SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
CMMR1-06 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMMR1-06 TR PBFREE 0,6000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F CMMR1 Станода SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.1 V @ 1 a 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 6pf @ 4V, 1 мгха
JANTX1N6628US Microchip Technology Jantx1n6628us 23.8800
RFQ
 ECAD 1135 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/590 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, e 1N6628 Станода D-5B СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 660 В. 1,35 - @ 2 a 30 млн 2 мка @ 660 -65 ° С ~ 150 ° С. 1,75а 40pf @ 10 v, 1 мгновение
1N5402-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5402-E3/51 -
RFQ
 ECAD 8495 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5402 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,2 V @ 3 a 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1N5408GP-TP Micro Commercial Co 1N5408GP-TP 0,5300
RFQ
 ECAD 1715 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5408 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 3 a 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
RLS4448TE-11 Rohm Semiconductor RLS4448TE-11 -
RFQ
 ECAD 3423 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 RLS4448 Станода LLDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1 V @ 100 май 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 200 ° C. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
V35PWM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V35pwm12hm3/i 1.3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 V35pwm12 ШOTKIй Слимдпак СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 120 1,05 В @ 35 а 1,2 мая @ 120 -40 ° C ~ 175 ° C. 35A 2080pf @ 4V, 1 мгновение
CS1G-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1G-E3/I. 0,2600
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AC, SMA CS1 Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 6pf @ 4V, 1 мгха
VS-80APS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS16-M3 7.4621
RFQ
 ECAD 4421 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 80AS16 Станода ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS80APS16M3 Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.17 V @ 80 A 100 мк @ 1600 -40 ° С ~ 150 ° С. 80A -
A190M Powerex Inc. A190M -
RFQ
 ECAD 8541 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud A190 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 В @ 250 a -40 ° C ~ 200 ° C. 250a -
VS-20ETF02STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20etf02strr-M3 1.5728
RFQ
 ECAD 3616 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 20etf02 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 20 a 160 м 100 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 20 часов -
NTE177 NTE Electronics, Inc NTE177 0,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE177 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 175 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A 18500
RFQ
 ECAD 143 0,00000000 Полук Amp+™ Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 GP3D006 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,55 В @ 6 a 15 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 20 часов 229pf @ 1V, 1 мгха
VS-40HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL60S02 11.9500
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 40hfl60 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,95 - @ 40 a 200 млн 100 мк. -40 ° C ~ 125 ° C. 40a -
1N4004G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004G A0G -
RFQ
 ECAD 5632 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
NSF8GTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8GThe3/45 -
RFQ
 ECAD 3847 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка NSF8 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 8 A 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
1N5822RL onsemi 1n5822rl -
RFQ
 ECAD 3150 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй 1n5822 ШOTKIй Оос СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 2 мая @ 40 -65 ° C ~ 125 ° C. 3A -
JANS1N6874UTK2CS Microchip Technology Jans1n6874utk2cs 608.4000
RFQ
 ECAD 6363 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/469 МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 2 Станода ThinKey ™ 2 - DOSTISH 150-JANS1N6874UTK2CS Ear99 8541.10.0070 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 V @ 400 мая -65 ° C ~ 175 ° C. 400 май -
HER205G-AP Micro Commercial Co HER205G-AP 0,0625
RFQ
 ECAD 8515 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER205 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
NTE6004 NTE Electronics, Inc NTE6004 18.6300
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен Стало DO-203AA, DO-5, Stud Станода До 5 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE6004 Ear99 8541.30.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1,3 - @ 40 a 9 май @ 1600 -65 ° C ~ 190 ° C. 40a -
SK110-LP Micro Commercial Co SK110-LP -
RFQ
 ECAD 8275 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK110 ШOTKIй DO-214AA, HSMB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SK110-LPMSTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 1 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 70pf @ 4V, 1 мгха
VS-50WQ04FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ04FNHM3 1.8600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 50WQ04 ШOTKIй D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 75 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 510 мВ @ 5 a 3 мая @ 40 -40 ° С ~ 150 ° С. 5,5а 405pf @ 5V, 1 мгновение
MBRD320T4H onsemi MBRD320T4H -
RFQ
 ECAD 9442 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ МАССА Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MBRD320 ШOTKIй Dpak - Rohs3 Продан DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 3 a 200 мк @ 20 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
HS1FL MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL Mtg -
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1F Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MURA140T3G onsemi MURA140T3G 0,4200
RFQ
 ECAD 5405 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA MURA140 Станода СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 1 a 65 м 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 2A -
MR750RLG onsemi MR750RLG -
RFQ
 ECAD 3345 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Кнопро, осея MR75 Станода Кнопро -микрода СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 900 мВ @ 6 a 25 мка прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 6A -
S1BLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation S1blhrug -
RFQ
 ECAD 6713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1b Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
DSB1A80 Microchip Technology DSB1A80 -
RFQ
 ECAD 2364 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй DSB1A80 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 690 мВ @ 1 a 100 мк -40, - 1A -
1N4154 Fairchild Semiconductor 1N4154 1.2700
RFQ
 ECAD 218 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 237 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 35 1 V @ 30 май 4 млн 100 Na @ 25 V 175 ° C (MMAKS) 100 май 4pf @ 0V, 1 мгест
VS-30WQ10FNTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FNTRLPBF -
RFQ
 ECAD 1093 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 30WQ10 ШOTKIй D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 810 мВ @ 3 a 1 мая @ 100 -40 ° С ~ 150 ° С. 3.5a 92pf @ 5V, 1 мгест
SDURF560A SMC Diode Solutions Sdurf560a 0,1832
RFQ
 ECAD 8752 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка Sdurf560 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SDURF560ASMC Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 5 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть