- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KTR10EZPJ273 | 0,0191 |  | 4262 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 27 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj2r0 | 0,0191 | | 6299 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 2 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj2r2 | 0,0191 | | 4519 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 2,2 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ300 | 0,0191 | | 9960 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 30 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ303 | 0,0191 | | 2011 год | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 30 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ331 | 0,0191 | | 3695 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 330 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ360 | 0,0191 | | 2433 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 36 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ361 | 0,0191 | | 5619 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 360 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ395 | 0,0191 | | 2686 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 3,9 мм | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj3r0 | 0,0191 | | 7315 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 3 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj3r9 | 0,0191 | | 9110 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 3,9 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj430 | 0,0191 | | 6010 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 43 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ432 | 0,0191 | | 6749 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 4.3 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj433 | 0,0191 | | 2703 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 43 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ434 | 0,0191 | | 2546 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 430 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ435 | 0,0191 | | 8169 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 4,3 мкм | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj4r3 | 0,0191 | | 9329 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 4,3 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr10ezpj562 | 0,0191 | | 5171 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 5.6 Ком | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPJ623 | 0,0191 | | 8414 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 62 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | ESR18EZPF2700 | 0,0207 | | 5206 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 270 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2741 | 0,0207 | | 6748 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2.74 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2743 | 0,0207 | | 2814 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 274 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2800 | 0,0207 | | 3206 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 280 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2802 | 0,0207 | | 7321 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 28 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2803 | 0,0207 | | 3860 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 280 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2872 | 0,0207 | | 3322 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 28,7 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF2940 | 0,0207 | | 2673 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 294 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF3001 | 0,0207 | | 1343 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF3002 | 0,1700 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 30 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF3011 | 0,0207 | | 7258 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.01 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)