SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТРЕЙСТВО Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж Синла (ватт) Колист Композиия
MCR10EZPF6813 Rohm Semiconductor MCR10EZPF6813 -
RFQ
ECAD 9108 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 681 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF6982 Rohm Semiconductor MCR10EZPF6982 -
RFQ
ECAD 5465 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 69,8 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7152 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7152 -
RFQ
ECAD 8358 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 71,5 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7501 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7501 -
RFQ
ECAD 5469 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 7,5 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7503 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7503 -
RFQ
ECAD 8691 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 750 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7680 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7680 -
RFQ
ECAD 5796 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 768 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7870 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7870 -
RFQ
ECAD 3167 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 787 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF7872 Rohm Semiconductor MCR10EZPF7872 -
RFQ
ECAD 2210 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 78,7 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF78R7 Rohm Semiconductor MCR10EZPF78R7 -
RFQ
ECAD 7746 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 78,7 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF8200 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8200 -
RFQ
ECAD 1962 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 820 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF8202 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8202 -
RFQ
ECAD 4411 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 82 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF8203 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8203 -
RFQ
ECAD 8525 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 820 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF82R5 Rohm Semiconductor MCR10EZPF82R5 -
RFQ
ECAD 2818 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 82,5 О ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF8450 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8450 -
RFQ
ECAD 5868 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 845 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF8453 Rohm Semiconductor MCR10EZPF8453 -
RFQ
ECAD 9153 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 845 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF9091 Rohm Semiconductor MCR10EZPF9091 -
RFQ
ECAD 7000 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 9.09 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF9101 Rohm Semiconductor MCR10EZPF9101 -
RFQ
ECAD 7183 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 9.1 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPF9310 Rohm Semiconductor MCR10EZPF9310 -
RFQ
ECAD 7210 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 931 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ102 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ102 -
RFQ
ECAD 2942 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1 kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ106 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ106 -
RFQ
ECAD 5425 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 10 МАМОВ ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ113 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ113 -
RFQ
ECAD 4041 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 11 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ115 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ115 -
RFQ
ECAD 5220 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1,1 мкм ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ122 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ122 -
RFQ
ECAD 5234 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1.2 Ком ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ124 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ124 -
RFQ
ECAD 3272 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 120 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ132 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ132 -
RFQ
ECAD 9477 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1.3 Ком ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ133 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ133 -
RFQ
ECAD 4803 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 13 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ155 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ155 -
RFQ
ECAD 9840 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1,5 мм ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ162 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ162 -
RFQ
ECAD 6298 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 1.6 Ком ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ163 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ163 -
RFQ
ECAD 8382 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 16 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR10EZPJ164 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ164 -
RFQ
ECAD 7515 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) 0,026 "(0,65 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Вернояжяя AEC-Q200 160 Kohms ± 200 мклд/° C. - 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,125, 1/8 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе