SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
S10A-TP Micro Commercial Co S10A-TP 0,7700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AB, SMC S10A Станода DO-214AB (HSMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,2 - @ 10 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
SARS10 Sanken SARS10 1,3000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 САНКЕН - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода TO-220F-2L СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SARS10 DK Ear99 8541.10.0070 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,05 В @ 1 A 9 мкс 10 мк. -20 ° C ~ 125 ° C. 300 май -
SFT13G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT13G R0G -
RFQ
 ECAD 9938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT13 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
BAS382-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS382-TR3 0,0611
RFQ
 ECAD 6948 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA BAS382 ШOTKIй МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 15 мая 200 na @ 50 v 125 ° C (MMAKS) 30 май 1,6pf @ 1V, 1 мгха
VS-30WQ03FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ03FNTRPBF -
RFQ
 ECAD 8903 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 30WQ03 ШOTKIй D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 мВ @ 3 a 2 мая @ 30 В -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a 290pf @ 5V, 1 мгха
STTH802B-TR STMicroelectronics Stth802b-tr 1.3300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STTH802 Станода Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 8 a 30 млн 6 мка pri 200 175 ° C (MMAKS) 8. -
RS1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhrvg -
RFQ
 ECAD 9234 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1G Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
1N4305 Fairchild Semiconductor 1N4305 10.8400
RFQ
 ECAD 112 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 30 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 75 850 м. 4 млн 100 na @ 50 v 175 ° C (MMAKS) 300 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NTE5903 NTE Electronics, Inc NTE5903 12.1800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА Rohs 2368-NTE5903 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 500 1,23 В @ 50 a 12 май @ 500 -65 ° C ~ 175 ° C. 16A -
WB35SD160ALZ WeEn Semiconductors WB35SD160ALZ 0,6908
RFQ
 ECAD 7815 0,00000000 Weenpoluprovodonnyki - МАССА Актифен Пефер Умират WB35 Станода Пластина СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,2 - @ 35 A 50 мк @ 1600 150 ° С 35A -
FS22N Good-Ark Semiconductor FS22N 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F ШOTKIй SOD-123fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 430 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
PMEG3010BEP-QX Nexperia USA Inc. PMEG3010BEP-QX 0,1120
RFQ
 ECAD 8126 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 мВ @ 1 a 50 мк. 150 ° С 1A 170pf @ 1V, 1 мгест
1N5186/TR Microchip Technology 1n5186/tr 8.2800
RFQ
 ECAD 8186 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-1N5186/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,5 - @ 9 a 150 млн 2 мк -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SS320C MDD SS320C 0,4155
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 MDD SMC Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер ШOTKIй СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 300 мк. 3A 350pf @ 4V, 1 мгест
RD0506LS-SB5 Sanyo RD0506LS-SB5 0,9800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 САНО - МАССА Актифен Чereз dыru 220-2 RD050 Станода TO -220FI (LS) -SB СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1,6 В @ 5 a 50 млн 50 мк. 150 ° C (MMAKS) 5A -
JANTXV1N5419/TR Microchip Technology Jantxv1n5419/tr 11.3850
RFQ
 ECAD 5952 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/411 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Б., Ос Станода Б., Ос СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-Jantxv1n5419/tr Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,5 - @ 9 a 150 млн 1 мка При 500 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
B340-13 Diodes Incorporated B340-13 -
RFQ
 ECAD 1020 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC B340 ШOTKIй SMC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
JANTXV1N4248 Microchip Technology Jantxv1n4248 -
RFQ
 ECAD 2319 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/286 МАССА Пркрэно Чereз dыru А, осево Станода А, осево СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.3 V @ 3 a 5 мкс 1 мка При 800 В -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
FFSH4065A onsemi FFSH4065A 17.1500
RFQ
 ECAD 650 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-247-2 FFSH4065 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 0 м 200 мка @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 48. 1989pf @ 1v, 100 kgц
CR8U-02FP Central Semiconductor Corp CR8U-02FP -
RFQ
 ECAD 5689 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо Чereз dыru 220-2 Станода DO-220FP-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 8 A 30 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
HER303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER303BULK 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 EIC Semiconductor Inc. - Симка Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2439-HER303BULK 8541.10.0000 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1.1 V @ 3 a 50 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
LL4001G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G L0 -
RFQ
 ECAD 7248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF LL4001 Станода Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LL4001GL0 Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1N4003-N-2-4-AP Micro Commercial Co 1N4003-N-2-4-AP -
RFQ
 ECAD 2692 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4003 Станода DO-41 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1N4003-N-2-4-APMS Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 - 1A -
STTH2R02UY STMicroelectronics Stth2r02uy 0,1528
RFQ
 ECAD 7409 0,00000000 Stmicroelectronics Q Automotive Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB STTH2 Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 2 A 30 млн 3 мк 175 ° C (MMAKS) 2A -
S2M SMC Diode Solutions S2M 0,3500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S2M Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,15 h @ 2 a 2,5 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
SR102HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR102HR1G -
RFQ
 ECAD 2735 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR102 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
R30760 Microchip Technology R30760 49 4700
RFQ
 ECAD 2756 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА R307 МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud R30760 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 200 a 25 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 85а -
HERAF1004G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1004G C0G -
RFQ
 ECAD 6653 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 HERAF1004 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 10 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
S5A-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5A-M3/9AT 0,1549
RFQ
 ECAD 2906 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S5A Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,15 Е @ 5 a 2,5 мкс 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 40pf @ 4V, 1 мгест
C4D02120E Wolfspeed, Inc. C4D02120E 3.0200
RFQ
 ECAD 3871 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Z-rec® Трубка Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 C4D02120 Sic (kremniewый karbid) 252-2 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) Ear99 8541.10.0080 75 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,8 В @ 2 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 167pf @ 0v, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть