- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Rerзystorы (18799)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | PakeT / KORPUES | Фуевшии | СОПРОТИВЛЕЙН | ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ | ЧastoTA | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Синла (ватт) | Колист | Композиия |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCR03ERTF6041 | - |  | 7605 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 6.04 Ком | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF6192 | - | | 5106 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 61,9 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF61R9 | - | | 3856 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 61,9 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF6803 | - | | 2801 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 680 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF6810 | - | | 7632 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 681 om | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF6812 | - | | 8470 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 68.1 Комс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF6980 | 0,1000 | | 57 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 698 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF69R8 | 0,1000 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 69,8 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF7152 | - | | 9251 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 71,5 керс | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF7323 | - | | 9344 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 732 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTFL7R50 | 0,1000 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | Вернояжяя AEC-Q200 | 7,5 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| MCR03ERTF8453 | 0,1000 | | 5 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 845 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF8661 | - | | 3754 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 8.66 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF9093 | - | | 2796 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 909 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF9101 | - | | 2664 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 9.1 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF9312 | - | | 8983 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 93,1 К. | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF9313 | 0,1000 | | 4 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 931 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
| MCR03ERTF9533 | - | | 8549 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | MCR | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | 0,063 "L x 0,031" W (1,60 мм х 0,80 мм) | 0,022 "(0,55 мм) | 0603 (1608 МЕТРИКА) | - | 953 Kohms | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 0603 | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,1, 1/10 стр. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |||
 | LTR18EZPJ3R3 | 0,0239 | | 1631 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | LTR | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,063 "L x 0,126" W (1,60 мм х 3,20 мм) | 0,026 "(0,65 мм) | Шirokyй 1206 (3216 МЕТРИКА), 0612 | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3,3 О | ± 200 мклд/° C. | - | 1206 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Q5052656 | Ear99 | 8533.21.0030 | 5000 | 0,75. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | |
 | ESR25JZPF1200 | 0,4000 | | 16 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 120 ОМ | ± 100 мклд/млн/° С. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ100 | 0,4000 | | 152 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 10 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ102 | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1 kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ103 | 0,4000 | | 6 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 10 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ106 | 0,0551 | | 3952 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 10 МАМОВ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ181 | 0,4000 | | 1535 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 180 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ1R6 | 0,0551 | | 2993 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 1,6 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ332 | 0,4000 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.3 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ392 | 0,4000 | | 1 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 3.9 Kohms | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ470 | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 47 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА | ||
| ESR25JZPJ471 | 0,4000 | | 3 | 0,00000000 | ROHM Semiconductor | Эsr | Lenta и катахка (tr) | Актифен | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C. | AEC-Q200 | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,026 "(0,65 мм) | 1210 (3225 МЕТРИКА) | Артобилнг aec-q200, Ипюль, | 470 ОМ | ± 200 мклд/° C. | - | 1210 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8533.21.0030 | 4000 | 0,667. | 2 | ТОЛНАЯ ПЛЕНКА |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)