SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
FM4001W-W Rectron USA FM4001W-W 0,0350
RFQ
 ECAD 4513 0,00000000 Rectron USA - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода Smx СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2516-FM4001W-WTR Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
CR3-060GPP BK Central Semiconductor Corp CR3-060GPP BK -
RFQ
 ECAD 4300 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CR3-060GPPBK Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 V @ 3 a 5 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
SS16L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RQG -
RFQ
 ECAD 4967 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1N1193A Microchip Technology 1n1193a 75 5700
RFQ
 ECAD 2913 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n1193 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 150 1,19 В @ 90 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 40a -
SK510AFL-TP-HF Micro Commercial Co SK510AFL-TP-HF -
RFQ
 ECAD 8472 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SK510 ШOTKIй DO-221AC (SMA-FL) СКАХАТА 353-SK510AFL-TP-HF Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 200 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A 170pf @ 4V, 1 мгха
MSC030SDA170B Microchip Technology MSC030SDA170B 24.6700
RFQ
 ECAD 6268 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 MSC030 Sic (kremniewый karbid) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1700 В. 1,8 В @ 30 a 0 м 200 мк @ 1700 -55 ° C ~ 175 ° C. 82а 2070pf @ 1V, 1 мгха
ES3J R7 Taiwan Semiconductor Corporation ES3J R7 -
RFQ
 ECAD 8044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3JR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
HSB83YP-JTR-E Renesas Electronics America Inc HSB83YP-JTR-E 0,1700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1
JAN1N5618/TR Microchip Technology Январь 5618/tr 4.6350
RFQ
 ECAD 7092 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/427 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru А, осево Станода А, осево - Rohs3 DOSTISH 150 января 5618/tr Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.3 V @ 3 a 2 мкс 500 NA @ 600 -65 ° C ~ 200 ° C. 1A -
BAV101-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV101-GS18 0,2100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAV101 Станода SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 100 май 50 млн 100 na @ 100 v 175 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
JANTX1N5614US Microchip Technology Jantx1n5614us 9.4050
RFQ
 ECAD 9920 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/437 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, A 1n5614 Станода D-5A СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.3 V @ 3 a 2 мкс 500 NA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 1A -
SK32AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32AHR3G -
RFQ
 ECAD 4554 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK32 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
ABAV21W-HF Comchip Technology ABAV21W-HF 0,0582
RFQ
 ECAD 5333 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 ABAV21 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-ABAV21W-HFTR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 250 150 ° С 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
ES3F R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3F R6 -
RFQ
 ECAD 1492 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3FR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
RS1PJ-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1PJ-M3/84A 0,0869
RFQ
 ECAD 9147 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA Rs1p Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SRAF560 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF560 -
RFQ
 ECAD 5076 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Sraf560 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SDB06S60 Infineon Technologies SDB06S60 -
RFQ
 ECAD 3891 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SDB06S Sic (kremniewый karbid) PG-TO220-3-45 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 600 1,7 - @ 6 a 0 м 200 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 300pf @ 0v, 1 мгест
S1KBH Taiwan Semiconductor Corporation S1KBH 0,0964
RFQ
 ECAD 9424 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S1K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
NRVBA160NT3G onsemi NRVBA160NT3G 0,4400
RFQ
 ECAD 5634 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA NRVBA160 ШOTKIй СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 510 мВ @ 1 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BY398 Diotec Semiconductor By398 0,0951
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-by398tr 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 V @ 3 a 500 млн 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
DSB1A50/TR Microchip Technology DSB1A50/TR -
RFQ
 ECAD 8338 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO041, OSEVOй ШOTKIй, ОБРАНА АНФОЛЯ DO-41 - DOSTISH 150-DSB1A50/TR Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 600 мВ @ 1 a 100 мк -прри 50 - 1A -
PMEG3010EGWX Nexperia USA Inc. PMEG3010EGWX 0,3500
RFQ
 ECAD 1548 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 PMEG3010 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 560 мВ @ 1 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 1A 55pf @ 1V, 1 мгест
ES1JF-T Taiwan Semiconductor Corporation Es1jf-t 0,0958
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1JF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWH06FNTR-M3 0,8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 6EWH06 Станода D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2.1 V @ 6 a 27 млн 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
VBT3080S-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3080S-M3/8W 0,7730
RFQ
 ECAD 1809 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB VBT3080 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 950 мВ @ 30 a 1 мка При 80 В -55 ° C ~ 150 ° С. 30A -
MUR1040 Yangjie Technology MUR1040 0,3530
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MUR1040TR Ear99 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 10 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 160pf @ 4V, 1 мгха
1A7-AP Micro Commercial Co 1a7-ap -
RFQ
 ECAD 2082 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru R-1, osevoй 1A7 Станода R-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1N5061 TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5061 tr pbfree 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Прохл Чereз dыru R-1, osevoй Станода GPR-1A СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 - @ 1 a 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SS16LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHMQG -
RFQ
 ECAD 2111 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
FR302G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR302G A0G -
RFQ
 ECAD 1681 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR302 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть