SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) PakeT / KORPUES Фуевшии Baзowый nomer prodikta СОПРОТИВЛЕЙН ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ЧastoTA ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодар Синла (ватт) Колист Композиия
M55342H06B90E9RWS Vishay Dale Thin Film M55342H06B90E9RWS 12.9088
RFQ
ECAD 4124 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM0705 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,080 "L x 0,050" W (2,03 мк x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Верна, neainduktivnhene M55342 90,9 керс ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 0705 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,15 2 ТОНКА
M55342H06B9B42RWS Vishay Dale Thin Film M55342H06B9B42RWS 12.9088
RFQ
ECAD 6546 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM0705 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,080 "L x 0,050" W (2,03 мк x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Верна, neainduktivnhene M55342 9.42 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 0705 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,15 2 ТОНКА
M55342H08B1E50RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B1E50RWS 14.2800
RFQ
ECAD 9616 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 1,5 Ком ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B1F10RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B1F10RWS 14.2800
RFQ
ECAD 9501 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 1,1 мкм ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B20E0RTS Vishay Dale Thin Film M55342H08B20E0RTS 14.2800
RFQ
ECAD 1984 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 20 КОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B249ERWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B249ERWS 14.2800
RFQ
ECAD 2452 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 249 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B2B00RT3 Vishay Dale Thin Film M55342H08B2B00RT3 4.7959
RFQ
ECAD 2263 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 2 kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 300 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B2B32RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B2B32RWS 14.2800
RFQ
ECAD 9687 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 0,1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 2.32 Ком ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B3E09RBS Vishay Dale Thin Film M55342H08B3E09RBS 14.2800
RFQ
ECAD 1049 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 МАССА Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 3.09 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B475DRT5 Vishay Dale Thin Film M55342H08B475DRT5 3.0319
RFQ
ECAD 2978 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 475 ОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 500 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B4K30RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B4K30RWS 14.2800
RFQ
ECAD 6209 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 4.3 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B68D1RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B68D1RWS 14.2800
RFQ
ECAD 6993 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 1% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 68,1 О ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H08B68H0RWS Vishay Dale Thin Film M55342H08B68H0RWS 14.2800
RFQ
ECAD 4811 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2010 Поднос Актифен ± 2% -65 ° С ~ 150 ° С. - 0,209 "L x 0,098" W (5,31 мм х 2,49 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2010 (5025 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 68 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2010 ГОД СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,8 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B120DRWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B120DRWS 15.0024
RFQ
ECAD 1643 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 120 ОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B124ERWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B124ERWS 15.0024
RFQ
ECAD 2973 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 124 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B1F00RWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B1F00RWS 15.0024
RFQ
ECAD 9707 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 1 момс ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B1F80RWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B1F80RWS 15.0024
RFQ
ECAD 4716 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 1,8 мкм ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B20D0RWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B20D0RWS 15.0024
RFQ
ECAD 8923 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 20 ОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B28D0RWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B28D0RWS 15.0024
RFQ
ECAD 8908 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 28 ОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B39H0RTS Vishay Dale Thin Film M55342H09B39H0RTS 15.0024
RFQ
ECAD 5463 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 39 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B560HRT0 Vishay Dale Thin Film M55342H09B560HRT0 7 8553
RFQ
ECAD 4045 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 560 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 100 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B560HRT5 Vishay Dale Thin Film M55342H09B560HRT5 3.4506
RFQ
ECAD 9933 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 560 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 500 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B560HRWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B560HRWS 15.0024
RFQ
ECAD 4575 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 560 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B62G0RWS Vishay Dale Thin Film M55342H09B62G0RWS 15.0024
RFQ
ECAD 6548 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Поднос Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 62 О ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H09B64E9RTS Vishay Dale Thin Film M55342H09B64E9RTS 15.0024
RFQ
ECAD 5719 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM2512 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,259 "L x 0,124" W (6,58 мм x 3,15 мм) 0,033 "(0,84 мм) 2512 (6432 МЕТРИКА) Верна, neainduktivnhene M55342 64,9 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 2512 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 1 Вт 2 ТОНКА
M55342H10B101BRWS Vishay Dale Thin Film M55342H10B101BRWS 13.4944
RFQ
ECAD 3086 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1010 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,100" w (267 мм х 2,54 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 101 Kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 1010 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,5 м, 1/2 2 ТОНКА
M55342H10B1B00RWS Vishay Dale Thin Film M55342H10B1B00RWS 13.4944
RFQ
ECAD 6202 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1010 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,100" w (267 мм х 2,54 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1 kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 1010 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,5 м, 1/2 2 ТОНКА
M55342H10B1E00RWS Vishay Dale Thin Film M55342H10B1E00RWS 13.4944
RFQ
ECAD 3065 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1010 Поднос Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,100" w (267 мм х 2,54 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 1 kohms ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 1010 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,5 м, 1/2 2 ТОНКА
M55342H10B2B49RWS Vishay Dale Thin Film M55342H10B2B49RWS 13.4944
RFQ
ECAD 3814 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM1010 Поднос Актифен ± 0,1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,105 "L x 0,100" w (267 мм х 2,54 мм) 0,033 "(0,84 мм) NeStAndartnый Верна, neainduktivnhene M55342 2.49 Ком ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 1010 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 1 0,5 м, 1/2 2 ТОНКА
M55342H06B147DRTS Vishay Dale Thin Film M55342H06B147DRTS 12.9088
RFQ
ECAD 8715 0,00000000 Врожден ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-55342, RM0705 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 150 ° С. 0,080 "L x 0,050" W (2,03 мк x 1,27 мм) 0,033 "(0,84 мм) 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Верна, neainduktivnhene M55342 147 ОМ ± 50 мклд/млн/° С. R (0,01%) 0705 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8533.21.0030 25 0,15 2 ТОНКА
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе