SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BY228G Diotec Semiconductor By228g 0,3049
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый Продан 2796-BY228G 8541.10.0000 1700 1500 3A
S5240 Microchip Technology S5240 158.8200
RFQ
 ECAD 9418 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-S5240 1
R32100 Microchip Technology R32100 49.0050
RFQ
 ECAD 9255 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-R32100 1
JAN1N6872UTK2CS Microchip Technology Jan1n6872utk2cs 364.5450
RFQ
 ECAD 2017 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/469 МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Станода ThinKey ™ 2 - DOSTISH 150 января 68722tk2cs Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 V @ 400 мая -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
STR5100AFC_R1_00701 Panjit International Inc. Str5100AFC_R1_00701 0,4900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Str5100 ШOTKIй SMAF-C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757 STR5100AFC_R1_00701TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 740 мВ @ 5 a 50 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BAS16L-QYL Nexperia USA Inc. BAS16L-QYL 0,2400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-882 BAS16 Станода DFN1006-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° С 215 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
SE8D20G-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE8D20G-M3/H. 0,4700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода Slimsmaw (Do-221AD) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 2 A 1,2 мкс 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SE12DTLG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE12DTLG-M3/I. 1.3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ДО 263-3, ВАРИАНТ D²PAK (2 головы + вкладка) Станода Smpd СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 12 A 300 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3.6a 96pf @ 4V, 1 мгха
VS-3C04ETOTT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C04ETOTT-M3 -
RFQ
 ECAD 8773 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен - DOSTISH 112-VS-3C04ETOTT-M3 Ear99 8541.10.0080 1
1N457AUR Microchip Technology 1n457aur 7.5750
RFQ
 ECAD 3848 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Пефер DO-213AA Ставень, обратно DO-213AA СКАХАТА DOSTISH 150-1N457aur Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 100 май 1 мка При 70 -65 ° С ~ 150 ° С. 150 май -
V35PWL63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V35pwl63hm3/i 0,6003
RFQ
 ECAD 1072 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 ШOTKIй Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 112-V35PWL63HM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 35 a 700 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 35A 4700pf @ 4V, 1 мгновение
V20K170HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20K170HM3/I. 0,5082
RFQ
 ECAD 6924 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА DOSTISH 112-V20K170HM3/ITR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 170 1,02 В @ 20 a 100 мк @ 170 -40 ° C ~ 165 ° C. 3.2a 800pf @ 4V, 1 мгест
V30K150HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30K150HM3/H. 1.0000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,4 - @ 30 a 350 мк -при 150 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a 1660pf @ 4V, 1 мгновение
V30K60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30K60-M3/i 0,4785
RFQ
 ECAD 8198 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 8-Powertdfn ШOTKIй Flatpak (5x6) СКАХАТА DOSTISH 112-V30K60-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 650 мВ @ 30 a 1,2 мая @ 60 -40 ° С ~ 150 ° С. 5.2a 3300PF @ 4V, 1 мгновение
2A07G-A52 Diodes Incorporated 2A07G-A52 -
RFQ
 ECAD 8207 0,00000000 Дидж - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A07 Станода ДО-15 - DOSTISH 31-2A07G-A52 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A 40pf @ 4V, 1 мгест
PMEG4020EP-QX Nexperia USA Inc. PMEG4020EP-QX 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 2 a 100 мка 40, 150 ° С 2A 250pf @ 1V, 1 мгест
PMEG60T30ELR-QX Nexperia USA Inc. PMEG60T30ELR-QX 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 620 мВ @ 3 a 17 млн 1,8 мка пр. 60 175 ° С 3A 580pf @ 1V, 1 мгновение
PMEG40T20EP-QX Nexperia USA Inc. PMEG40T20EP-QX 0,5400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 515 мВ @ 2 a 11,5 млн 22 мка 40, 175 ° С 2A 355pf @ 1V, 1 мгновение
1N4594 Microchip Technology 1N4594 102.2400
RFQ
 ECAD 6031 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода DO-205AA (DO-8) СКАХАТА DOSTISH 150-1N4594 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
BAS516-QYL Nexperia USA Inc. BAS516-QYL 0,0318
RFQ
 ECAD 5499 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BAS516-QYLTR Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° С 250 май 1pf @ 0v, 1 мгест
SS24Q Yangjie Technology SS24Q 0,0730
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-SS24QTR Ear99 3000
BZX84C3V9WQ Yangjie Technology BZX84C3V9WQ 0,0280
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZX84C3V9WQTR Ear99 3000
BAV19WS Yangjie Technology BAV19WS 0,0150
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 Станода SOD-323 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BAV19WSTR Ear99 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 120 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
BZX84B10Q Yangjie Technology BZX84B10Q 0,0290
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BZX84B10QTR Ear99 3000
SD103AWS-7-F-50 Diodes Incorporated SD103AWS-7-F-50 0,0288
RFQ
 ECAD 9892 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен Пефер SC-76, SOD-323 SD103 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА 31-SD103AWS-7-F-50 Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 200 10 млн 5 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 350 май 35pf @ 0v, 1 мгест
ZHCS400TA-52 Diodes Incorporated ZHCS400TA-52 0,1304
RFQ
 ECAD 8821 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен Пефер SC-76, SOD-323 ZHCS400 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА 31-ZHCS400TA-52 Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 400 мая 40 мк. - 1A 20pf @ 25 v, 1 мгха
MBR4060PT Yangjie Technology MBR4060PT 0,8340
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-mbr4060pttr Ear99 1800
UG2GBF Yangjie Technology UG2GBF 0,1060
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-ug2gbftr Ear99 5000
MBR2045PT Yangjie Technology MBR2045PT 0,5730
RFQ
 ECAD 180 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-mbr2045pttr Ear99 1800
GS3GQ Yangjie Technology GS3GQ 0,0890
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-GS3GQTR Ear99 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть