SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR18ERTF78R7 Rohm Semiconductor MCR18ERTF78R7 -
RFQ
ECAD 4775 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 78,7 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8061 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8061 -
RFQ
ECAD 5682 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 8.06 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8202 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8202 0,1000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 82 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8453 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8453 0,1000
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 845 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF84R5 Rohm Semiconductor MCR18ERTF84R5 0,1000
RFQ
ECAD 775 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 84,5 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8660 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8660 -
RFQ
ECAD 4052 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 866 О ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8661 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8661 -
RFQ
ECAD 8829 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 8.66 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8663 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8663 -
RFQ
ECAD 3243 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 866 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8870 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8870 -
RFQ
ECAD 1575 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 887 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF8873 Rohm Semiconductor MCR18ERTF8873 -
RFQ
ECAD 7389 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 887 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF88R7 Rohm Semiconductor MCR18ERTF88R7 -
RFQ
ECAD 7758 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 88,7 О ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF9101 Rohm Semiconductor MCR18ERTF9101 -
RFQ
ECAD 3486 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 9.1 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF9310 Rohm Semiconductor MCR18ERTF9310 0,1000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 931 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTF9311 Rohm Semiconductor MCR18ERTF9311 -
RFQ
ECAD 3310 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 9.31 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1654 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1654 -
RFQ
ECAD 2968 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 1,65 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1692 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1692 0,1000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 16.9 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1693 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1693 -
RFQ
ECAD 5477 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 169 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1694 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1694 0,1000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 1,69 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF16R2 Rohm Semiconductor MCR10ERTF16R2 0,1000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 16,2 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF16R5 Rohm Semiconductor MCR10ERTF16R5 -
RFQ
ECAD 3762 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 16,5 ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF16R9 Rohm Semiconductor MCR10ERTF16R9 -
RFQ
ECAD 8436 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 16,9 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1781 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1781 0,1000
RFQ
ECAD 161 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 1,78 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1783 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1783 0,1000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 178 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1803 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1803 -
RFQ
ECAD 1381 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 180 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1820 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1820 0,1000
RFQ
ECAD 765 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 182 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1822 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1822 0,1000
RFQ
ECAD 355 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 18.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1823 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1823 0,1000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 182 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1824 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1824 -
RFQ
ECAD 4598 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 1,82 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1911 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1911 -
RFQ
ECAD 3859 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 1,91 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10ERTF1962 Rohm Semiconductor MCR10ERTF1962 0,1000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) - 19.6 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе