SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
V3P6-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3P6-M3/85A 0,1213
RFQ
 ECAD 2420 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA V3p6 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 630 мВ @ 3 a 900 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 2.4a 250pf @ 4V, 1 мгест
SD200SC100A1.T2 SMC Diode Solutions SD200SC100A1.T2 1.8887
RFQ
 ECAD 7072 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD200 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0040 490 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 870 мВ @ 60 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 200 ° C. 60A 1500pf @ 5V, 1 мгест
GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252 3.9210
RFQ
 ECAD 5850 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk SIC Schottky MPS ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 GC10MPS12 Sic (kremniewый karbid) 252-2 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,8 В @ 10 a 0 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 50 часов 660pf @ 1V, 1 мгха
R7013803XXUA Powerex Inc. R7013803XXUA -
RFQ
 ECAD 9876 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-200AA, A-Puk R7013803 Ставень, обратно DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 3800 В. 2,15 Е @ 1500 А 9 мкс 50 май @ 3800 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
SD200SA60B.T SMC Diode Solutions SD200SA60B.T 3.5222
RFQ
 ECAD 7647 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD200 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0040 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 60 a 6 май @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 60A 2400pf @ 5V, 1 мгха
MBRF10200 SMC Diode Solutions MBRF10200 0,8900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF1020 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-1099 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 10 a 1 мая @ 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
SS2H10-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H10-M3/5BT 0,1498
RFQ
 ECAD 9357 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SS2H10 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 2 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
JANTX1N5618 Semtech Corporation Jantx1n5618 -
RFQ
 ECAD 7154 0,00000000 Semtech Corporation * МАССА Пркрэно 1n5618 - Ear99 8541.10.0080 1
AR1PKHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PKHM3/84A 0,1980
RFQ
 ECAD 3109 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA AR1 Лавина DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,6 - @ 1 a 120 млн 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 8,5pf @ 4V, 1 мгха
1SS270ATD-E Renesas 1SS270ATD-E 1.0000
RFQ
 ECAD 7815 0,00000000 RerneзAs * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-1SS270ATD-E-1833 1
S3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation S3D R6 -
RFQ
 ECAD 5975 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S3DR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
ERT2EAFC_R1_00001 Panjit International Inc. Ert2eafc_r1_00001 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Ert2e Станода SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-ert2eafc_r1_00001ct Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,25 - @ 2 a 25 млн 1 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
S1T-HF Comchip Technology S1T-HF 0,0720
RFQ
 ECAD 6207 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1T Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1300 В. 1.1 V @ 1 a 5 мка @ 1300 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A -
S12GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC R6 -
RFQ
 ECAD 6881 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12GCR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 12 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
PG5401_R2_00001 Panjit International Inc. PG5401_R2_00001 0,0783
RFQ
 ECAD 1022 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй PG5401 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 60 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,2 V @ 3 a 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
RFN5TF6SFHC9 Rohm Semiconductor Rfn5tf6sfhc9 1.6900
RFQ
 ECAD 862 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Rfn5t Станода DO-220NFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,55 В @ 5 a 50 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 5A -
RS1PGHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1PGHE3/85A -
RFQ
 ECAD 8908 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA Rs1 Станода DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation SR105H -
RFQ
 ECAD 5265 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR105HTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
MER2DMB-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. Mer2dmb-au_r2_006a1 0,4900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Mer2d Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 2 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
JANTXV1N6629US Microsemi Corporation Jantxv1n6629us -
RFQ
 ECAD 7985 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, e 1n6629 Станода D-5B СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,4 Е @ 1,4 а 60 млн 2 мк -65 ° С ~ 150 ° С. 1.4a 40pf @ 10 v, 1 мгновение
QD406S_S2_00001 Panjit International Inc. QD406S_S2_00001 -
RFQ
 ECAD 4227 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 QD406 Станода 252 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 - @ 4 a 60 млн 3 мка пр. 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
RS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2gfl 0,0888
RFQ
 ECAD 3065 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS2GFLTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 16pf @ 4V, 1 мгест
SS1FH6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FH6-M3/H. 0,4400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS1FH6 ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 3 мка рри 60 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 90pf @ 4V, 1 мгха
BAS21HT1G Fairchild Semiconductor BAS21HT1G -
RFQ
 ECAD 4608 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен BAS21 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BAS21HT1G-600039 Ear99 8541.10.0070 1
IDD04S60CBUMA1 Infineon Technologies IDD04S60CBUMA1 -
RFQ
 ECAD 9614 0,00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IDD04S60 Sic (kremniewый karbid) PG-TO252-3-11 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 600 1,9 В @ 4 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 5.6A 130pf @ 1V, 1 мгест
G3S12020A Global Power Technology Co. Ltd G3S12020A -
RFQ
 ECAD 8712 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC - Продан 4436-G3S12020A 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 В @ 120 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 73а 2600pf @ 0V, 1 мгновение
SMD16PLHE3-TP Micro Commercial Co SMD16PLHE3-TP 0,0848
RFQ
 ECAD 4766 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер SOD-123F SMD16 ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА 353-SMD16PLHE3-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
SS310AQ Yangjie Technology SS310AQ 0,0960
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS310AQTR Ear99 7500
UG5J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG5J C0G -
RFQ
 ECAD 2398 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UG5J Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3 V @ 5 A 20 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BAT43WS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT43WS-HE3-18 0,0570
RFQ
 ECAD 4989 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAT43 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 450 м. 5 млн 500 NA @ 25 V 125 ° C (MMAKS) 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть