SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Wshod Napraheneee - posta Вернояж Eccn Htsus Станодар Файнкхия Programmirueemый typ ТОК - Постка (МАКС) Baзowый rerзonator ЧSTOTNARYAVENSPARINOSTHSTH Абсолнгендэапан Тэйги (аплель) RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra Ток - Посткака (отклшит) (макс) ДОСТУПНА ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я
501JBA-ABAG Silicon Labs 501jba-abag -
RFQ
ECAD 4982 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501JBA LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501PCH-ADAF Silicon Labs 501pch-adaf -
RFQ
ECAD 6086 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501pch LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
501KBB-ABAF Silicon Labs 501KBB-ABAF -
RFQ
ECAD 7839 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501KBB LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501NBF-ACAG Silicon Labs 501nbf-acag -
RFQ
ECAD 2161 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501NBF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501KCA-ADAG Silicon Labs 501kca-adag -
RFQ
ECAD 9612 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501KCA LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
502KAA-ABAF Silicon Labs 502KAA-ABAF -
RFQ
ECAD 9141 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502KAA LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
504JAA-BCAG Silicon Labs 504JAA-BCAG -
RFQ
ECAD 8229 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI504 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 504JAA LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501HAF-ADAF Silicon Labs 501HAF-ADAF -
RFQ
ECAD 8798 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501HAF LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501MAB-ADAF Silicon Labs 501mab-adaf -
RFQ
ECAD 1718 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501mab LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
503JBB-ADAF Silicon Labs 503jbb-adaf -
RFQ
ECAD 6579 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI503 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 503JBB LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
502NCC-ABAG Silicon Labs 502ncc-abag -
RFQ
ECAD 3236 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502NCC LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
501JAB-ADAG Silicon Labs 501JAB-ADAG -
RFQ
ECAD 3061 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501jab LVCMOS 3,3 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
502ACE-ADAF Silicon Labs 502ace-Adaf -
RFQ
ECAD 9955 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502ACE LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 6,5 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
501AAA50M0000BAFR Silicon Labs 501AAA50M0000BAFR -
RFQ
ECAD 8798 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 50 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501BAA50M0000DAGR Silicon Labs 501BAA50M0000DAGR -
RFQ
ECAD 6195 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 50 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501JAA40M0000CAFR Silicon Labs 501JAA40M0000CAFR -
RFQ
ECAD 8916 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 40 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 50 млр - - 4,9 мая
501HCA26M0000CAGR Silicon Labs 501HCA26M0000CAGR -
RFQ
ECAD 8396 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 26 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
501HCA27M0000DAGR Silicon Labs 501HCA27M0000DAGR -
RFQ
ECAD 7044 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
501AAA27M0000BAFR Silicon Labs 501AAA27M0000BAFR -
RFQ
ECAD 7212 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501HCA26M0000DAFR Silicon Labs 501HCA26M0000DAFR -
RFQ
ECAD 5544 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 26 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
501NAH-ACAG Silicon Labs 501nah-acag -
RFQ
ECAD 3584 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501NAH LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501HCA27M0000BAGR Silicon Labs 501HCA27M0000BAGR -
RFQ
ECAD 6073 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 27 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
502KAC-ADAF Silicon Labs 502Kac-Adaf -
RFQ
ECAD 2346 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502Kac LVCMOS 2,5 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 50 млр
501HBL-ADAG Silicon Labs 501HBL-ADAG -
RFQ
ECAD 7633 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501HBL LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 30 млр
501ACA100M000BAGR Silicon Labs 501ACA100M000BAGR -
RFQ
ECAD 2454 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 100 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 6,5 мая Мемс ± 20 а - - 2,5 мая
501JCA25M0000BAFR Silicon Labs 501JCA25M0000BAFR -
RFQ
ECAD 8895 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 25 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 1500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 4,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
501AAA50M0000DAFR Silicon Labs 501aaa50m0000dafr -
RFQ
ECAD 1523 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 50 мг LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 2,5 мая Мемс ± 50 млр - - 2,5 мая
501JCA100M000DAFR Silicon Labs 501JCA100M000DAFR -
RFQ
ECAD 9823 0,00000000 Силиконо SI501 Lenta и катахка (tr) Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 100 мг LVCMOS 3,3 В. 2 (1 годы) Ear99 8542.39.0001 2500 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ 8,9 мая Мемс ± 20 а - - 4,9 мая
501HCA-ABAG Silicon Labs 501HCA-ABAG -
RFQ
ECAD 1388 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI501 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. - 0,157 "L x 0,126" W (4,00 мм x 3,20 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 501HCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
502MCA-ADAF Silicon Labs 502mca-adaf -
RFQ
ECAD 8306 0,00000000 Силиконо CMEMS® SI502 Поднос Управо -20 ° C ~ 70 ° C. - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 мм х 2,00 мм) 0,035 "(0,90 мм) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA CMEMS® 502MCA LVCMOS 1,7 В ~ 3,6 В. 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1 ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ Зaprogrammirowano sic (взволнованный 8,9 мая Мемс - - 1 мка 32 К. ± 20 а
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе