SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
KTR18EZPF6490 Rohm Semiconductor KTR18EZPF6490 0,0302
RFQ
ECAD 9731 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 649 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF6651 Rohm Semiconductor KTR18EZPF6651 0,2500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 6,65 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF66R5 Rohm Semiconductor KTR18EZPF66R5 0,0302
RFQ
ECAD 9159 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 66,5 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF6812 Rohm Semiconductor KTR18EZPF6812 0,0302
RFQ
ECAD 4580 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 68.1 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF68R1 Rohm Semiconductor KTR18EZPF68R1 0,0302
RFQ
ECAD 5189 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 68,1 О ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF7150 Rohm Semiconductor KTR18EZPF7150 0,2500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 715 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPF7151 Rohm Semiconductor KTR18EZPF7151 0,0302
RFQ
ECAD 4856 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 7.15 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
LTR50UZPF6R80 Rohm Semiconductor LTR50UZPF6R80 0,6800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor LTR Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,098 "L x 0,197" W (2,50 мм x 5,00 мм) 0,026 "(0,65 мм) Шirokyй 2010 (5025 Метрика), 1020 Артобилнг aec-q200, Ипюль, 6,8 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 2010 ГОД СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 1 Вт 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
PMR100HZPFV1L50 Rohm Semiconductor PMR100HZPFV1L50 -
RFQ
ECAD 5563 0,00000000 ROHM Semiconductor Пл Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,252 "L x 0,126" W (6,40 мм х 3,20 мм) 0,019 "(0,47 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Вернояжая А.Е. 1,5 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 2512 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 2000 2W 2 MeTAlkySkIй эlement
PMR100HZPJV1L5 Rohm Semiconductor PMR100HZPJV1L5 -
RFQ
ECAD 9245 0,00000000 ROHM Semiconductor Пл Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,252 "L x 0,126" W (6,40 мм х 3,20 мм) 0,019 "(0,47 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Вернояжая А.Е. 1,5 мм ± 100 мклд/млн/° С. - 2512 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 2000 2W 2 MeTAlkySkIй эlement
TRR01MZPF1071 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1071 -
RFQ
ECAD 8616 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1,07 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF10R0 Rohm Semiconductor TRR01MZPF10R0 -
RFQ
ECAD 8119 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 10 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1102 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1102 0,1400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 11 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1132 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1132 -
RFQ
ECAD 5589 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 11,3 керс ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1151 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1151 0,1400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1,15 КОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1182 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1182 0,1400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 11,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1203 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1203 0,1400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 120 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1241 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1241 -
RFQ
ECAD 6623 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1,24 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1471 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1471 0,1400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1,47 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1543 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1543 -
RFQ
ECAD 9380 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 154 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1583 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1583 0,1400
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 158 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1601 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1601 0,1400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1.6 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1622 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1622 0,1400
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 16.2 Ком ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1691 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1691 0,1400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 1,69 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1742 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1742 -
RFQ
ECAD 9774 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 17.4 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1782 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1782 0,1400
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 17,8 Комс ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1800 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1800 0,1400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 180 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1872 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1872 0,1400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 18,7 К. ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF1912 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1912 -
RFQ
ECAD 4523 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 19.1 Kohms ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
TRR01MZPF2000 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2000 -
RFQ
ECAD 5512 0,00000000 ROHM Semiconductor Выносливый Lenta и катахка (tr) Управо ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C. 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) 0,016 "(0,40 мм) 0402 (1005 МЕТРИКА) Ангерская 200 ОМ ± 100 мклд/млн/° С. - 0402 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 10000 0,063 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе