- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Eccn | Htsus | Станодадж | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESR18EZPF3003 | 0,1700 |  | 14 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 300 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF3302 | 0,0207 | | 4463 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 33 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF33R0 | 0,1700 | | 59 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 33 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF3920 | 0,0207 | | 9403 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 392 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF51R0 | 0,1700 | | 257 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 51 om | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF7871 | 0,0207 | | 1810 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 7.87 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF82R0 | 0,1700 | | 45 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 82 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| ESR18EZPF8R20 | 0,1700 | | 40 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 8,2 О | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,5 м, 1/2 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | KTR10EZPF1005 | 0,2200 | | 75 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 10 МАМОВ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF1203 | 0,2200 | | 14 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 120 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF1504 | 0,2200 | | 6 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1,5 мм | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF1963 | 0,0270 | | 1374 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 196 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF2204 | 0,2200 | | 22 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 2,2 мкм | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF3303 | 0,2200 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 330 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF3602 | 0,2200 | | 6 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 36 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF5103 | 0,2200 | | 79 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 510 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF5104 | 0,2200 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 5.1 МОМС | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF51R0 | 0,2200 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 51 om | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF6203 | 0,0270 | | 5022 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 620 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF6204 | 0,2200 | | 10 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 6,2 мкм | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR10EZPF6982 | 0,0270 | | 3885 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,079 "L x 0,049" W (2,00 мм x 1,25 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 69,8 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0805 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,125, 1/8 | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPJ430 | 0,0191 | | 9936 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 43 О | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| Ktr18ezpj512 | 0,0191 | | 1212 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 5.1 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1001 | 0,2500 | | 43 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1 kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1003 | 0,2500 | | 89 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 100 км | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1005 | 0,2500 | | 72 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 10 МАМОВ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1204 | 0,2500 | | 8 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1,2 мкм | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1501 | 0,2500 | | 7776 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1,5 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1502 | 0,0302 | | 4889 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 15 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
| KTR18EZPF1801 | 0,0302 | | 2262 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Ktr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | 1206 (3216 МЕТРИКА) | Вернояяя аэк-Q200, vыsocoe anpprayeseenee | 1,8 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,25 м. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)