SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
MCR18EZPF7500 Rohm Semiconductor MCR18EZPF7500 -
RFQ
ECAD 7605 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 750 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF7501 Rohm Semiconductor MCR18EZPF7501 -
RFQ
ECAD 5024 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 7,5 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF7502 Rohm Semiconductor MCR18EZPF7502 -
RFQ
ECAD 7373 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 75 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF75R0 Rohm Semiconductor MCR18EZPF75R0 -
RFQ
ECAD 6608 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 75 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF7871 Rohm Semiconductor MCR18EZPF7871 -
RFQ
ECAD 9469 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 7.87 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF8661 Rohm Semiconductor MCR18EZPF8661 -
RFQ
ECAD 7104 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 8.66 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPF9102 Rohm Semiconductor MCR18EZPF9102 -
RFQ
ECAD 6052 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 91 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ101 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ101 -
RFQ
ECAD 9034 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 100 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ103 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ103 -
RFQ
ECAD 9683 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 10 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ104 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ104 -
RFQ
ECAD 7703 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 100 км ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ106 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ106 -
RFQ
ECAD 5839 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 10 МАМОВ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ114 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ114 -
RFQ
ECAD 4465 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 110 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ123 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ123 -
RFQ
ECAD 6329 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 12 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ124 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ124 -
RFQ
ECAD 8622 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 120 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ130 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ130 -
RFQ
ECAD 7767 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 13 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ134 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ134 -
RFQ
ECAD 7410 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 130 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ151 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ151 -
RFQ
ECAD 6985 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 150 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ152 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ152 -
RFQ
ECAD 8313 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,5 Ком ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ161 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ161 -
RFQ
ECAD 5070 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 160 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ180 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ180 -
RFQ
ECAD 9144 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 18 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ183 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ183 -
RFQ
ECAD 9243 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 18 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ1R1 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ1R1 -
RFQ
ECAD 3033 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,1 ± 400 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ1R5 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ1R5 -
RFQ
ECAD 6381 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 1,5 ОМ ± 400 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ200 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ200 -
RFQ
ECAD 3235 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 20 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ203 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ203 -
RFQ
ECAD 7032 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 20 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ240 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ240 -
RFQ
ECAD 2736 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 24 ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ242 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ242 -
RFQ
ECAD 6818 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 2.4 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ243 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ243 -
RFQ
ECAD 8262 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 24 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ273 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ273 -
RFQ
ECAD 7957 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 27 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
MCR18EZPJ301 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ301 -
RFQ
ECAD 1377 0,00000000 ROHM Semiconductor MCR Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояжяя AEC-Q200 300 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе