- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ktr25jzpj750 | 0,0568 |  | 5475 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 75 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj751 | 0,0568 | | 3091 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 750 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj752 | 0,0568 | | 2035 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 7,5 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj753 | 0,0568 | | 8217 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 75 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj754 | 0,0568 | | 5186 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 750 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj8r2 | 0,0568 | | 2205 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 8,2 О | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj910 | 0,0568 | | 4034 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 91 om | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj911 | 0,0568 | | 1034 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 910 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj914 | 0,0568 | | 6278 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 910 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr25jzpj9r1 | 0,0568 | | 5605 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 9,1 О | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | LTR10EZPJ1R0 | 0,0223 | | 3138 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,047 "L x 0,079" W (1,20 мм х 2,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Широкий 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА), 0508 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR10EZPJ302 | 0,0223 | | 9264 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,047 "L x 0,079" W (1,20 мм х 2,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Широкий 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА), 0508 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR10EZPJ390 | 0,0223 | | 1887 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,047 "L x 0,079" W (1,20 мм х 2,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Широкий 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА), 0508 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 39 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR10EZPJ5R1 | 0,0223 | | 3217 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,047 "L x 0,079" W (1,20 мм х 2,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Широкий 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА), 0508 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 5,1 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | LTR18EZPJ121 | 0,0239 | | 6003 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 120 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ130 | 0,0239 | | 4782 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 13 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ131 | 0,0239 | | 1836 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 130 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ150 | 0,0239 | | 7038 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 15 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ154 | 0,0239 | | 9534 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 150 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ160 | 0,0239 | | 2919 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 16 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ161 | 0,0239 | | 3390 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 160 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ180 | 0,0239 | | 5570 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 18 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ181 | 0,0239 | | 9339 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 180 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ1R5 | 0,0239 | | 4464 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1,5 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ204 | 0,0239 | | 5687 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 200 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ223 | 0,0239 | | 3858 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 22 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ224 | 0,0239 | | 5588 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 220 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ243 | 0,0239 | | 6813 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 24 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ273 | 0,0239 | | 1745 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 27 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR18EZPJ2R0 | 0,0239 | | 5979 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)