SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Прилонья Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Сопротивейн (ом) ТИП ССЕЕМы Колист КОГФИГИОН СОПОСАЛЕВЕВА Rerзy-ratio-dreйf Колист Власть на
S42C163121JP CTS Resistor Products S42C163121JP 0,1518
RFQ
ECAD 4758 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,063" W (6,40 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 2506, vvognuethe, ddlinnnhe bocokowse totrmieNalы ± 200 мклд/° C. 2506 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C163121JPTR Ear99 8533.21.0020 4000 120 Иолирована 8 - - 16 63 м
S42C083132JP CTS Resistor Products S42C083132JP 0,0680
RFQ
ECAD 4414 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083132JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 1,3К Иолирована 4 - - 8 63 м
S42X083180FP CTS Resistor Products S42X083180FP 0,0560
RFQ
ECAD 4768 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083180FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 18 Иолирована 4 - - 8 63 м
S42X083751FP CTS Resistor Products S42X083751FP 0,0560
RFQ
ECAD 7464 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083751FPTR Ear99 8533.21.0020 5000 750 Иолирована 4 - - 8 63 м
S41X083101GP CTS Resistor Products S41x083101GP 0,0269
RFQ
ECAD 3741 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083101GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 100 Иолирована 4 - - 8 31 м
S42C083561GP CTS Resistor Products S42C083561GP 0,0813
RFQ
ECAD 7425 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), ВОЗ ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C083561GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 560 Иолирована 4 - - 8 63 м
S42X083333JP CTS Resistor Products S42X0833333JP 0,0412
RFQ
ECAD 5797 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X08333333JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 33К Иолирована 4 - - 8 63 м
S42C043151GP CTS Resistor Products S42C043151GP 0,0600
RFQ
ECAD 4492 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,063 "L x 0,063" W (1,60 мм х 1,60 мм) 0,022 "(0,55 мм) Пефер 0606, vvognuetый ± 200 мклд/° C. 0606 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42C043151GPTR Ear99 8533.21.0020 5000 150 Иолирована 2 - - 4 63 м
77061682P CTS Resistor Products 77061682P 0,6488
RFQ
ECAD 1971 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,600 "L x 0,098" W (15,24 мм x 2,50 мк) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 6-sip ± 100 мклд/млн/° С. 6-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-61-R6,8 Кп Ear99 8533.21.0050 1000 6,8K Авторс 5 - - 6 100 м
S41X083911JP CTS Resistor Products S41X083911JP 0,0226
RFQ
ECAD 5878 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083911JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 910 Иолирована 4 - - 8 31 м
745C101152JP CTS Resistor Products 745C101152JP 0,1408
RFQ
ECAD 9520 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 745 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,252 "L x 0,126" W (6,40 мм х 3,20 мм) 0,028 "(0,70 мм) Пефер 2512 (6432 МЕТРИКА), ВОЗ 745C101 ± 250ppm/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 4000 1,5 л.С. Авторс 8 - - 10 63 м
S41X083133JP CTS Resistor Products S41X083133JP 0,0226
RFQ
ECAD 9453 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083133JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 13K Иолирована 4 - - 8 31 м
767163392GP CTS Resistor Products 767163392GP 1.2132
RFQ
ECAD 2612 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 767 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,440 "L x 0,220" W (11,18 мм x 5,59 мм) 0,093 "(2,36 мм) Пефер 16 SOIC (0,220 ", Ирин 5,59 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 767-163-r3,9 кп Ear99 8533.21.0010 43 3.9k Иолирована 8 - - 16 200 м
S41X083132FP CTS Resistor Products S41x083132FP 0,0311
RFQ
ECAD 6182 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083132FPTR Ear99 8533.21.0020 10000 1,3К Иолирована 4 - - 8 31 м
77081102P CTS Resistor Products 77081102P 0,6400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,800 "L x 0,098" W (20,32 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 8-sip ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-81-R1KP Ear99 8533.21.0050 1000 1K Авторс 7 - - 8 100 м
S40X043472JP CTS Resistor Products S40X043472JP 0,0901
RFQ
ECAD 8779 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043472JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 4,7K Иолирована 2 - - 4 31 м
77081221P CTS Resistor Products 77081221P 0,6300
RFQ
ECAD 615 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,800 "L x 0,098" W (20,32 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 8-sip ± 100 мклд/млн/° С. 8-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-81-R220p Ear99 8533.21.0050 1000 220 Авторс 7 - - 8 100 м
752125201APTR7 CTS Resistor Products 752125201APTR7 1.6251
RFQ
ECAD 3521 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 752 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,665 "L x 0,080" W (16,89 мм x 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 12-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 1000 220, 1,8K Дво 20 - - 12 80 м
770103512P CTS Resistor Products 770103512P 0,6528
RFQ
ECAD 5389 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 1000 "L x 0,098" W (25,40 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-103-R5,1 Кп Ear99 8533.21.0050 1000 5,1K Иолирована 5 - - 10 100 м
S41X083513JP CTS Resistor Products S41X083513JP 0,0226
RFQ
ECAD 9919 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083513JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 51K Иолирована 4 - - 8 31 м
S41C083272JP CTS Resistor Products S41C083272JP 0,0481
RFQ
ECAD 5368 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083272JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2.7K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
S41C083242GP CTS Resistor Products S41C083242GP 0,0560
RFQ
ECAD 3756 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41C083242GPTR Ear99 8533.21.0020 10000 2.4K Иолирована 4 - - 8 31,25 м
770103330P CTS Resistor Products 770103330p 0,6528
RFQ
ECAD 1727 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 770 МАССА Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 1000 "L x 0,098" W (25,40 мм x 2,50 мм) 0,195 "(4,95 мм) Чereз dыru 10-sip ± 100 мклд/млн/° С. 10-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 770-103-R33P Ear99 8533.21.0050 1000 33 Иолирована 5 - - 10 100 м
S40X043243JP CTS Resistor Products S40X043243JP 0,0901
RFQ
ECAD 8127 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,033 "L x 0,024" W (0,85 мм х 0,60 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0302 (0805 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 0302 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S40X043243JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 24K Иолирована 2 - - 4 31 м
S42X083361JP CTS Resistor Products S42X083361JP 0,0412
RFQ
ECAD 4604 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,126 "L x 0,063" W (3,20 мм х 1,60 мм) 0,024 "(0,60 мм) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА), В.Пуклый, Делинн. ± 200 мклд/° C. 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S42X083361JPTR Ear99 8533.21.0020 5000 360 Иолирована 4 - - 8 63 м
767161622JPTR13 CTS Resistor Products 767161622JPTR13 -
RFQ
ECAD 2979 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 60-767161622JPTR13TR Ear99 8533.21.0020 2000
S41X083104JP CTS Resistor Products S41x083104JP 0,0226
RFQ
ECAD 7912 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,079 "L x 0,039" W (2,00 мм х 1,00 мм) 0,018 "(0,45 мм) Пефер 0804, vыpupklый, делинн. ± 200 мклд/° C. 0804 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X083104JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 100 л.С. Иолирована 4 - - 8 31 м
766163101GP CTS Resistor Products 766163101GP 2.6000
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 766 Трубка Актифен ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,390 "L x 0,154" W (9,90 мм x 3,90 мм) 0,069 "(1,75 мм) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ± 100 мклд/млн/° С. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 766-163-R100P Ear99 8533.21.0010 49 100 Иолирована 8 - - 16 160 м
S41X043113JP CTS Resistor Products S41x043113jp 0,0198
RFQ
ECAD 1723 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS S4X Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0,039 "L x 0,039" w (1,00 мк х 1,00 мм) 0,016 "(0,40 мм) Пефер 0404 (1010 МЕТРИКА), В.Пуклый ± 200 мклд/° C. 0404 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 60-S41X043113JPTR Ear99 8533.21.0020 10000 11K Иолирована 2 - - 4 63 м
752083102JP CTS Resistor Products 752083102JP -
RFQ
ECAD 8595 0,00000000 ProDOKTы rEзISTORA CTS 752 МАССА Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,465 "L x 0,080" W (11,81 мм x 2,03 мм) 0,100 "(2,53 мм) Пефер 8-SRT ± 200 мклд/° C. - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8533.21.0020 250 1K Иолирована 4 - - 8 160 м
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе