SIC
close

Rerзystorы (18799)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
KTR18EZPJ2R4 Rohm Semiconductor Ktr18ezpj2r4 0,0191
RFQ
 ECAD 4178 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2,4о ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ3R0 Rohm Semiconductor Ktr18ezpj3r0 0,0191
RFQ
 ECAD 1675 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 3 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ435 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ435 0,0191
RFQ
 ECAD 5769 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 4,3 мкм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ5R1 Rohm Semiconductor Ktr18ezpj5r1 0,0191
RFQ
 ECAD 2217 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 5,1 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ625 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ625 0,0191
RFQ
 ECAD 6311 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 6,2 мкм ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR18EZPJ9R1 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ9R1 0,0191
RFQ
 ECAD 5834 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,026 "(0,65 мм) 1206 (3216 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 9,1 О ± 200 мклд/° C. - 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 5000 0,25 м. 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ100 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj100 0,0568
RFQ
 ECAD 2538 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 10 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ121 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj121 0,0568
RFQ
 ECAD 2930 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 120 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ123 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj123 0,0568
RFQ
 ECAD 5423 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 12 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ130 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj130 0,0568
RFQ
 ECAD 4863 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 13 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ132 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj132 0,0568
RFQ
 ECAD 2251 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1.3 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ135 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj135 0,0568
RFQ
 ECAD 3057 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,3 мм ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ150 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj150 0,0568
RFQ
 ECAD 4512 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 15 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ153 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj153 0,0568
RFQ
 ECAD 5812 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 15 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ154 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj154 0,0568
RFQ
 ECAD 7622 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 150 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ161 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj161 0,0568
RFQ
 ECAD 8353 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 160 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ162 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj162 0,0568
RFQ
 ECAD 4481 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1.6 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ163 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj163 0,0568
RFQ
 ECAD 4768 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 16 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ164 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj164 0,0568
RFQ
 ECAD 2424 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 160 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ180 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj180 0,0568
RFQ
 ECAD 3996 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 18 О ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ181 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj181 0,0568
RFQ
 ECAD 4500 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 180 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ182 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj182 0,0568
RFQ
 ECAD 3940 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,8 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ1R1 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj1r1 0,0568
RFQ
 ECAD 9537 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,1 ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ1R6 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj1r6 0,0568
RFQ
 ECAD 3466 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 1,6 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ200 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj200 0,0568
RFQ
 ECAD 1486 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 20 ОМ ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ205 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj205 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2 момса ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ240 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj240 0,0568
RFQ
 ECAD 3285 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 24 ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ242 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj242 0,0568
RFQ
 ECAD 4026 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2.4 Kohms ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ271 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj271 0,0568
RFQ
 ECAD 6837 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 270 ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
KTR25JZPJ272 Rohm Semiconductor Ktr25jzpj272 0,0568
RFQ
 ECAD 5831 0,00000000 ROHM Semiconductor Ktr Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,026 "(0,65 мм) 1210 (3225 МЕТРИКА) Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee 2.7 Ком ± 200 мклд/° C. - 1210 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0030 4000 0,333 2 ТОЛНАЯ ПЛЕНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть