SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
JANTXV1N6638 MACOM Technology Solutions Jantxv1n6638 12.1200
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 Macom Technology Solutions ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500 /578 и 609 МАССА Пркрэно Пефер SQ-Melf, d Станода D-5d СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 125 1,1 - @ 200 Ма 4,5 млн 100 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май -
EGF1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egf1dhe3_a/i -
RFQ
 ECAD 2699 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214BA EGF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 6500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 2 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
GP10-4007E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007E-M3/54 -
RFQ
 ECAD 2180 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N4934GPE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPE-E3/54 0,1754
RFQ
 ECAD 6623 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4934 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
JANTXV1N4150UR-1 Microchip Technology JantXV1N4150UR-1 4.1550
RFQ
 ECAD 9150 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/231 МАССА Актифен Пефер DO-213AA 1N4150 Станода DO-213AA СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 4 млн 100 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май -
RGP02-17E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-M3/54 -
RFQ
 ECAD 6255 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP02 Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1700 В. 1,8 Е @ 100 мая 300 млн 5 мка @ 1700 -65 ° C ~ 175 ° C. 500 май 5pf @ 4V, 1 мгест
APT30DQ100KG Microchip Technology APT30DQ100KG 1.0800
RFQ
 ECAD 420 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 APT30DQ100 Станода DO-220 [K] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 3 V @ 30 A 295 м 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 30A -
SFAS804GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS804GH -
RFQ
 ECAD 4722 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS804 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
MBRF2050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2050HC0G -
RFQ
 ECAD 2461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 MBRF2050 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 820 м. @ 20 a 200 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
MA22D2300L Panasonic Electronic Components MA22D2300L -
RFQ
 ECAD 3963 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123F MA22D23 ШOTKIй Mini2-f1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 25 В 530 мВ @ 1 a 40 мк. 150 ° C (MMAKS) 1A 45pf @ 10v, 1 мгха
PMEG6010EP/6X Nexperia USA Inc. PMEG6010EP/6x -
RFQ
 ECAD 2499 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-128 PMEG6010 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934071081115 Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 530 мВ @ 1 a 60 мк -пр. 60 150 ° C (MMAKS) 1A 120pf @ 1V, 1 мгест
S3GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3GB R5G -
RFQ
 ECAD 1971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3G Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,15 - @ 3 a 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
JANTXV1N6640 Microchip Technology Jantxv1n6640 10.7700
RFQ
 ECAD 8562 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/609 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) - Rohs DOSTISH Jantxv1n6640ms Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 200 MMA 4 млн 100 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май -
UGF10J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF10J C0G -
RFQ
 ECAD 9684 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 UGF10 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 10 A 25 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
ES1JL Taiwan Semiconductor Corporation Es1jl 0,3900
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1j Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
MBRD350RL onsemi MBRD350RL -
RFQ
 ECAD 9533 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRD350 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 600 мВ @ 3 a 200 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
VS-1EFH01W-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH01W-M3-18 -
RFQ
 ECAD 6154 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-219AB 1EFH01 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 930 мВ @ 1 a 16 млн 2 мк -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
FR207G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR207G B0G -
RFQ
 ECAD 6315 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR207 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
SS36L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L MQG -
RFQ
 ECAD 1296 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS36 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
GI858-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI858-E3/54 -
RFQ
 ECAD 3088 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй GI858 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
VS-MBRB1645PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1645PBF -
RFQ
 ECAD 6928 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRB16 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 630 мВ @ 16 a 200 мк @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
VS-45EPF06LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45EPF06LHM3 52000
RFQ
 ECAD 9747 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 45EPF06 Станода DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,31 В @ 45 А 180 млн 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 45A -
STPS1545R STMicroelectronics STPS1545R -
RFQ
 ECAD 1251 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STPS1545 ШOTKIй I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 840 мВ @ 30 a 200 мк @ 45 175 ° C (MMAKS) 15A -
UH2DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2DHE3_A/H. -
RFQ
 ECAD 2877 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB UH2 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 2 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 42pf @ 4V, 1 мгест
SS2FN6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2FN6-M3/H. 0,0712
RFQ
 ECAD 8675 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS2FN6 ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 600 мВ @ 2 a 900 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 100pf @ 4V, 1 мгха
CMSH2-20 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH2-20 TR13 PBFREE 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CMSH2 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 150pf @ 4V, 1 мгест
VS-ETU3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU3006S-M3 1.9100
RFQ
 ECAD 184 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay FERED PT® МАССА Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB ETU3006 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSETU3006SM3 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 70 A 45 м 30 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 30A -
SR503-AP Micro Commercial Co SR503-AP 0,1372
RFQ
 ECAD 8864 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR503 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА 353-SR503-AP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 1 мая @ 30 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A 200pf @ 4V, 1 мгха
R5110215XXWA Powerex Inc. R5110215XXWA -
RFQ
 ECAD 1374 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-205AA, DO-8, Stud Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,4 В @ 470 А 7 мкс 30 май @ 200 -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
ES07B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS08 0,4200
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB ES07 Станода DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 980 мВ @ 1 a 25 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть