFQ
 ECAD 9376 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,6 ОМ 150/ +850ppm/ ° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ1R8 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ18 -
RFQ
 ECAD 2059 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,8 ОМ 150/ +850ppm/ ° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ201 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ201 -
RFQ
 ECAD 7416 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 200 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ202 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ202 -
RFQ
 ECAD 8974 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2 kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ221 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ221 -
RFQ
 ECAD 6322 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 220 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ222 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ222 -
RFQ
 ECAD 4857 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2.2 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ220 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ220 -
RFQ
 ECAD 4870 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 22 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ245 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ245 -
RFQ
 ECAD 6956 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2,4 мм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ240 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ240 -
RFQ
 ECAD 6632 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 24 ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ271 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ271 -
RFQ
 ECAD 5447 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 270 ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ272 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ272 -
RFQ
 ECAD 3293 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2.7 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ274 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ274 -
RFQ
 ECAD 8410 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 270 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ270 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ270 -
RFQ
 ECAD 8273 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 27 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ302 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ302 -
RFQ
 ECAD 3391 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ304 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ304 -
RFQ
 ECAD 4021 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 300 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZHJ305 Rohm Semiconductor MCR18EZHJ305 -
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3 момса ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть