SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии Nabahuvый nomer prodikta СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
M55342H04B10E0MTS Vishay Dale Thin Film M55342H04B10E0MTS 12.7008
RFQ
ECAD 3478 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1505 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,155 "L x 0,050" W (3,94 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 10 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. М (1%) 1505 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,15 2 ТОНКА
M55342H04B10E0RTS Vishay Dale Thin Film M55342H04B10E0RTS 12.7008
RFQ
ECAD 2538 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1505 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,155 "L x 0,050" W (3,94 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 10 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1505 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,15 2 ТОНКА
M55342H04B12E4RWS Vishay Dale Thin Film M55342H04B12E4RWS 12.7008
RFQ
ECAD 2045 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1505 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,155 "L x 0,050" W (3,94 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 12.4 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1505 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,15 2 ТОНКА
M55342H04B130DRTS Vishay Dale Thin Film M55342H04B130DRTS 12.7008
RFQ
ECAD 2467 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1505 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,155 "L x 0,050" W (3,94 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 130 ОМ ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1505 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,15 2 ТОНКА
M55342H04B137ERWS Vishay Dale Thin Film M55342H04B137ERWS 12.7008
RFQ
ECAD 3270 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1505 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,155 "L x 0,050" W (3,94 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 137 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1505 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,15 2 ТОНКА
M55342H03B1E00RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B1E00RWS 13.5704
RFQ
ECAD 9708 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1 kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B1E15RT5 Vishay Dale Thin Film M55342H03B1E15RT5 2.2811
RFQ
ECAD 4325 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1,15 КОМ ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 500 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B1E65RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B1E65RTS 13.5704
RFQ
ECAD 8175 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1,65 КОМ ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B1E78RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B1E78RTS 13.5704
RFQ
ECAD 5485 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1,78 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B1K20RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B1K20RTS 13.5704
RFQ
ECAD 6979 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1.2 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B200BRWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B200BRWS 13.5704
RFQ
ECAD 5965 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 200 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B20B0RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B20B0RWS 13.5704
RFQ
ECAD 2387 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 20 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B210DRWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B210DRWS 13.5704
RFQ
ECAD 5866 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 210 ОМ ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B215ART1 Vishay Dale Thin Film M55342H03B215ART1 2.0903
RFQ
ECAD 2262 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 215 ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1000 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B215ARWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B215ARWS 13.5704
RFQ
ECAD 3366 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 215 ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B221BRT5 Vishay Dale Thin Film M55342H03B221BRT5 2.5988
RFQ
ECAD 4752 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 221 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 500 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B22D1RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B22D1RWS 13.5704
RFQ
ECAD 5253 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 22,1 ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B23B4RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B23B4RWS 13.5704
RFQ
ECAD 4121 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 23.4 Комс ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B249ERTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B249ERTS 13.5704
RFQ
ECAD 6893 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 249 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B24E3RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B24E3RTS 13.5704
RFQ
ECAD 7430 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 24.3 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B29B8RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B29B8RTS 13.5704
RFQ
ECAD 2410 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 29,8 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2B21RT5 Vishay Dale Thin Film M55342H03B2B21RT5 2.5988
RFQ
ECAD 4164 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.21 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 500 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2B49RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2B49RWS 13.5704
RFQ
ECAD 2897 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.49 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2B67RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2B67RWS 13.5704
RFQ
ECAD 6137 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.67 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2E37RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2E37RWS 13.5704
RFQ
ECAD 1804 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.37 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2E49RTS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2E49RTS 13.5704
RFQ
ECAD 3560 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.49 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2E61PT3 Vishay Dale Thin Film M55342H03B2E61PT3 3.5123
RFQ
ECAD 5615 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.61 Ком ± 50 мклд/млн/° C. P (0,1%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 300 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2E61PWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2E61PWS 13.0532
RFQ
ECAD 4972 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.61 Ком ± 50 мклд/млн/° C. P (0,1%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B2E61RWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B2E61RWS 13.5704
RFQ
ECAD 2033 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.61 Ком ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
M55342H03B301ERWS Vishay Dale Thin Film M55342H03B301ERWS 13.5704
RFQ
ECAD 1517 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1005 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,050" W (2,67 мм x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 301 Kohms ± 50 мклд/млн/° C. R (0,01%) 1005 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,2, 1/5 2 ТОНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе