SIC
close

Отджонди (57622)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
FR6D05 GeneSiC Semiconductor FR6D05 8.1330
RFQ
 ECAD 7538 0,00000000 Genesnыйpoluprovovodonyk - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став Станода До 4 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) FR6D05GN Ear99 8541.10.0080 250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,4 - @ 6 a 500 млн 25 мка прри 50 -65 ° С ~ 150 ° С. 16A -
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4007gpehe3/53 -
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4007 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 2 мкс 5 мк -пр. 1000 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
1N5393GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393GPHE3/73 -
RFQ
 ECAD 6181 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5393 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,4 Е @ 1,5 А 2 мкс 5 мка При 200 -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
1N4154 Microchip Technology 1N4154 1.4250
RFQ
 ECAD 5438 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1N4154 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1n4154ms Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 35 1 V @ 30 май 2 млн 100 Na @ 25 V -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 4pf @ 4V, 1 мгест
1N4448W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448W-E3-08 0,2600
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 1N4448 Станода SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 720 мВ @ 5 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С. 150 май -
S5A Diotec Semiconductor S5A 0,1593
RFQ
 ECAD 81 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-S5ATR 8541.10.0000 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 5 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
ES15GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es15glwhrvg -
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W ES15 Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 1,5 А. 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 21pf @ 4V, 1 мгха
EM01V Sanken EM01V -
RFQ
 ECAD 2410 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Оос EM01 Станода - СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) EM01V DK Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 970 мВ @ 1 a 10 мка 400 -40 ° С ~ 150 ° С. 1A -
PMEG4010ETR,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010ETR, 115 0,4000
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W PMEG4010 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 490 мВ @ 1 a 4,4 млн 50 мка 40, 175 ° C (MMAKS) 1A 130pf @ 1V, 1 мгест
MMSD701T1 onsemi MMSD701T1 -
RFQ
 ECAD 4542 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOD-123 MMSD70 ШOTKIй SOD-123 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 10 мая 200 Na @ 35 V -55 ° C ~ 125 ° C. 200 май 1pf @ 0v, 1 мгест
PU1BM Taiwan Semiconductor Corporation PU1BM 0,1053
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Pu1bmtr Ear99 8541.10.0080 18 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,05 В @ 1 A 24 млн 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 18pf @ 4V, 1 мгха
JANTX1N6640US MACOM Technology Solutions Jantx1n6640us 12.6600
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Macom Technology Solutions ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500 /578 и 609 МАССА Пркрэно Пефер SQ-Melf, d Станода D-5d СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 200 MMA 4 млн 90 мк -при 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май -
HS2KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS2KFSH 0,0786
RFQ
 ECAD 6995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2KFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 2 a 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгест
D841S45TS01XDLA1 Infineon Technologies D841S45TS01XDLA1 -
RFQ
 ECAD 2244 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо ШASCI DO-200AC, K-PUK D841S45 Станода BG-D7514-1 - DOSTISH SP000091296 Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 4500 В. 3,5 В @ 2500 А 140 мая @ 4500 125 ° C (MMAKS) 1080a -
JANTX1N6643 MACOM Technology Solutions Jantx1n6643 -
RFQ
 ECAD 1683 0,00000000 Macom Technology Solutions ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500 /578 и 609 МАССА Пркрэно Чereз dыru Оос Станода 05 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,2 Е @ 100 мая 6 м 100 мк -прри 50 -65 ° C ~ 175 ° C. 300 май -
VS-20MQ060HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ060HM3/5AT 0,0937
RFQ
 ECAD 6130 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA 20mq060 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 31pf @ 10v, 1 мг
BAT85S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT85S-TR 0,3800
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAT85 ШOTKIй DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 5 млн 2 мка 4 25 -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
D4810N20TVFXPSA1 Infineon Technologies D4810N20TVFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 4881 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо ШASCI DO-200AE D4810N20 Станода - СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 2000 г. 1 078 Е @ 4000 a 200 мая @ 2000 -40 ° С ~ 150 ° С. 4810a -
JANTXV1N5809URS Microchip Technology Jantxv1n5809urs 25.3350
RFQ
 ECAD 8168 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/477 МАССА Актифен Пефер SQ-Melf, б 1n5809 Станода B, SQ-Melf СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 875 MV @ 4 A 30 млн 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 60pf @ 10 v, 1 мгновение
VS-S950 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S950 -
RFQ
 ECAD 7431 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл S950 - 112-VS-S950 1
PMEG030V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG030V050EPDZ 0,6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер 277, 3-Powerdfn PMEG030 ШOTKIй CFP15 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 5 a 16 млн 150 мкр 30 175 ° C (MMAKS) 5A 495pf @ 1V, 1 мгест
1N6823 Microchip Technology 1N6823 259 3500
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен Пефер ThinKey ™ 3 ШOTKIй ThinKey ™ 3 - DOSTISH 150-1N6823 Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 920 мВ @ 150 a 5 май @ 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 150a -
CLLR1-04 TR Central Semiconductor Corp Cllr1-04 Tr -
RFQ
 ECAD 6839 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF Станода Пособие - 1514-CLLR1-04TR Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 10 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
UF1005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF1005-E3/73 -
RFQ
 ECAD 7568 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1005 Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
PAD100 TO-72 3L Linear Integrated Systems, Inc. PAD100 TO-72 3L 64900
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Linear Integrated Systems, Inc. Провкладка МАССА Актифен Чereз dыru До 72-3 МЕТАЛЛИГАСКА Станода 122-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 45 1,5 - @ 5 мая 100 п. @ 20 -55 ° C ~ 150 ° С. 50 май 1,5pf @ 5V, 1 мгха
VSSAF5M15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M15HM3/H. 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds SAF5M15 ШOTKIй DO-221AC (Slimsma) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,15 Е @ 5 a 180 мк -при 150 -40 ° C ~ 175 ° C. 5A 290pf @ 4V, 1 мгха
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 4497 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 CMS09 ШOTKIй M-Flat (2,4x3,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 450 мВ @ 1 a 500 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 1A 70pf @ 10V, 1 мгест
PMEG3005EGW115 Nexperia USA Inc. PMEG3005EGW115 -
RFQ
 ECAD 4248 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен PMEG3005 СКАХАТА 0000.00.0000 1
1N4002GL-T Diodes Incorporated 1n4002gl-t -
RFQ
 ECAD 9044 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4002 Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 1 A 2 мкс 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
BX34A_R1_00001 Panjit International Inc. BX34A_R1_00001 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA BX34 ШOTKIй SMA (DO-214AC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 700 мВ @ 3 a 50 мк 45 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть