SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BAT54/DG,215 NXP USA Inc. BAT54/DG, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BAT54 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000
V3FL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3FL45-M3/H. 0,3700
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB V3FL45 ШOTKIй DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 580mw @ 3 a 750 мка 45 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A 370pf @ 4V, 1 мгновение
R6101025XXYZ Powerex Inc. R6101025XXYZ -
RFQ
 ECAD 3353 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 7 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,5 В @ 800 a 11 мкс 50 май @ 1000 -65 ° C ~ 190 ° C. 250a -
1N914B_T50R onsemi 1n914b_t50r -
RFQ
 ECAD 6498 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914b Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 30 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
VI10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150S-M3/4W 0,5516
RFQ
 ECAD 9303 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA VI10150 ШOTKIй ДО-262AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,2 - @ 10 a 150 мкр 150 -40 ° С ~ 150 ° С. 10 часов -
B130LB-13-F Diodes Incorporated B130LB-13-F 0,4600
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB B130 ШOTKIй МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 445 м. @ 2 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A 90pf @ 4V, 1 мгха
GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1M-E3/67A 0,6000
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214BA GF1 Станода DO-214BA (GF1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,2 - @ 1 a 2 мкс 5 мк -при 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
UG3004-T Diodes Incorporated UG3004-T -
RFQ
 ECAD 3401 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
70HF60 Solid State Inc. 70HF60 3.6600
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-70HF60 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 - @ 70 a 200 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 70A -
CEFN103-HF Comchip Technology CEFN103-HF -
RFQ
 ECAD 2284 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) Станода 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CEFN103-HFTR Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
GI504-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI504-E3/54 0,4700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй GI504 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,1 В @ 9,4 a 2 мкс 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгха
PMEG10030ELPX Nexperia USA Inc. PMEG10030ELPX 0,5800
RFQ
 ECAD 384 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 PMEG10030 ШOTKIй SOD-128/CFP5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 770 мВ @ 3 a 8 млн 450 NA @ 100 V 175 ° C (MMAKS) 3A 200pf @ 1V, 1 мгха
JAN1N3913R Microchip Technology Январь 3913R -
RFQ
 ECAD 7090 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/308 МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud Станода До 5 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 В @ 50 a 200 млн -65 ° С ~ 150 ° С. 30A -
MUR460S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S R7G -
RFQ
 ECAD 2889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR460 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
SR003HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR003HA0G -
RFQ
 ECAD 8848 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR003 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 500 май 110pf @ 4V, 1 мгновение
CSD10060A Wolfspeed, Inc. CSD10060A -
RFQ
 ECAD 9853 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Верниони -весановейн> 500 май (io) 600 1,8 В @ 10 a 0 м 200 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 16.5a 550pf @ 0v, 1 мгест
1N5280DO35 Microsemi Corporation 1N5280DO35 -
RFQ
 ECAD 2899 0,00000000 Microsemi Corporation - Симка Пркрэно Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5280 DO-35 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 100 na @ 144
RL106-BP Micro Commercial Co RL106-BP 0,0397
RFQ
 ECAD 9499 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Оос RL106 Станода A-405 СКАХАТА 353-RL106-BP Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
BAS21AVD/DG/B2135 NXP USA Inc. BAS21AVD/DG/B2135 1.0000
RFQ
 ECAD 6678 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BAS21 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 10000
GR3BBF Yangjie Technology GR3BBF 0,0610
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-gr3bbftr Ear99 5000
ER304-AP Micro Commercial Co ER304-AP -
RFQ
 ECAD 7172 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ER304 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1200 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 35pf @ 4V, 1 мгест
RK 49 Sanken RK 49 -
RFQ
 ECAD 7735 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо Чereз dыru Оос ШOTKIй - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 810 мв 3,5 а 5 май @ 90 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a -
ACGRAT105-HF Comchip Technology ACGRAT105-HF 0,1006
RFQ
 ECAD 7504 0,00000000 Комхип Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 2010 (5025 МЕТРИКА) Acgrat105 Станода 2010 ГОД СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1 V @ 1 A 5 мк -при 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
CDSUR4148-HF Comchip Technology CDSUR4148-HF 0,0575
RFQ
 ECAD 8348 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA CDSUR4148 Станода 0603/SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 50 май 4 млн 2,5 мка при 75 125 ° C (MMAKS) 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
SS13H Taiwan Semiconductor Corporation SS13H 0,0734
RFQ
 ECAD 8936 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS13 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 200 мка прри 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
NTE6054 NTE Electronics, Inc NTE6054 13.2900
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6054 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,25 Е @ 20 мая 2 мая @ 200 -65 ° C ~ 190 ° C. 70A -
RF101LAM4STFTR Rohm Semiconductor RF101Lam4stftr 0,4100
RFQ
 ECAD 7883 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RF101 Станода PMDTM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 25 млн 10 мка 400 150 ° C (MMAKS) 1A -
S10BL-TP Micro Commercial Co S10BL-TP 0,2044
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S10B Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
VS-ETL1506STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL1506STRRHM3 1.1423
RFQ
 ECAD 3912 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Fred PT® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB ETL1506 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,07 В @ 15 A 210 м 15 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 15A -
SRAS820 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS820 Mng -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS820 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть