SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
PMEG3010BEAZ Nexperia USA Inc. PMEG3010BEAZ 0,4400
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 PMEG3010 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 560 мВ @ 1 a 150 мкр 30 150 ° C (MMAKS) 1A 55pf @ 1V, 1 мгест
CURA101-HF Comchip Technology Cura101-HF 0,0969
RFQ
 ECAD 3610 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Cura101 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-CURA101-HFTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
VS-15MQ040NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15MQ040NPBF -
RFQ
 ECAD 9420 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Пефер DO-214AC, SMA 15mq040 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 2 a 500 мка 40, -40 ° С ~ 150 ° С. 1,5а 134pf @ 10V, 1 мг
246NQ200-1 SMC Diode Solutions 246NQ200-1 38.0000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 SMC Diode Solutions - МАССА Актифен ШASCI Половина 246nq ШOTKIй Prm1-1 (napolovinumymodooly pak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 27 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,12 В @ 240 a 6 май @ 200 -55 ° C ~ 175 ° C. - 3600pf @ 5V, 1 мгест
HS2KBF Yangjie Technology HS2KBF 0,0600
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AA, Plat Plat Heds SMB Станода SMBF - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-HS2KBFTR Ear99 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
STTH20P035FP STMicroelectronics STTH20P035FP -
RFQ
 ECAD 4988 0,00000000 Stmicroelectronics * Трубка Актифен STTH20 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000
S2MB-HF Comchip Technology S2MB-HF 0,0863
RFQ
 ECAD 6076 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S2MB Станода SMB/DO-214AA - Rohs3 1 (neograniчennnый) 641-S2MB-HFTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 2 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
S1AB-13-F Diodes Incorporated S1AB-13-F 0,3300
RFQ
 ECAD 598 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB S1A Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 3 мкс 5 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
RS1D-13-F Diodes Incorporated RS1D-13-F 0,4700
RFQ
 ECAD 144 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Rs1d Станода СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
VS-12TQ040STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040strlpbf -
RFQ
 ECAD 9066 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12TQ040 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS12TQ040STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 560 мВ @ 15 A 1,75 мая @ 40 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 900pf @ 5V, 1 мгест
W0642WC200 IXYS W0642WC200 -
RFQ
 ECAD 9798 0,00000000 Ixys - Коробка Пркрэно Зaжimatth Do-200ab, a-puk W0642 Станода W1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 238-W0642WC200 Ear99 8541.10.0080 24 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 2.37 V @ 1900 A 15 мкс 15 май @ 2000 -40 ° C ~ 180 ° C. 642а -
S25MR GeneSiC Semiconductor S25MR 5.2485
RFQ
 ECAD 4469 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став S25M Ставень, обратно - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) S25MRGN Ear99 8541.10.0080 250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 25 A 10 мк -прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
1N916_T50R onsemi 1N916_T50R -
RFQ
 ECAD 6798 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n916 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 30 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
1SS400CST2R Rohm Semiconductor 1SS400CST2R 0,0797
RFQ
 ECAD 5951 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SOD-923 1SS400 Станода VMN2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0,5 -
1N4944GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N494444GP-M3/54 -
RFQ
 ECAD 1752 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4944 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 1 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MUR460 Taiwan Semiconductor Corporation MUR460 0,2730
RFQ
 ECAD 6654 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй MUR460 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
S1M-26R2G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-26R2G -
RFQ
 ECAD 6249 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1M-26 Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SDM30004 Microsemi Corporation SDM30004 -
RFQ
 ECAD 7378 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо ШASCI Модул Станода Модул СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 @ 300 a 75 мка 400 300A -
S1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1bl rhg -
RFQ
 ECAD 8515 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N914ATR onsemi 1n914atr 0,3600
RFQ
 ECAD 123 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n914a Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 20 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 4pf @ 0V, 1 мгест
MUR305S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S V7G -
RFQ
 ECAD 5863 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR305 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 25 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
SDM2A20CSP-7 Diodes Incorporated SDM2A20CSP-7 0,4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-xdfn SDM2A20 ШOTKIй X3-WLB1406-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 530 мВ @ 2 a 80 мка @ 20 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 70pf @ 5V, 1 мгха
GP15J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15J-E3/54 0,6300
RFQ
 ECAD 8935 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй GP15 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,1 В @ 1,5 А. 3,5 мкс 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
SD101A-A Diodes Incorporated SD101A-A -
RFQ
 ECAD 1645 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй SD101A ШOTKIй DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 60 1 V @ 15 мая 1 млн 200 na @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C. 15 май 2pf @ 0v, 1 мгест
ER3DA_R1_00001 Panjit International Inc. ER3DA_R1_00001 0,4600
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Er3d Станода SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 35 м 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
BAS116H,115 Nexperia USA Inc. BAS116H, 115 0,2900
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F BAS116 Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 75 1,25 В @ 150 3 мкс 5 Na @ 75 V 150 ° C (MMAKS) 215 май 2pf @ 0v, 1 мгест
NTS10100MFST3G onsemi NTS10100MFST3G -
RFQ
 ECAD 6805 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTS10100 ШOTKIй 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 690 мВ @ 10 a 70 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
MUR440S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S M6G -
RFQ
 ECAD 1073 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR440 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
MA3J7410GL Panasonic Electronic Components MA3J7410GL 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-85 MA3J7410 ШOTKIй Smini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 30 май 1 млн 300 NA @ 30 V 125 ° C (MMAKS) 30 май -
1N3295AR Microchip Technology 1N3295AR 102.2400
RFQ
 ECAD 7877 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud 1N3295 Ставень, обратно DO-205AA (DO-8) СКАХАТА Rohs DOSTISH 1N3295Arms Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 200 a 50 мк. -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть