SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
WNSC5D04650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650D6J -
RFQ
 ECAD 6469 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 WNSC5 Sic (kremniewый karbid) Dpak - 1740-WNSC5D04650D6JTR Ear99 8541.10.0080 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 4 a 0 м 20 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 138pf @ 1V, 1 мгест
NTSV20120CTG Fairchild Semiconductor NTSV20120CTG 0,4900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156 NTSV20120CTG-600039 1
BAV20WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-HG3-18 0,0451
RFQ
 ECAD 1690 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 BAV20 Станода SOD-323 СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 150 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
STPSC2H065BY-TR STMicroelectronics STPSC2H065BY-TR 0,8336
RFQ
 ECAD 7620 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STPSC2 Sic (kremniewый karbid) Dpak - Rohs3 DOSTISH 497-stpsc2h065by-tr Ear99 8541.10.0080 2500 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 w @ 2 a 0 м 20 мк. -40 ° C ~ 175 ° C. 2A 135pf @ 0v, 1 мгест
VS-T85HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HF120 32.5440
RFQ
 ECAD 9557 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI D-55 T-MOUDIOL T85 Станода D-55 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 20 май @ 200 85а -
SFAF2007GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2007GH -
RFQ
 ECAD 4842 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFAF2007GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 20 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 150pf @ 4V, 1 мгест
NSR0620P2T5G onsemi NSR0620P2T5G 0,5100
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-923 NSR0620 ШOTKIй SOD-923 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 520 м. @ 500 мая 4 млн 9 мка @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 12pf @ 1V, 1 мгест
1N4148WHE3-TP Micro Commercial Co 1n4148whe3-tp 0,1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 1N4148 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 В @ 150 4 млн 1 мка При 75 -65 ° С ~ 150 ° С. 150 май 2pf @ 0v, 1 мгест
STPSC20H12DY STMicroelectronics STPSC20H12DY 7.3344
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Трубка Прохл Чereз dыru ДО-220-2 STPSC20 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-17163 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,5 - @ 20 a 0 м 120 мк -прри 1200 -40 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 1650pf @ 0v, 1 мгест
SL42HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL42HE3_A/i -
RFQ
 ECAD 6217 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SL42 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 420 м. @ 4 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 4 а -
G4S06515AT Global Power Technology Co. Ltd G4S06515AT -
RFQ
 ECAD 9527 0,00000000 Global Power Technology Co. Ltd - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC - Продан 4436-G4S06515AT 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 15 A 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 36A 645pf @ 0V, 1 мгха
MUR310S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR310S R6 -
RFQ
 ECAD 2657 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR310SR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 3 A 25 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
1N5815 Solid State Inc. 1n5815 6,5000
RFQ
 ECAD 6501 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N5815 Ear99 8541.10.0080 10 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 125 900 мВ @ 10 a 35 м 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 20 часов -
NTE599 NTE Electronics, Inc NTE599 3.2500
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220-2 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE599 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 15 A 35 м 500 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
U1J Yangjie Technology U1J 0,0520
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-u1jtr Ear99 3000
R4320 Microchip Technology R4320 102.2400
RFQ
 ECAD 1953 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода DO-205AA (DO-8) - DOSTISH 150-R4320 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
FR3BB-TP Micro Commercial Co FR3BB-TP 0,1020
RFQ
 ECAD 2731 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB FR3B Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА 353-FR3BB-TP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
D7G-T Diodes Incorporated D7G-T 0,0643
RFQ
 ECAD 4947 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru T1, OSEVOй D7G Станода T-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 1 A 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
SD060SC200A.T2 SMC Diode Solutions SD060SC200A.T2 0,1735
RFQ
 ECAD 6683 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD060 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0040 3240 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 920 мВ @ 3 a 70 мк -4 -55 ° C ~ 200 ° C. 3A 60pf @ 5V, 1 мгест
BAV19 Taiwan Semiconductor Corporation BAV19 0,0315
RFQ
 ECAD 5881 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAV19 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAV19TR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 120 1,25 Е @ 200 Ма 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
ES3JSMB Diotec Semiconductor ES3JSMB 0,3130
RFQ
 ECAD 7763 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-es3jsmbtr 8541.10.0000 48 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 30 млн 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
BAS16HYT116 Rohm Semiconductor BAS16HYT116 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° С 215 май 2pf @ 0v, 1 мгест
P3D06020K3 PN Junction Semiconductor P3D06020K3 8.8400
RFQ
 ECAD 2386 0,00000000 PN Junction Semiconductor P3d Трубка Актифен 247-3 Sic (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 4237-P3D06020K3 1 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 0 м 44 мк -55 ° C ~ 175 ° C. 82а
SB1100S Diotec Semiconductor SB1100S 0,0477
RFQ
 ECAD 8807 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB1100str 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 1 a 1 мая @ 100 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
SM4007 Diotec Semiconductor SM4007 0,0550
RFQ
 ECAD 1389 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2721-SM4007TR2 Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мк -пр. 1000 -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
SK510CH Taiwan Semiconductor Corporation SK510CH 0,2111
RFQ
 ECAD 2078 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
STTH6012W STMicroelectronics STTH6012W 6.0100
RFQ
 ECAD 8018 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен Чereз dыru Do-247-2 (pranhe-ledы) STTH6012 Станода DO-247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-5161-5 Ear99 8541.10.0080 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2,25 - @ 60 a 125 м 30 мк. 175 ° C (MMAKS) 60A -
ES1ALH Taiwan Semiconductor Corporation Es1alh 0,2565
RFQ
 ECAD 1044 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-es1alhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
VS-8ETH03STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8eth03Strrpbf -
RFQ
 ECAD 8358 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 8eth03 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Vs8eth03strrpbf Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,25 - @ 8 a 27 млн 20 мк @ 300 -65 ° C ~ 175 ° C. 8. -
SBRT20U60SP5-7 Diodes Incorporated SBRT20U60SP5-7 0,8500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Дидж Трентсбр Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SBRT20 Yperrarher Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 570 мВ @ 20 a 180 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть