Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ESR10EZPF6190 | 0,0239 | ![]() | 1347 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 619 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6202 | 0,0239 | ![]() | 1799 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 62 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6340 | 0,0239 | ![]() | 3851 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 634 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6490 | 0,0239 | ![]() | 7517 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 649 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF64R9 | 0,0239 | ![]() | 6589 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 64,9 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6652 | 0,0239 | ![]() | 5130 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 66,5 кр | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6800 | 0,0239 | ![]() | 7497 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 680 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6811 | 0,0239 | ![]() | 1318 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 6.81 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6813 | 0,0239 | ![]() | 8738 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 681 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF68R0 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 68 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6980 | 0,0239 | ![]() | 7360 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 698 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF6981 | 0,0239 | ![]() | 2924 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 6,98 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF69R8 | 0,0239 | ![]() | 5521 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 69,8 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7150 | 0,0239 | ![]() | 1988 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 715 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7152 | 0,0239 | ![]() | 7442 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 71,5 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7153 | 0,0239 | ![]() | 1674 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 715 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7323 | 0,0239 | ![]() | 3692 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 732 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7503 | 0,0239 | ![]() | 8792 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 750 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7683 | 0,0239 | ![]() | 4308 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 768 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF7870 | 0,0239 | ![]() | 6160 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 787 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8060 | 0,0239 | ![]() | 7312 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 806 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8061 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 8.06 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8062 | 0,0239 | ![]() | 7670 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 80.6 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8202 | 0,0239 | ![]() | 5125 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 82 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8250 | 0,0239 | ![]() | 2265 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 825 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8252 | 0,0239 | ![]() | 5134 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 82,5 кгма | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8253 | 0,0239 | ![]() | 9159 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 825 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF8872 | 0,0239 | ![]() | 5934 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 88,7 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF9090 | 0,0239 | ![]() | 9851 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 909 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
![]() | ESR10EZPF9092 | 0,0239 | ![]() | 2306 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 90,9 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,4 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе