- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESR03EZPD68R0 | 0,2500 |  | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 0,5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 68 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
 | MCR10ERTF1804 | - | | 8406 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | - | 1,8 мкм | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
 | Ktr18ezpj1r1 | 0,0191 | | 6750 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1,1 | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | LTR18EZPJ620 | 0,0239 | | 3157 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 62 О | ± 200 мклд/° C. | - | 0612 (1632 МЕТРИКА) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | ESR18EZPF5103 | 0,0207 | | 2204 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 510 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR01MZPF1000 | 0,3500 | | 9 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) | 0,016 "(0,40 мм) | 0402 (1005 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 100 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0402 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 10000 | 0,2, 1/5 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR10EZPF2490 | - | | 1403 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 249 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | TRR01MZPF3300 | - | | 3811 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Выносливый | Lenta и катахка (tr) | Управо | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) | 0,016 "(0,40 мм) | 0402 (1005 МЕТРИКА) | Ангерская | 330 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0402 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 10000 | 0,063 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR03EZPF6803 | 0,0175 | | 9155 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 680 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR01MZPF51R0 | - | | 8652 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) | 0,016 "(0,40 мм) | 0402 (1005 МЕТРИКА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 51 om | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0402 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 10000 | 0,063 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR50UZPJ220 | 0,5800 | | 7 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,098 "L x 0,197" W (2,50 мм x 5,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 2010 (5025 Метрика), 1020 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 22 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 2010 ГОД | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 1 Вт | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR25JZPF56R0 | 0,3800 | | 8248 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 56 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,333 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR10ERTF6653 | 0,1000 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | - | 665 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| MCR03EZPJ100 | - | | 2653 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 10 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 0603 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | MCR006YRTF3301 | - | | 3127 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | 0,024 "L x 0,012" W (0,60 мм x 0,30 мм) | 0,010 "(0,26 мм) | 0201 (0603 МЕТРИКА) | - | 3.3 Kohms | ± 250ppm/° C. | - | 0201 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 15 000 | 0,05. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| MCR03ERTJ271 | - | | 5829 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 270 | ± 200 мклд/° C. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR18EZPF1503 | 0,1700 | | 31 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 150 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR18ERTF2942 | 0,1000 | | 7 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | - | 29.4 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
 | UCR18EVHFLR100 | 0,8500 | | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | UCR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояжая А.Е. | 100 мм | 0/ +150ppm/ ° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| LTR50UZPJ2R7 | 0,0916 | | 8958 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,098 "L x 0,197" W (2,50 мм x 5,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 2010 (5025 Метрика), 1020 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 2,7 О | ± 200 мклд/° C. | - | 2010 ГОД | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 1 Вт | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR10EZPF8201 | - | | 7432 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 8.2 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF2942 | 0,2500 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 29.4 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR01MZPJ1R2 | 0,2800 | | 3448 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) | 0,016 "(0,40 мм) | 0402 (1005 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1,2 ОМ | -250/ +500ppm/ ° C. | - | 0402 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 10000 | 0,2, 1/5 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR18EZHF39R2 | - | | 7264 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | - | 39,2 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| KTR18EZPF42R2 | 0,0302 | | 6579 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 42,2 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| SFR01MZPJ6R8 | 0,1000 | | 3195 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | SFR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,039 "L x 0,020" W (1,00 мм x 0,50 мм) | 0,016 "(0,40 мм) | 0402 (1005 МЕТРИКА) | AntiSrskaya, AATOMOBILNAINA AEC-Q200 | 6,8 ОМ | -250/ +500ppm/ ° C. | - | 0402 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 10000 | 0,063 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| LTR50UZPJ471 | 0,0916 | | 4534 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,098 "L x 0,197" W (2,50 мм x 5,00 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 2010 (5025 Метрика), 1020 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 470 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 2010 ГОД | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 1 Вт | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR18ERTF4532 | - | | 1015 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,120 "L x 0,061" W (3,05 мм x 1,55 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | - | 45,3 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| MCR50JZHF1150 | - | | 6159 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,197 "L x 0,098" W (5,00 мм x 2,50 мм) | 0,028 "(0,70 мм) | 2010 (5025 МЕТРИКА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 115 | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 2010 ГОД | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| MCR100JZHFSR062 | - | | 6158 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C. | AEC-Q200 | 0,248 "L x 0,126" W (6,30 мм x 3,20 мм) | 0,028 "(0,70 мм) | 2512 (6432 МЕТРИКА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 62 мм | 200/ +800ppm/ ° C. | - | 2512 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 1 Вт | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Среднесуточный объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)