SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
GP2D020A120B SemiQ GP2D020A120B -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 Полук Amp+™ Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-247-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-247-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1560-1052-5 Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,8 @ 20 a 0 м 40 мк -прри 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 1270pf @ 1V, 1 мгест
CD214B-B350LF Bourns Inc. CD214B-B350LF -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 Bourns Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AA, SMB CD214B ШOTKIй SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 250pf @ 4V, 1 мгест
SS26S-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26S-M3/61T 0,3800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SS26 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 2A -
1N3909AR Microchip Technology 1n3909ar 48.5400
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-203ab, do-5, Stud 1N3909 Ставень, обратно Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,4 В @ 50 a 150 млн 15 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 50 часов -
GP10QHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10QHM3/54 -
RFQ
 ECAD 5762 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мка @ 1200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
VS-16FL60S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FL60S05 5.0570
RFQ
 ECAD 5802 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 16fl60 Станода DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,4 w @ 16 a 500 млн 50 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
UG4A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4A-M3/73 -
RFQ
 ECAD 1090 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UG4 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 4 a 30 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 20pf @ 4V, 1 мгха
VS-20ETF02STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20etf02strr-M3 1.5728
RFQ
 ECAD 3616 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20etf02 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
BAS516,135 Nexperia USA Inc. BAS516,135 0,2100
RFQ
 ECAD 141 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101, BAS16 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 BAS516 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° C (MMAKS) 250 май 1pf @ 0v, 1 мгест
NSD914XV2T1G onsemi NSD914XV2T1G 0,3600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 NSD914 Станода SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BA158-TP Micro Commercial Co BA158-TP -
RFQ
 ECAD 6566 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA159 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк. -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
1N5402 Diotec Semiconductor 1n5402 0,3800
RFQ
 ECAD 4543 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Neprigodnnый Neprigodnnый Продан Ear99 8541.10.0000 1700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
A390PE Powerex Inc. A390PE -
RFQ
 ECAD 3846 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Зaжimatth DO-200AA, A-Puk A390 Станода DO-200AA, R62 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1500 1,4 - @ 400 a 25 май @ 1500 400A -
TPMR6J Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6J 0,2799
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPMR6 Станода TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TPMR6JTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,8 В @ 6 a 40 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
1N4937GPHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPHM3/54 -
RFQ
 ECAD 7060 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4937 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
1N4001L-T Diodes Incorporated 1N4001L-T -
RFQ
 ECAD 2547 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4001 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH IN4001L-T Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1 V @ 1 A 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
HS2GA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2GA R3G 0,2251
RFQ
 ECAD 8720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA HS2G Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
BAS70T-7-G Diodes Incorporated BAS70T-7-G -
RFQ
 ECAD 6108 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-523 BAS70 ШOTKIй SOT-523 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 31-BAS70T-7-GTR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 5 млн 100 na @ 240 v -55 ° C ~ 125 ° C. 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
DSR6U600D1 Diodes Incorporated DSR6U600D1 -
RFQ
 ECAD 9669 0,00000000 Дидж DioDestar ™ Трубка Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DSR6U600 Станода 252-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH DSR6U600D1DI Ear99 8541.10.0080 80 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2,6 - @ 6 a 45 м 50 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 6A 30pf @ 4V, 1 мгест
MBRS1650HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1650HMNG -
RFQ
 ECAD 8501 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1650 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
AU01AWS Sanken AU01AWS -
RFQ
 ECAD 8159 0,00000000 САНКЕН - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Оос AU01 Станода СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) AU01AWS DK Ear99 8541.10.0070 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 В @ 500 мая 400 млн 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 500 май -
BAV103-G-ON onsemi Bav103-g-on 0,0500
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 2500
R2080 Microchip Technology R2080 33 4500
RFQ
 ECAD 3472 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА R20 МАССА Актифен Стало DO-203AA, DO-4, Став R2080 Станода DO-4 (DO-203AA) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,3 В @ 30 a 10 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 16A -
SS1P3-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P3-E3/84A -
RFQ
 ECAD 1750 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-220AA SS1P3 ШOTKIй DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 1 a 150 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SR160 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SR160 0,2200
RFQ
 ECAD 4650 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Веса Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 50pf @ 4V, 1 мгест
1N4254 Microchip Technology 1N4254 16.2750
RFQ
 ECAD 4214 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/279 МАССА Актифен Чereз dыru S, OSEVOй 1N4254 Станода S, OSEVOй СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1500 3,5 Е @ 100 мая 1 мка @ 1500 -65 ° C ~ 175 ° C. 250 май -
A190RPE Powerex Inc. A190RPE -
RFQ
 ECAD 8559 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud A190 Ставень, обратно - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1500 1,3 В @ 250 a -40 ° C ~ 200 ° C. 250a -
SS36 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SS36 R6 -
RFQ
 ECAD 1494 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS36R6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SBRT15U100SP5-13 Diodes Incorporated SBRT15U100SP5-13 0,8900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SBRT15 Yperrarher Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 700 м. @ 15 A 200 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 15A -
BAT54-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54-HE3-08 0,3000
RFQ
 ECAD 67 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 125 ° C (MMAKS) 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть