SIC
close

Rerзystorы (18799)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR18ERTJ183 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ183 -
RFQ
 ECAD 3862 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 18 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ185 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ185 0,1000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,8 мкм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ1R3 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ1R3 -
RFQ
 ECAD 1186 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 1,3 О ± 400 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ203 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ203 -
RFQ
 ECAD 7734 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 20 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ205 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ205 -
RFQ
 ECAD 2277 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2 момса ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ222 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ222 -
RFQ
 ECAD 2687 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2.2 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ223 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ223 -
RFQ
 ECAD 1644 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 22 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ225 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ225 -
RFQ
 ECAD 6839 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2,2 мкм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ240 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ240 0,1000
RFQ
 ECAD 798 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 24 ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ244 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ244 -
RFQ
 ECAD 5083 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 240 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ245 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ245 -
RFQ
 ECAD 5484 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2,4 мм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ270 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ270 0,1000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 27 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ272 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ272 -
RFQ
 ECAD 3769 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2.7 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ273 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ273 0,1000
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 27 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ2R0 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ2R0 -
RFQ
 ECAD 4950 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 2 О ± 400 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ301 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ301 0,1000
RFQ
 ECAD 389 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 300 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ302 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ302 -
RFQ
 ECAD 8543 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ305 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ305 0,1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3 момса ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ330 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ330 -
RFQ
 ECAD 9730 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 33 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ333 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ333 0,1000
RFQ
 ECAD 619 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 33 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ334 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ334 0,1000
RFQ
 ECAD 411 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 330 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ335 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ335 0,1000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3,3 мм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ363 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ363 -
RFQ
 ECAD 2922 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 36 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ365 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ365 -
RFQ
 ECAD 5374 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3,6 мм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ393 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ393 -
RFQ
 ECAD 3312 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 39 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ395 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ395 0,1000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3,9 мм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ3R3 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ3R3 -
RFQ
 ECAD 1791 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 3,3 О ± 400 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ431 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ431 0,1000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 430 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ432 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ432 -
RFQ
 ECAD 2824 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 4.3 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18ERTJ433 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ433 -
RFQ
 ECAD 2145 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) - 43 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть