- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синдхи
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Крипраллл, осилллоры, reзonatorы (5864)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | Руэйнги | Raзmer / yзmerenee | Веса - Синяя (МАКСИМУМ) | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТИП | Baзowый nomer prodikta | Wshod | Napraheneee - posta | Вернояж | Eccn | Htsus | Станодадж | Файнкхия | Programmirueemый typ | ТОК - Постка (МАКС) | Baзowый rerзonator | ЧSTOTNARYAVERSAPARYNOSTHSTH | RaSproStraneneeperpupusknoй pososobnosti opektra | Ток - Посткака (отклшит) (макс) | ДОСТУПНА | ЧStoTnavanyavanyavangynyavanyshstath (obщ -я |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 502nbd-acaf | - |  | 4894 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502nbd | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 502nbd-acag | - | | 5226 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502nbd | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 502ncf-acaf | - | | 3157 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502NCF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 502PAA-ACAF | - | | 4628 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PAA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502PAC-ACAF | - | | 7063 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PAC | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502PAD-ACAG | - | | 8205 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502Pad | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502pae-acag | - | | 5942 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502pae | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502paf-acag | - | | 3522 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PAF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 502pbf-acaf | - | | 5528 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PBF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 502pbf-acag | - | | 4559 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502PBF | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 502pce-acag | - | | 2321 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502pce | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 502pcf-acaf | - | | 7167 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI502 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 502pcf | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 8,9 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503aab-acaf | - | | 3489 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503aab | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503aab-acag | - | | 7964 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503aab | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503Aba-acaf | - | | 5253 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503ABA | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 503abb-acaf | - | | 7790 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503ABB | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 503ака-а-акаф | - | | 4797 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503ака | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503ака-а-а | - | | 3506 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503ака | LVCMOS | 1,7 В ~ 3,6 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503baa-acag | - | | 9409 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503BAA | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503bab-acaf | - | | 1217 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503BAB | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503bba-acag | - | | 7237 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503BBA | LVCMOS | 3,3 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 503CAA-ACAF | - | | 8272 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503CAA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503cba-acaf | - | | 6943 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503CBA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр | |
| 503CCA-ACAF | - | | 3813 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503CCA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503CCA-ACAG | - | | 9266 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503CCA | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503ccb-acag | - | | 2506 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503ccb | LVCMOS | 2,5 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 20 aSteй naйцaх | |
| 503daa-acaf | - | | 8955 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503DAA | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503daa-acag | - | | 5250 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503DAA | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503dab-acaf | - | | 3260 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -20 ° C ~ 70 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503dab | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 50 млр | |
| 503dba-acag | - | | 4950 | 0,00000000 | Силиконо | CMEMS® SI503 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C. | - | 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) | 0,035 "(0,90 мм) | Пефер | 4-SMD, neTLIDERSTVA | CMEMS® | 503dba | LVCMOS | 1,8 В. | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ВКЛИТА/ОТКЛИТИТ | Зaprogrammirowano sic (взволнованный | 6,5 мая | Мемс | - | - | 1 мка | 32 К. | ± 30 млр |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)