SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
BAS316/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. BAS316/DG/B3,115 -
RFQ
 ECAD 6655 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101, BAS16 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-76, SOD-323 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 93406559115 Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,25 В @ 150 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° C (MMAKS) 250 май 1,5pf @ 0V, 1 мгха
RGP10JHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JHE3/53 -
RFQ
 ECAD 1656 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
RFN5BM6SFHTL Rohm Semiconductor Rfn5bm6sfhtl 1.0300
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Rfn5b Станода 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,55 В @ 5 a 50 млн 10 мк. 150 ° C (MMAKS) 5A -
US1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1J-M3/61T 0,4100
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA US1J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
S34F Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd S34F 0,3200
RFQ
 ECAD 2355 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds ШOTKIй SMAF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
SK320AQ-LTP Micro Commercial Co SK320AQ-LTP 0,4500
RFQ
 ECAD 8116 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
30BQ100 SMC Diode Solutions 30BQ100 0,5200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 SMC Diode Solutions - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC 30BQ ШOTKIй SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 790mw @ 3 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 175 ° C. - 115pf @ 5V, 1 мгха
1N3737 Microchip Technology 1n3737 158.8200
RFQ
 ECAD 1844 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Стало Do-205ab, do-9, Stud Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА DOSTISH 150-1N3737 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1,3 В @ 300 А 75 мк -прри 300 -65 ° C ~ 190 ° C. 275A -
CDBQR0140L-HF Comchip Technology CDBQR0140L-HF 0,0559
RFQ
 ECAD 2446 0,00000000 Комшип - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер 0402 (1005 МЕТРИКА) CDBQR0140 ШOTKIй 0402/SOD-923F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 550 м. 30 мк. 125 ° C (MMAKS) 100 май 6pf @ 10V, 1 мгест
CMSH3-100MFL TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH3-100MFL TR13 PBFREE 0,4700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds CMSH3 ШOTKIй Smaflat СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 м. @ 3 a 50 мк -4 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 3A 110pf @ 4V, 1 мгновение
1N4590R Solid State Inc. 1n4590r 15,5000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен Стало DO-205AA, DO-8, Stud Ставень, обратно Дол СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-1N4590R Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 200 a 50 мка 400 -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
R7221605ASOO Powerex Inc. R7221605ASOO -
RFQ
 ECAD 2856 0,00000000 Powerex Inc. - МАССА Актифен ШASCI Do-200ab, b-puk R7221605 Станода Do-200ab, b-puk СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 2,25 Е @ 1500 А 3 мкс 50 май @ 1600 500A -
1SS400SMT2R Rohm Semiconductor 1SS400SMT2R 0,2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 1SS400 Станода EMD2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 80 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 100 na @ 80 150 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0,5 -
NSVBAS16TT1G onsemi NSVBAS16TT1G 0,1347
RFQ
 ECAD 5868 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 NSVBAS16 Станода SC-75, SOT-416 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 В @ 150 6 м 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май -
1N4150_S62Z onsemi 1N4150_S62Z -
RFQ
 ECAD 5051 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4150 Станода DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 50 1 V @ 200 MMA 6 м 100 na @ 50 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 2,5pf @ 0v, 1 мгха
VS-1N1190 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1190 -
RFQ
 ECAD 4787 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 1n1190 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,7 В @ 110 a 10 май @ 600 -65 ° C ~ 190 ° C. 35A -
FS1M-LTP Micro Commercial Co Fs1m-ltp 0,5000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 МИКРОКОМЕРСКИЙСКИЙС - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Fs1m Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
VS-87HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFL60S02 10.4273
RFQ
 ECAD 8139 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало Do-203ab, do-5, Stud 87HFL60 Станода Do-203ab (do-5) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VS87HFL60S02 Ear99 8541.10.0080 100 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 - @ 267 A -65 ° C ~ 180 ° C. 85а -
AU1PKHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AU1PKHM3/85A 0,1914
RFQ
 ECAD 9523 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-220AA AU1 Лавина DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,85 - @ 1 a 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 7,5pf @ 4V, 1 мгновение
SS3P4L-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P4L-E3/86A -
RFQ
 ECAD 8532 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 277, 3-Powerdfn SS3P4 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 470 мВ @ 3 a 250 мка 40, -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SE30AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFJ-M3/6B 0,4400
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SE30 Станода DO-221AC (Slimsma) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1.4a 19pf @ 4V, 1 мгха
M3-CT Diotec Semiconductor M3-CT 0,1462
RFQ
 ECAD 5587 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-M3-CT 8541.10.0000 30 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
FSV330AF onsemi FSV330AF -
RFQ
 ECAD 4233 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-214AD, SMAF FSV330 ШOTKIй DO-214AD (SMAF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 м. @ 3 a 12,5 млн 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 485pf @ 0v, 1 мгха
SICR10650 SMC Diode Solutions SICR10650 3.3400
RFQ
 ECAD 168 0,00000000 SMC Diode Solutions - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1655-1953 Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 10 a 0 м 100 мк @ 650 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 695pf @ 0v, 1 мгха
1N6079 Semtech Corporation 1n6079 -
RFQ
 ECAD 3513 0,00000000 Semtech Corporation - МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода Оос СКАХАТА Neprigodnnый 1n6079s Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 970 мВ @ 5 a 30 млн 10 мк -прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 5A 230pf @ 5V, 1 мгест
S1ML RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1ML RFG -
RFQ
 ECAD 7249 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BYG24J-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg24j-e3/tr 0,5300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Byg24 Лавина DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 Е @ 1,5 А. 140 млн 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а -
SDT5H100P5-7 Diodes Incorporated SDT5H100P5-7 0,4400
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Powerdi ™ 5 SDT5H100 ШOTKIй Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 620 м. @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
CDBB360-G Comchip Technology CDBB360-G 0,5000
RFQ
 ECAD 77 0,00000000 Комшип - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB CDBB360 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
B160-13 Diodes Incorporated B160-13 -
RFQ
 ECAD 6709 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA B160 ШOTKIй СМА - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть