SIC
close

Оптические датчики(26)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет Внешнее приближение Длина волны Угол обзора Время ответа Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Тип диода Цвет — улучшенный Спектральный диапазон Чувствительность @ нм Текущий — Темный (тип.) Активная область
S-120VL OSI Optoelectronics, Inc. С-120ВЛ 30.7900
запросить цену
 ECAD 103 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Паяемый чип Масса Активный - Свободное подвешивание Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. С-120 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 970 нм - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм - 105,7 мм²
FCI-INGAAS-3000-20 OSI Optoelectronics, Inc. ФЦИ-ИНГААС-3000-20 193.1989
запросить цену
 ECAD 6466 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. FCI-InGaAs-XXX-X Сумка Активный -40°С ~ 75°С Сквозное отверстие Вариант ТО-5, 3 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива ФЦИ-ИНГААС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 20 1550 нм - - 2 В - - 900 нм ~ 1700 нм 0,9 А/Вт при 1310 Нм, 0,95 А/Вт при 1550 Нм - 3 мм²
FCI-H125G-010 OSI Optoelectronics, Inc. ФЦИ-H125G-010 28,7499
запросить цену
 ECAD 5402 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 75°С Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-4 Фотодетектор, логический выход ФЦИ-H125 Аналоговое напряжение скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 20 850 нм
QD7-0-SD OSI Optoelectronics, Inc. QD7-0-SD 295,9200
запросить цену
 ECAD 77 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. О нас Масса Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие Вариант ТО-5, 5 выводов, металлическая банка с верхней крышкой объектива КД7-0 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 900 нм - 10 нс 30 В - - - 0,54 А/Вт при 900 нм 15нА 7 мм²
A5V-38 OSI Optoelectronics, Inc. А5В-38 184,8300
запросить цену
 ECAD 85 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Многоэлементный массив Сумка Активный -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие Массив — 38 элементов скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 - - - Плоская диффузия - - 0,6 А/Вт при 970 нм - 3,9 мм²
A2V-16 OSI Optoelectronics, Inc. А2В-16 57.3300
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Многоэлементный массив Случай Активный -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие Массив — 16 элементов скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 35 - - - Плоская диффузия - - 0,6 А/Вт при 970 нм - 1,92 мм²
SC-25D OSI Optoelectronics, Inc. СК-25Д 745.9700
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Канистра Активный 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие Радиальный СК-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1 670 нм - 5 мкс - - - 0,42 А/Вт при 670 нм 100нА 350 мм²
A5C-38 OSI Optoelectronics, Inc. А5С-38 179,5000
запросить цену
 ECAD 66 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Многоэлементный массив Случай Активный -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие Массив — 38 элементов скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 - - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм 50пА 3,9 мм²
S-10VL OSI Optoelectronics, Inc. С-10ВЛ 6,9884
запросить цену
 ECAD 9448 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Паяемый чип Масса Активный - Свободное подвешивание Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. С-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 970 нм - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм - 9,6 мм²
PIN-005D-254F OSI Optoelectronics, Inc. ПИН-005Д-254Ф 134,7600
запросить цену
 ECAD 75 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива ПИН-005 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 254 нм - 100 нс Плоская диффузия Ультрафиолетовый (УФ) - 0,025 А/Вт при 550 нм - 5,7 мм²
OSD1-E OSI Optoelectronics, Inc. OSD1-E 16,4285
запросить цену
 ECAD 5226 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Э Поднос Активный -25°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-18-2 Металлическая банка экранное меню1 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 550 нм - - 15 В - Синий 350 нм ~ 850 нм - 200пА 1 мм²
S-100CL OSI Optoelectronics, Inc. С-100КЛ 21.8400
запросить цену
 ECAD 420 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Паяемый чип Масса Активный - Свободное подвешивание Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. С-100 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 970 нм - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм 600 нА (макс.) 93,4 мм²
PIN-4X4D OSI Optoelectronics, Inc. ПИН-4X4D 204.2200
запросить цену
 ECAD 72 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. 4X4D Поднос Активный -20°С ~ 60°С Поверхностный монтаж 48-CLCC ПИН-4X4 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 850 нм - - - - - - - 1,96 мм²
QD50-0-SD OSI Optoelectronics, Inc. QD50-0-SD 388,5200
запросить цену
 ECAD 6921 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. О нас Масса Активный -40°С ~ 100°С Сквозное отверстие Стиль ТО-8, 6 отведений КД50-0 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 900 нм - 10 нс 30 В - - - 0,54 А/Вт при 900 нм 30нА 50 мм²
PIN-10DF OSI Optoelectronics, Inc. ПИН-10ДФ 431.0550
запросить цену
 ECAD 9327 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Фотоэлектрический Канистра Активный 0°С ~ 70°С Монтаж на панели Модуль ПИН-10 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 - - - Плоская диффузия - - 0,15 А/Вт при 550 Нм - 100 мм²
OSD5-E OSI Optoelectronics, Inc. OSD5-E 35.2260
запросить цену
 ECAD 6645 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Э Поднос Активный -25°С ~ 85°С Сквозное отверстие Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива OSD5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 20 550 нм - - 15 В - Синий 350 нм ~ 850 нм - 500пА 5 мм²
FCI-H125G-010L OSI Optoelectronics, Inc. ФЦИ-H125G-010L 38.5800
запросить цену
 ECAD 85 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 75°С Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-4 Фотодетектор, логический выход ФЦИ-H125 Аналоговое напряжение скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 20 850 нм
A5C-35 OSI Optoelectronics, Inc. А5С-35 196,8300
запросить цену
 ECAD 91 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Многоэлементный массив Случай Активный -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие Массив — 35 элементов скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 - - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм 50пА 3,9 мм²
PIN-10AP-1 OSI Optoelectronics, Inc. ПИН-10АП-1 448.3000
запросить цену
 ECAD 43 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Канистра Активный 0°С ~ 70°С Монтаж на панели Модуль ПИН-10 Текущий - - скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 Нет
A2V-76 OSI Optoelectronics, Inc. А2В-76 527,9900
запросить цену
 ECAD 43 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Многоэлементный массив Случай Активный -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие Массив — 76 элементов скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 970 нм - - Плоская диффузия - - 0,50 А/Вт при 970 нм - 1,8 мм²
OSD60-E OSI Optoelectronics, Inc. OSD60-E 105.4900
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Э Поднос Активный -25°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-233АА, ТО-8-3 Металлическая банка с верхней крышкой объектива OSD60 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 550 нм - - 15 В - Синий 350 нм ~ 850 нм - 8нА 100 мм²
S-100VL OSI Optoelectronics, Inc. С-100ВЛ 21.8400
запросить цену
 ECAD 63 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Паяемый чип Сумка Активный - Поверхностный монтаж Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. С-100 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 970 нм - - Плоская диффузия - - 0,65 А/Вт при 970 нм - 93,4 мм²
SC-10D OSI Optoelectronics, Inc. СК-10Д 119.2400
запросить цену
 ECAD 80 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. - Канистра Активный 0°С ~ 70°С Сквозное отверстие Радиальный СК-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 670 нм - 1 мкс - - - 0,42 А/Вт при 670 нм 250 нА 103 мм²
SPOT-4DUV OSI Optoelectronics, Inc. СПОТ-4ДУВ 69.2000
запросить цену
 ECAD 101 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. МЕСТО Поднос Активный -10°С ~ 60°С Сквозное отверстие Вариант ТО-5, 5 выводов, металлическая банка с верхней крышкой объектива СПОТ-4 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 10 950 нм - 10 мкс 5 В - - 400 нм ~ 1100 нм 0,1 А/Вт при 257 нм - 1,61 мм²
FCI-INGAAS-1500 OSI Optoelectronics, Inc. ФЦИ-ИНГААС-1500 87.8200
запросить цену
 ECAD 192 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. FCI-InGaAs-XXX-X Поднос Активный -40°С ~ 75°С Сквозное отверстие Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 ФЦИ-ИНГААС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 20 1550 нм - - 2 В - - 900 нм ~ 1700 нм 0,9 А/Вт при 1310 Нм, 0,95 А/Вт при 1550 Нм - 1,5 мм²
PIN-10DP/SB OSI Optoelectronics, Inc. ПИН-10ДП/СБ 98.4200
запросить цену
 ECAD 71 0,00000000 ОСИ Оптоэлектроника, Инк. Фотоэлектрический Канистра Активный -10°С ~ 60°С Монтаж на панели Модуль ПИН-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.1050 1 410 нм - 2 мкс Плоская диффузия - - 0,2 А/Вт при 410 нм - 100 мм²
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.