SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
RB751V40-QX Nexperia USA Inc. RB751V40-QX 0,0402
RFQ
 ECAD 6118 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 RB751 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-RB751V40-QXTR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V 150 ° С 120 май 2pf @ 1V, 1 мгест
1N4936L-T Diodes Incorporated 1N4936L-T -
RFQ
 ECAD 7254 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4936 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SK24Q-LTP Micro Commercial Co SK24Q-LTP 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 2 a 100 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 115pf @ 4V, 1 мгха
BYV98-150-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-150-TAP 0,5742
RFQ
 ECAD 4335 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru SOD-64, OSEVOй Byv98 Лавина SOD-64 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1.1 V @ 5 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а -
HS1KL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL RQG -
RFQ
 ECAD 1794 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB HS1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
GP10N-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10N-M3/54 -
RFQ
 ECAD 2628 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй GP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1100 1,2 - @ 1 a 3 мкс 5 мка @ 1100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
CMUSH2-4 TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmush2-4 tr pbfree 0,4200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp Cmush2-4 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 Cmush2 ШOTKIй SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 750 м. 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
UGE0421AY4 IXYS Uge0421ay4 75 8500
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен ШASCI Ты Uge0421 Станода Ты - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 3200 В. 2,72 В @ 55 A 2 мая @ 3200 22.9a -
30HFU-600 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30hfu-600 -
RFQ
 ECAD 4574 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 30hfu Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,45 - @ 30 a 80 млн 35 мк -40 ° C ~ 125 ° C. 30A -
UF5407GP-BP Micro Commercial Co UF5407GP-BP 0,1627
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UF5407 Станода Do-201ad СКАХАТА 353-UF5407GP-BP Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SB360S-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360S-E3/54 -
RFQ
 ECAD 9174 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SB360 ШOTKIй DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 3A -
CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS10F60, H3F 0,4300
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Cuhs10 ШOTKIй US2H СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 40 мк -пр. 60 В 150 ° C (MMAKS) 1A 130pf @ 0V, 1 мгест
JAN1N6621 Microchip Technology Январь1N6621 11.2950
RFQ
 ECAD 1005 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/585 МАССА Актифен Чereз dыru А, осево 1n6621 Станода А, осево СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 440 1,6 - @ 2 a 30 млн 500 NA @ 440 V -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 10V, 1 мгха
FR156-AP Micro Commercial Co FR156-AP -
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR156 Станода ДО-15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 1,5 А. 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
S4G Taiwan Semiconductor Corporation S4G 0,1756
RFQ
 ECAD 2424 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC S4G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,5 мкс 100 мк 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 60pf @ 4V, 1 мгест
STPS8L30B-TR STMicroelectronics STPS8L30B-TR 1.4800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STPS8 ШOTKIй Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 490mw @ 8 a 1 мая @ 30 150 ° C (MMAKS) 8. -
GI856-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI856-E3/73 -
RFQ
 ECAD 6016 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй GI856 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 В @ 3 a 200 млн 10 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A 28pf @ 4V, 1 мгновение
CLH01(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH01 (TE16L, Q) -
RFQ
 ECAD 6230 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLH01 Станода L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980mw @ 3 a 35 м 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 3A -
MF500U12F2 Yangjie Technology MF500U12F2 108.9563
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Yangjie Technology - МАССА Актифен ШASCI F2 Модуль Станода F2 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-MF500U12F2 Ear99 8 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1200 2 V @ 500 A 200 млн 1 мая @ 1200 -40 ° С ~ 150 ° С. 500A -
AS1A Diodes Incorporated As1a -
RFQ
 ECAD 8170 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Прохл Пефер DO-214AC, SMA Станода СМА - 31-AS1A 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,3 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
JANTXV1N3293 Microchip Technology Jantxv1n3293 -
RFQ
 ECAD 4730 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/246 МАССА Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Станода DO-205AA (DO-8) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,55 - @ 310 a 10 май @ 600 -65 ° C ~ 200 ° C. 100 а -
RS3K-13 Diodes Incorporated RS3K-13 -
RFQ
 ECAD 7307 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3K Станода SMC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -400 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
CR5-080 TR Central Semiconductor Corp CR5-080 Tr -
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 Central Semiconductor Corp CR5-010 Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА 1 (neograniчennnый) CR5-080TR Ear99 8541.10.0080 1200 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,2 - @ 5 a 5 мк -400 -65 ° С ~ 150 ° С. 5A 25pf @ 4V, 1 мгха
BYM10-800HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-800HE3/96 -
RFQ
 ECAD 4271 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF (Стекло) Bym10 Станода DO-213AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BYM10-800HE3_A/H. Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,2 - @ 1 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
G3S12015P Global Power Technology-GPT G3S12015P 20.6800
RFQ
 ECAD 6095 0,00000000 Глобан - Веса Актифен Чereз dыru ДО-247-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 15 A 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 42а 1379pf @ 0V, 1 мгха
ES1FL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL RHG -
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1f Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 1V, 1 мгест
UPS315E3/TR13 Microchip Technology UPS315E3/TR13 0,8700
RFQ
 ECAD 3238 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-216AA UPS315 ШOTKIй Powermite СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 15 320 м. @ 3 a 2 мая @ 15 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SD040SB100A.T1 SMC Diode Solutions SD040SB100A.T1 0,3121
RFQ
 ECAD 6685 0,00000000 SMC Diode Solutions - Поднос Актифен Пефер Умират SD040 ШOTKIй Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0040 400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 840mw @ 1 a 30 мк -4 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 35pf @ 5V, 1 мгест
SD103CW-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CW-G3-08 0,0612
RFQ
 ECAD 5144 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SD103 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 15 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 600 мВ @ 200 10 млн 5 мка прри 10в -55 ° C ~ 150 ° С. 350 май 50pf @ 0v, 1 мгест
G5S6504Z Global Power Technology-GPT G5S6504Z 3.1900
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Глобан - Веса Актифен Пефер 8-Powertdfn Sic (kremniewый karbid) 8-DFN (4,9x5,75) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue Ear99 8541.10.0080 30 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,6 - @ 4 a 0 м 50 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 15.45a 181pf @ 0v, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть